Beschreibung

Eigenschaften

1. Bidirektionales Design zur gleichzeitigen Unterdrückung positiver und negativer Spannungsspitzen
2. Hohe Spitzenimpulsverlustleistung von 600 W bei 25 °C Umgebungstemperatur
3. Hält Stoßströmen bis zu 100 A bei einem 8.3 ms langen Halbsinusimpuls stand.
4. Glaspassivierte Chipkonstruktion für stabile Langzeitzuverlässigkeit und Alterungsbeständigkeit
5. Hervorragende Klemmfähigkeit und ultraschnelle Impulsantwort zur sofortigen Absorption von Stoßenergie
6. SMB (DO-214AA) Standard-Oberflächenmontagegehäuse, vollständig kompatibel mit automatisierter SMT-Bestückung
7. UL94V-0 flammhemmendes, formgepresstes Kunststoffgehäuse für hohe Sicherheit
8. Deutliche Kathodenband- oder Kerbmarkierung zur einfachen Polaritätsidentifizierung beim Leiterplattenlayout
9. Breiter Betriebstemperaturbereich und Lagertemperaturbereich: -55 °C ~ +150 °C
10. Lötplattierte Anschlüsse, die den Lötstandards von MIL-STD-750 entsprechen
11. Komplettes Serienportfolio (5 V–170 V) mit unidirektionalen und bidirektionalen Optionen für vielfältige Schaltungsanforderungen

Unsere Vorteile

1. Die hohe Spitzenleistungskapazität von 600 W bewältigt starke Blitzeinschläge bei weit entfernten kabelgebundenen Geräten.
2. Das integrierte bidirektionale Ein-Chip-Design ersetzt zwei separate unidirektionale TVS-Bauelemente und reduziert so die Materialkosten und den Platzbedarf auf der Leiterplatte.
3. Die Glaspassivierung verbessert die Langzeitstabilität und ist ideal für Industrie- und Automobilprodukte, die eine lange Lebensdauer erfordern.
4. Die niedrige maximale Klemmspannung begrenzt wirksam die Restüberspannung und verhindert so Schäden an empfindlichen ICs.
5. Das SMB-Mittelleistungsgehäuse bietet ein ausgewogenes Verhältnis zwischen Leistungskapazität und Platzbedarf und passt zu den meisten Leiterplattenlayouts.
6. Die breite Temperaturtoleranz gewährleistet eine gleichbleibende Schutzleistung auch unter extremen Hoch- und Tieftemperaturbedingungen.
7. Eine eindeutige Polaritätsmarkierung vermeidet Montagefehler bei der SMT-Massenproduktion.
8. Geringer Rückstrom verringert den Standby-Leistungsverlust bei batteriebetriebenen tragbaren Geräten.
9. Die Vollspannungsserie deckt sowohl Niedriggeschwindigkeits-Signalkreise als auch Hochspannungs-Stromschienen ab und bietet umfassende EMV-Überspannungsschutzlösungen.
10. Lötplattierte Anschlüsse ermöglichen das standardmäßige bleifreie Reflow-Löten ohne spezielle Prozessanpassungen.

Mechanische Daten

1. Gehäusetyp: SMB / DO-214AA oberflächenmontierbares Kunststoffgehäuse
2. Verkapselungsmaterial: UL94V-0 flammhemmender Kunststoff
3. Anschlüsse: Verlötet, gemäß MIL-STD-750 Methode 2026
4. Polaritätsmarkierung: Kathodenband oder Kathodenkerbe auf der Gehäuseoberfläche
5. Umrissabmessungen (Einheit: mm):
   • A: 3.30 Min ~ 3.94 Max
   • B: 4.06 Min ~ 4.70 Max
   • C: 1.91 Min ~ 2.21 Max
   • D: 0.15 Min ~ 0.31 Max
   • E: 5.00 Min ~ 5.59 Max
   • G: 0.10 Min ~ 0.20 Max
   • H: 0.76 Min ~ 1.52 Max
   • J: 2.00 Min ~ 2.62 Max
6. Ungefähres Gewicht: 0.093 Gramm
7. Betriebs- und Lagertemperaturbereich: -55 °C ~ +150 °C

Anwendungen

• Industrielle Steuerplatinen, Sensoren und 7.5-V-Niederspannungs-Stromversorgungsschaltungen
• Notebooks, Desktop-Computer und Peripheriegeräte-Signal- und Stromschnittstellenschaltungen
• Kommunikationsrouter, Switches und drahtgebundene Signalübertragungsleitungen
• Unterhaltungselektronik-Audio- und Videogeräte, Set-Top-Boxen und Display-Ansteuerschaltungen
• Kfz-Niederspannungs-Hilfssteuerkreise und Bordsignalleitungen
• Handmessgeräte und alle batteriebetriebenen tragbaren Elektronikgeräte
• Medizinische elektronische Geräte mit niedriger Spannung
• Alle oberflächenmontierten Leiterplattenprodukte, die einen bidirektionalen 7.5-V-Überspannungsschutz benötigen

Wichtige elektrische Parameter von SMBJ7.5CA (Ta=25°C, IT=1mA)

1. VRWM (Sperrspannung): 7.5 V
2. VBR (Durchbruchspannung): Min. 8.33 V, Max. 9.58 V
3. IR (Sperrleckstrom bei VRWM=7.5V): ≤ 100 μA
4. VC & IPP: Maximale Klemmspannung 12.9 V bei einem Spitzenimpulsstrom von 46.5 A