Unsere Vorteile
- Hohe Stromstärke bis zu 500 mA im ultrakleinen SOT-523-Gehäuse
- Extrem niedrige Sättigungsspannung für hohe Effizienz und geringe Wärmeentwicklung
- Hohe und stabile Gleichstromverstärkung für starke Verstärkung
- Miniaturgröße, ideal für kompakte Designs mit hoher Packungsdichte
- Breiter Betriebstemperaturbereich für zuverlässige Leistung
- Geringer Leckstrom für niedrigen Stromverbrauch
Beschreibung
Der 2SC5585 ist ein NPN-Transistor in Kunststoffkapselung im SOT-523-Oberflächenmontagegehäuse. Er zeichnet sich durch folgende Merkmale aus: hoher Strom und extrem niedrige VCE(sat)Dadurch eignet es sich perfekt für kompakte, hocheffiziente Treiber-, Schalt- und Verstärkerschaltungen, bei denen Platzbedarf und Leistungsverlust entscheidend sind.
Funktionen
- NPN-Hochstromtransistor
- SOT-523 ultra-kleines Oberflächenmontagegehäuse
- Hohe Strombelastbarkeit: IC = 500 mA
- Niedrige Sättigungsspannung: VCE(sat) ≤ 0.25 V
- Gleichstromverstärkung: hFE = 270–680
- Übergangsfrequenz: fT = 320 MHz (typ.)
- VCBO = 15 V, VCEO = 12 V, VEBO = 6 V
- Verlustleistung: PC = 150 mW
- Sperrschicht-/Lagertemperatur: −55℃ bis +150℃
- Kennzeichnung: BX
Anwendungen
- Hocheffiziente Schaltkreise
- LED-Treiber- und Anzeigemodule
- Tragbare und batteriebetriebene Geräte
- Kompakte Unterhaltungselektronik
- Kleinmotor- und Aktuatortreiber
- SMT-Schaltungsdesigns mit hoher Dichte
- Niederspannungs-Leistungssteuerungsmodule