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SL5N50D N-Kanal-Leistungs-MOSFET TO-252
● Gate-Ladung (typisch 18.5 nC)
● Verbesserte dv/dt-Fähigkeit
● 100% lawinengeprüft
Produktübersicht
Der SL5N50D ist ein Hochspannungs-N-Kanal-MOSFET, der zuverlässige Lösungen für ein breites Spektrum an Hochspannungsschalt- und Leistungssteuerungsanwendungen bietet. Dank seiner herausragenden Leistung und Stabilität ist der SL5N50D die bevorzugte Wahl für industrielle Automatisierung, Energiemanagement, Hochspannungsschaltanlagen und weitere Anwendungsbereiche.
Schlüsseleigenschaften
- Marke: Slkor, ein führender Hersteller von Halbleiterlösungen. - Typ: N-Kanal-MOSFET für Hochspannungsschaltungen und Leistungssteuerung. - Drain-Source-Spannung (Vdss): Bis zu 500 V für Hochspannungsanwendungen. - Dauerstrom (Id): Maximaler Dauerstrom von 5.0 A für Geräte mittlerer Leistung. - Verlustleistung (Pd): Maximale Belastbarkeit von 98.4 W für hohe Leistungsanforderungen. - Durchlasswiderstand (RDS(on)@Vgs,Id): 1.5 Ω bei 10 V und 2.65 A, zeichnet sich durch einen niedrigen Durchlasswiderstand aus. - Schwellenspannung (Vgs(th)@Id): 3.5 V bei 250 μA, kompatibel mit verschiedenen Steuerspannungsanforderungen. - Gehäuse: Kompaktes TO-252-Gehäuse für einfache Integration in Leiterplatten.
Hauptvorteile
- Hochspannungstauglichkeit: Mit einer Drain-Source-Spannung von bis zu 500 V eignet es sich für diverse Hochspannungsschalt- und Steuerungsanwendungen.
- Mittlere Ausgangsleistung: Unterstützt einen maximalen Drainstrom von 5.0 A und eine Verlustleistung von 98.4 W für Geräte mit mittlerer Leistung.
- Niedriger Einschaltwiderstand: Der Einschaltwiderstand beträgt nur 1.5 Ω bei 10 V und 2.65 A, was die Leistungsverluste reduziert.
- Flexible Steuerspannung: Die Gate-Schwellenspannung von 3.5 V bei 250 μA passt sich unterschiedlichen Steuerspannungsanforderungen an.
- Breites Anwendungsspektrum: Geeignet für verschiedene Anwendungsbereiche, darunter industrielle Automatisierung, Energiemanagement und Hochspannungsschaltanlagen.
Anwendungsbeispiel
- Schaltsteuerung in Hochspannungs-Schaltanlagen.
- Hochspannungs-Leistungsregelung in Energiemanagementsystemen.
- Hochspannungsschaltsteuerung für industrielle Automatisierungssysteme.
- Leistungsschalter in Hochspannungsantriebssystemen.
Name
Titel
Beschreibung
Datenblatt
Unterstützung
Unterstützung
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Langlebigkeit
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SL10N65F N-Kanal-Leistungs-MOSFET TO-220F
Marke: slkor， Package： TO-220F VDSS(V)： 650V Id(A)： 10A RDSON(Ω)： 940mΩ@10V,5A VTH： 4.5V@250A P/N： N-Channel
SL11N65CD N-Kanal-Leistungs-MOSFET TO-252
Marke: slkor， Package： TO-252 VDSS(V)： 650V Id(A)： 11A RDSON(Ω)： 318mΩ@10V,4.0A VTH： 4.5V@0.8mA P/N： N-Channel
SL11N65CF1 N-Kanal-Leistungs-MOSFET TO-220F
Marke: slkor， Package： TO-220F VDSS(V)： 650V Id(A)： 11A RDSON(Ω)： 318mΩ@10V,4.0A VTH： 4.5V@250μA P/N： N-Channel
SL12N100 N-Kanal-Leistungs-MOSFET TO-220
Marke: slkor， Package： TO-220 VDSS(V)： 1000V Id(A)： 12A RDSON(Ω)： 1.0Ω@10V,6A VTH： 5.0V@250μA P/N： N-Channel
SL12N100T N-Kanal-Leistungs-MOSFET TO-247
Marke: slkor， Package： TO-247 VDSS(V)： 1000V Id(A)： 12A RDSON(Ω)： 1.0Ω@10V,6A VTH： 5.0V@250μA P/N： N-Channel
SL12P03S P-Kanal-Leistungs-MOSFET SOP-8
Marke: slkor， Package： SOP-8 VDSS(V)： -30V Id(A)： -12A RDSON(Ω)： 24mΩ@-4.5V,-5A VTH： -1.6V@-250μA P/N： P-Channel
SL13N45F N-Kanal-Erweiterungs-MOSFET TO-220F
Marke: slkor， Package： TO-220F VDSS(V)： 450V Id(A)： 13A RDSON(Ω)： 470mΩ@10V,5.5A VTH： 4V@250uA P/N： N-Channel
SL13N50FS N-Kanal-Erweiterungs-MOSFET TO-220F
Marke: slkor， Package： TO-220F VDSS(V)： 500V Id(A)： 13A RDSON(Ω)： 520mΩ@10V,6.5A VTH： 4V@250μA P/N： N-Channel
SL15N60CF N-Kanal-Leistungs-MOSFET TO-220F
Marke: slkor， Package： TO-220F VDSS(V)： 650V Id(A)： 15A RDSON(Ω)： 238mΩ@10V,7.5A VTH： 4.5V@250μA P/N： N-Channel
SL15N65CD N-Kanal-Leistungs-MOSFET TO-252
Marke: slkor， Package： TO-252 VDSS(V)： 650V Id(A)： 15A RDSON(Ω)： 238mΩ@10V,7.5A VTH： 4.5V@250μA P/N： N-Channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Das Produktsortiment von SLKOR umfasst diskrete Bauelemente wie Dioden, Transistoren und Leistungshalbleiter sowie integrierte Schaltkreise wie Linearregler, DC/DC-Wandler, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS. Wir verfügen über jahrelange Erfahrung in der Halbleitertechnik.
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