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DTC114EE NPN-Digitaltransistor SOT-523

NPN-Silizium-Epitaxial-Planar-Digitaltransistor

Produktübersicht

Der DTC114EE ist ein digitaler NPN-Transistor von Slkor. Er eignet sich für ein breites Anwendungsspektrum. Dieser Transistor zeichnet sich durch eine hohe Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung, einen moderaten Kollektorstrom und eine geringe Leistungsaufnahme aus. Dank seines SMD-Gehäuses kann er in verschiedenen elektronischen Geräten eingesetzt werden.

Schlüsseleigenschaften

Transistortyp: NPN – Bipolartransistor vom NPN-Typ. Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung (V<sub>CE0</sub>): 50 V – Hohe Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung. Kollektorstrom (I<sub>C</sub>): 100 mA – Mittlere Kollektorstrombelastbarkeit. Verlustleistung (P<sub>D</sub>): 150 mW – Optimiert für elektronische Geräte mit geringem Stromverbrauch. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V<sub>CE(sat)@I<sub>C</sub>,I<sub>B</sub>): 0.3 V bei 10 mA, 0.5 mA – Niedrige Sättigungsspannung. Grenzfrequenz (f<sub>T</sub>): 250 MHz – Geeignet für Hochfrequenzanwendungen.

Anwendungsgebiete

Digitale Logikschaltungen, Verstärker und Verstärkerschaltungen, Energiemanagementsysteme, Kommunikationsgeräte, LED-Treiber

Leistungsvorteile

Hohe Durchbruchspannung: Die Durchbruchspannung von 50 V eignet sich für Anwendungen im mittleren bis hohen Spannungsbereich. Moderater Kollektorstrom: Ein Kollektorstrom von 100 mA ist für vielfältige Anwendungsszenarien geeignet. Geringer Stromverbrauch: Die Verlustleistung von 150 mW ermöglicht den Einsatz in Elektronikgeräten mit geringem Stromverbrauch. Niedrige Sättigungsspannung: Die Sättigungsspannung von 0.3 V trägt zur Reduzierung des Stromverbrauchs bei. Hohe Grenzfrequenz: Die Grenzfrequenz von 250 MHz ermöglicht Hochfrequenzanwendungen.

Montage und Verwendung

Der DTC114EE ist als SMD-Gehäuse erhältlich. Ausführliche Montage- und Betriebshinweise zur Gewährleistung optimaler Leistung und Stabilität finden Sie im Produktdatenblatt.


Name
Titel
Beschreibung
Datenblatt
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