¡Resumen de 23 empresas IGBT!

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2022-03-17 415

Los semiconductores de potencia son una subdivisión de la industria de los semiconductores. Aunque no son tan conocidos por el público como los circuitos integrados, su importancia es innegable. Los IGBT son un tipo de semiconductor de potencia. Como "CPU" en dispositivos y sistemas electrónicos de potencia, son la principal fuerza impulsora de la alta eficiencia, el ahorro energético y la reducción de emisiones.

Tecnología de 7ma generación y mejora de procesos.

IGBT, transistor bipolar de puerta aislada es un dispositivo semiconductor de potencia impulsado por voltaje totalmente controlado compuesto de BJT (transistor bipolar) y MOS (transistor de efecto de campo de puerta aislada), con alta frecuencia, alto voltaje, alta corriente, fácil de conmutar, etc. Excelente rendimiento, conocido como la "CPU" de los convertidores de potencia en la industria.

Datos del Instituto de Investigación Industrial TrendForce, filial de TrendForce, muestran que el desarrollo de vehículos eléctricos impulsará el crecimiento continuo del valor del mercado de IGBT. Se estima que este superará los 5.2 millones de dólares estadounidenses en 2021. Como el mayor mercado de demanda de IGBT del mundo, la mayor cuota de mercado de China la ocupan empresas europeas, estadounidenses y japonesas. Sin embargo, tras años de arduo trabajo, se ha consolidado una cadena industrial completa de IGBT. Las principales empresas de la cadena industrial...

IDM

CRRC tiempos eléctricos

Zhuzhou CRRC Times Electric Co., Ltd. es una sociedad anónima perteneciente a CRRC. Su predecesora y empresa matriz, CRRC Zhuzhou Electric Locomotive Research Institute Co., Ltd., se fundó en 1959. Es una base de industrialización de IGBT de alta potencia que integra la investigación, el desarrollo y la integración de conjuntos completos de tecnologías, como la fabricación de chips.

En 2008, CRRC Times Electric (entonces denominada "CSR Times Electric") adquirió Dennis, fabricante global de IGBT. En 2009, construyó la primera línea de empaquetado de módulos IGBT de alta tensión en China. Se trata de una línea de producción avanzada para chips IGBT. Actualmente, los productos IGBT de CRRC Times Electric abarcan desde 650 V hasta 6500 V y se han aplicado en lotes en ferrocarriles de alta velocidad, redes eléctricas, vehículos eléctricos, energía eólica y otros sectores. En 2017, sus módulos IGBT de alta tensión recibieron pedidos en el sector eléctrico y desarrollaron con éxito el IGBT de crimpado de mayor capacidad del mundo.

BYD Microelectrónica

En 2003, BYD fundó Shenzhen BYD Microelectronics Co., Ltd. (su "Sexta División"), dedicada al desarrollo de circuitos integrados y dispositivos de potencia, y que ofrece una gama completa de soluciones para aplicaciones de productos. Su I+D y fabricación de IGBT son las principales responsabilidades de BYD Microelectronics. En 2005, BYD estableció formalmente un equipo de I+D de IGBT y, en 2007, una línea de producción de módulos IGBT, completando el primer ensamblaje de muestra de módulos IGBT para vehículos eléctricos.

Actualmente, BYD domina con éxito el diseño y la fabricación de chips IGBT, el diseño y la fabricación de módulos, la plataforma de aplicación para pruebas de dispositivos de alta potencia, el suministro de energía y el control electrónico, y cuenta con una cadena industrial IGBT completa. A finales de 2018, BYD lanzó oficialmente su tecnología IGBT 4.0 de grado automotriz, desarrollada por ella misma. TrendForce, una organización global de investigación de mercado, señaló que BYD Microelectronics ha ascendido rápidamente en el mercado de IGBT automotriz gracias a las ventajas de sus terminales, alcanzando una participación de mercado superior al 20% en el mercado chino de IGBT, convirtiéndose en el tercer proveedor líder de IGBT en ventas en China.

