Service-Hotline
Produkte
Produkte
SiC-MOSFET
Die Impedanz der Driftschicht von Siliziumkarbid-Bauelementen (SiC) ist geringer als die von Si-Bauelementen. Mit einer MOSFET-Struktur lassen sich ohne Leitfähigkeitsmodulation hohe Sperrspannungen und niedrige Impedanzen erzielen. Darüber hinaus erzeugen MOSFETs prinzipbedingt keinen Tailstrom, wodurch die Schaltverluste erheblich reduziert werden können und bei der Substitution von IGBTs durch SiC-MOSFETs eine Miniaturisierung der Wärmeableitungskomponenten erreicht werden kann. Zudem kann die Betriebsfrequenz von SiC-MOSFETs deutlich höher sein als die von IGBTs, wodurch die Induktivitäten und Kapazitäten der Schaltung kleiner ausfallen und eine kompakte und leichte Systembauweise ermöglicht wird. Im Vergleich zu Si-MOSFETs derselben Spannungsklasse von 600 V bis 900 V weisen SiC-MOSFETs eine kleinere Chipfläche auf, können in kleineren Gehäusen eingesetzt werden, und die Erholungsverluste der Body-Diode sind sehr gering. Derzeit werden SiC-MOSFETs hauptsächlich in hochwertigen industriellen Stromversorgungen, Hochleistungs-Wechselrichtern und -Umrichtern sowie in Hochleistungs-Motorantrieben und deren Steuerung eingesetzt.
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Die Produktlinien von SLKOR umfassen diskrete Bauelemente, wie Dioden, Transistoren, Leistungsbauelemente; und integrierte Schaltkreischips, wie Linearregler, DC/DC-Chips, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS... Wir verfügen über jahrelang angesammelte Technologie im Bereich dedizierter Halbleiter.
Hilfe benötigt? Scannen Sie den Code mit Ihrem Telefon, um auf WhatsApp zu chatten.
粤公网安备44030002007346号