Silán Micro

Hangzhou Silan Microelectronics Co., Ltd. se estableció en 1997. A partir del negocio de diseño de chips de circuitos integrados, ha construido gradualmente una plataforma de fabricación de chips con procesos característicos y ha ampliado su tecnología y plataforma de fabricación para alimentar dispositivos, módulos de potencia y En En el campo del empaquetado de sensores MEMS, se ha establecido un modelo de negocio IDM relativamente completo.

Actualmente, las líneas de producción de chips de 5 y 6 pulgadas de Silan Micro han operado de forma estable, y la línea de producción de chips de 8 pulgadas también se ha puesto en producción con éxito. Investigación y desarrollo de MOSFET de puerta, diodos de recuperación rápida, sensores MEMS y otros procesos. En abril de este año, Silan Micro lanzó la serie RC-IGBT de 1350 V para cocinas de inducción domésticas. Se informa que los IGBT que desarrolló han superado rigurosas pruebas de clientes en diversos sectores y se han introducido en la producción en masa.

China Microelectrónica

Jilin Xiaomi Electronics Co., Ltd. se fundó en 1999. Integra el diseño y desarrollo de dispositivos semiconductores de potencia, el procesamiento, el empaquetado y las pruebas de chips, y la comercialización de productos. Según la información oficial de su sitio web, cuenta con líneas de producción de dispositivos discretos semiconductores de potencia y chips IC de 4, 5 y 6 pulgadas. Su capacidad de procesamiento de chips es de 4 millones de unidades al año, sus recursos de empaquetado son de 2.4 millones de unidades al año y sus módulos, de 3.6 millones de unidades al año.

China Microelectronics produce principalmente dispositivos semiconductores de potencia y circuitos integrados (CI). Actualmente, ha desarrollado una serie de productos como IGBT, MOSFET, SCR, SBD, IPM, FRD, BJT, etc., como su principal línea de comercialización. Sus productos de plataforma IGBT Trench-FS de 650 V a 1200 V han sido verificados por el cliente. En abril de este año, China Microelectronics planea financiar e invertir en un proyecto de línea de producción de 8 pulgadas. Los chips IGBT de 600 V a 1700 V con diversos niveles de voltaje y corriente son uno de los puntos clave del proyecto.

Chongqing China Recursos Micro

China Resources Microelectronics (Chongqing) Co., Ltd., la antigua AVIC (Chongqing) Microelectronics Co., Ltd., integra diseño, investigación y desarrollo, fabricación y servicios de semiconductores, con dispositivos semiconductores de potencia y circuitos integrados analógicos/de potencia como su base industrial. Para los mercados de electrónica industrial, electrónica de consumo, electrónica automotriz y comunicaciones 5G. Cuenta con plataformas de desarrollo y fabricación de tecnología para dispositivos de potencia, sensores GaN y MEMS.

Chongqing CR Micro posee la primera línea de producción de obleas de 8 pulgadas para dispositivos de potencia de propiedad exclusiva en China, con una capacidad de producción mensual de 51,000 obleas, una capacidad de procesamiento de 0.18 micras y una línea de producción de proceso especial de 8 pulgadas. Actualmente, la empresa ha comenzado la planificación de la construcción de la línea de producción de obleas de 12 pulgadas y las líneas de empaquetado y prueba correspondientes, dedicadas principalmente a la producción de semiconductores de potencia como MOSFET, IGBT y chips de gestión de energía.

Acciones de Taiji

Hubei Taiji Semiconductor Co., Ltd. se estableció en 2004. Es una de las pocas empresas en el campo de los dispositivos semiconductores de alta potencia en China que ha dominado la tecnología frontal (difusión), la intermedia (fabricación de chips ) tecnología y la tecnología back-end (prueba de paquetes). ) Tecnología y dominar la tecnología central del diseño, fabricación y formación de dispositivos semiconductores de alta potencia y formar una empresa de producción a gran escala.

Los principales productos de Taiji son dispositivos semiconductores de potencia, como tiristores de potencia, rectificadores, módulos IGBT, etc. La empresa inició la investigación y el desarrollo de módulos IGBT hace apenas cinco años y actualmente cuenta con capacidades de diseño, empaquetado y prueba de IGBT. Recientemente, Taiji Co., Ltd. ha invertido en un nuevo proyecto de modernización de la industria de dispositivos semiconductores de alta potencia, que incluye la producción mensual de 5 40,000 módulos IGBT (compatibles con MOSFET, etc.) y líneas de empaquetado y prueba.

Tecnología Yangjie

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. se estableció en agosto de 2006. Está comprometida con el desarrollo industrial de la fabricación de dispositivos y chips semiconductores de potencia, el empaquetado y prueba de circuitos integrados y otros campos. Sus productos principales son varios chips de dispositivos electrónicos de potencia, diodos de potencia, puentes rectificadores, módulos de alta potencia, productos DFN/QFN, SGT MOS y SBD de carburo de silicio, JBS de carburo de silicio, etc.

Se sabe que, en cuanto a IGBT, Yangjie Technology contaba con una línea de producción de obleas de 6 pulgadas en Yixing en marzo de 2018. Actualmente, la línea de producción produce chips IGBT en masa, utilizados principalmente en el sector de pequeños electrodomésticos, como cocinas de inducción. Yangjie Technology declaró en la plataforma interactiva que, en 2018, la compañía produjo cerca de 6,000 chips IGBT.

Semiconductores Kodak

Fundada en 2007, Keda Semiconductor Co., Ltd. es una empresa de alta tecnología fundada por el Grupo Keda. Se dedica principalmente al diseño, la producción y la venta de nuevos dispositivos semiconductores de potencia (dispositivos electrónicos de potencia), como IGBT, FRD y MOSFET. Cuenta con centros de ventas en Shenzhen, Zhejiang, Shandong y otras regiones.

Según la presentación oficial de Keda Semiconductor, la empresa cuenta con un centro de diseño de dispositivos de potencia, un laboratorio de pruebas de rendimiento y un laboratorio de fiabilidad, así como con un centro provincial de diseño y un centro provincial de ingeniería de semiconductores de potencia. En este campo, hemos desarrollado diversos productos con derechos de propiedad intelectual independientes. Entre ellos, el IGBT de 1200 V está clasificado como nuevo producto clave a nivel nacional por el Ministerio de Ciencia y Tecnología. Estos productos se utilizan ampliamente en cocinas de inducción, inversores de baja potencia, soldadoras inverter, controladores de motores sin escobillas y sistemas UPS, entre otros campos.

design

Zhongke Junxin

Jiangsu Zhongke Junxin Technology Co., Ltd. se fundó en 2011. Es una empresa conjunta chino-extranjera de alta tecnología, centrada en la investigación y el desarrollo de nuevos chips electrónicos de potencia, como IGBT y FRD. Sus predecesores fueron los tres equipos de investigación del Instituto de Microelectrónica de la Academia China de Ciencias, el Centro de Investigación y Desarrollo del Internet de las Cosas de China y la Universidad de Ciencia y Tecnología Electrónica de Chengdu, cuyos inicios se remontan a la década de 1980.

Según el sitio web oficial de Zhongke Junxin, la empresa cuenta actualmente con productos competitivos en el mercado, incluyendo chips IGBT de las series 650 V, 1200 V y 1700 V, y posee 222 patentes, incluyendo 12 patentes PCT. En cuanto a la tecnología IGBT, Zhongke Junxin ha desarrollado una serie completa de chips IGBT con voltajes de terminación de campo de trinchera (Trench-FS) de 650 V a 6500 V y corrientes de chip único de 8 A a 400 A, que han resuelto con éxito problemas como la tecnología de formación de trinchera de compuerta de trinchera, la tecnología de mejora de portadores, la tecnología de adelgazamiento de obleas, la tecnología de implantación de iones de alta energía en la parte posterior, la tecnología de recocido láser en la parte posterior y otras tecnologías de proceso clave.

Semiconductores Daxin

Ningbo Daxin Semiconductor Co., Ltd. se fundó en 2013. Es una empresa conjunta chino-extranjera de alta tecnología, fundada principalmente por emigrantes retornados. Se dedica principalmente al diseño, fabricación y venta de chips y dispositivos semiconductores de potencia IGBT, MOSFET, FRD y otros. Con tecnología de diseño e integración de procesos para semiconductores de potencia como IGBT, MOSFET y FRD, ha construido un laboratorio de pruebas de rendimiento, aplicación y fiabilidad de productos IGBT y cuenta con una línea completa de producción e investigación de módulos IGBT, con métodos de prueba y fabricación.

Según el sitio web oficial de Daxin Semiconductor, su equipo ha desarrollado con éxito tecnologías de chips IGBT como NPT planar, FS planar, NPT de trinchera y FS de trinchera en plataformas de fabricación de obleas de 8 y 6 pulgadas simultáneamente. Fabrica chips IGBT de 600 V a 1700 V, que satisfacen la mayoría de las aplicaciones. Además, Daxin Semiconductor ha desarrollado con éxito diversos módulos IGBT, con niveles de voltaje de 600 V a 3300 V y niveles de corriente de 10 A a 1000 A, que se pueden aplicar a soldadoras inverter, convertidores de frecuencia, calentamiento por inducción, fuentes de alimentación de alta potencia, SAI, nuevas energías automotrices, energía solar/eólica, SVG, etc.

Microelectrónica Ziguang

Wuxi Ziguang Microelectronics Co., Ltd. (anteriormente Wuxi Tongfang Microelectronics Co., Ltd.) se estableció en 2006. Es una empresa de alta tecnología con inversión de Ziguang Tongxin Microelectronics Co., Ltd. Es una empresa que se centra en la energía de semiconductores avanzada. Dispositivos y circuitos integrados. Una empresa de diseño de circuitos integrados dedicada al diseño y desarrollo, procesamiento, embalaje y pruebas de chips y venta de productos.

Según el sitio web oficial de Ziguang Microelectronics, los dispositivos semiconductores de potencia, como SJ MOSFET, DT MOSFET, HV VDMOS, IGBT, IGTO, controladores de puerta de medio puente y circuitos integrados de gestión de potencia relacionados, desarrollados y producidos por la empresa, se utilizan ampliamente en ahorro de energía, iluminación ecológica, generación de energía eólica, redes inteligentes, vehículos híbridos/eléctricos, instrumentación, electrónica de consumo y otros campos. En cuanto a los IGBT, se basan en la aplicación real de los mismos y utilizan tecnología IGBT NPT (sin perforación) y Trench FS (detención de campo) para ofrecer soluciones de sistemas fiables y de alta calidad para clientes de aplicaciones de alta potencia.

Nueva energía limpia de Wuxi

Wuxi New Clean Energy Co., Ltd. se fundó en 2013. Su actividad principal es la I+D, el diseño y la venta de MOSFET, IGBT y otros dispositivos semiconductores de potencia. Sus principales productos se dividen en chips y productos encapsulados, según estén o no encapsulados, y se utilizan ampliamente en electrónica de consumo, electrónica automotriz, electrónica industrial, vehículos y estaciones de carga de nuevas energías, fabricación de equipos inteligentes, Internet de las Cosas (IoT), energía fotovoltaica y otros campos.

Según la introducción oficial de Wuxi New Clean Energy, sus principales productos actualmente incluyen MOSFET de potencia de trinchera de 12 V ~ 200 V (canal N y canal P), MOSFET de potencia de compuerta blindada de 30 V ~ 300 V (canal N y canal P), MOSFET de potencia de superunión de 500 V ~ 900 V, IGBT de parada de campo de compuerta de trinchera de 600 V ~ 1350 V, la tecnología central relevante ha obtenido una serie de autorizaciones de patentes y las cuatro series de productos han sido reconocidas como productos de alta tecnología en la provincia de Jiangsu.

Semipoder

Xi'an Semipower Electronic Technology Co., Ltd. se fundó en 2008. Es una empresa de alta tecnología que integra I+D, producción y ventas. Sus productos incluyen una gama completa de MOSFET, IGBT, diodos, módulos de puente y circuitos integrados de gestión de energía de bajo y alto voltaje. Su sede se encuentra en Xi'an y cuenta con un laboratorio provincial clave, el Centro de Pruebas y Aplicaciones de Dispositivos de Potencia de Xi'an Semiconductor.

Semipower ha desarrollado dispositivos de potencia IGBT de 1200 V/900 V/650 V desde 2016, y sus indicadores de rendimiento han alcanzado el rendimiento técnico de productos extranjeros similares. Actualmente, sus productos IGBT de la serie FS de 600 V/1200 V se utilizan en lotes en fuentes de alimentación industriales, los IGBT de 450 V son adecuados para aplicaciones de lámparas de destello y de encendido, y los productos de la serie IGBT de 1200 V/3300 V con proceso NPT son adecuados para la industria automotriz.

fabricar

Hua Hong Grace

Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. es una empresa de reciente creación fruto de la fusión de las antiguas Shanghai Huahong NEC Electronics Co., Ltd. y Shanghai Grace Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Es la primera empresa del mundo en ofrecer transistores bipolares de puerta aislada con parada de campo (FS IGBT) con tecnología de producción en masa en una planta de fabricación de chips de circuitos integrados de 8 pulgadas.

Hua Hong Grace ha producido con éxito en masa IGBT sin perforación (NPT) de 1200 V desde 2011. En 2013, se fabricaron en masa IGBT FS de 600 V-1200 V, y posteriormente se lanzaron las versiones de 600 V, 1200 V y 1200 V con varias unidades cooperativas. , 1700 V y otros procesos de dispositivos IGBT, resolvieron con éxito los problemas clave de los procesos IGBT, como la deformación de las obleas de silicio y la capacidad de procesamiento posterior. Se informa que Huahong Hongli es actualmente la única fundición de obleas en China que cuenta con un conjunto completo de tecnología de procesamiento posterior para IGBT y está acelerando la investigación y el desarrollo de la tecnología IGBT de ultraalta tensión de 6500 V.

Shanghái Avanzado

Shanghai Advanced Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., anteriormente Shanghai Philips Semiconductor Co., Ltd., empresa conjunta chino-neerlandesa fundada en 1988, cuenta con líneas de producción de obleas de 5, 6 y 8 pulgadas, especializadas en la fabricación de circuitos analógicos y dispositivos de potencia. Desde 2004, ofrece servicios de fundición de IGBT nacionales e internacionales.

Shanghai Advanced estableció la línea de proceso de IGBT de lado trasero en China en 2008, con capacidades completas de proceso IGBT, incluyendo IGBT frontal, posterior y de prueba. El rango de voltaje de IGBT/FRD abarca 650 V, 1200 V, 1700 V, 3300 V, 4500 V y 6500 V. Las capacidades incluyen PT, NPT, Field Stop, así como IGBT planares y de trinchera. Su fábrica de 6 pulgadas se centra en plataformas de proceso IGBT planares y FRD, con voltajes que van de 1200 V a 6500 V, y sus fábricas de 8 pulgadas se centran en plataformas de proceso IGBT de trinchera Field Stop, con voltajes que van de 450 V a 1700 V.

SMIC

SMIC es una empresa de fabricación de circuitos integrados con la tecnología más completa, las instalaciones de soporte más completas, la operación multinacional y de mayor escala en China continental, que proporciona tecnología y fundición de chips de 0.35 micrones a 28 nanómetros de 8 y 12 pulgadas.

Según el sitio web oficial de SMIC, su plataforma IGBT se estableció desde 2015, centrándose en la última generación de estructura IGBT de parada de campo, utilizando la tecnología de procesamiento posterior más avanzada y convencional de la industria, incluido el proceso de adelgazamiento de la parte posterior Taiko, el proceso de grabado por método húmedo, la implantación de iones, el recocido láser de la parte posterior y el proceso de deposición de metal de la parte posterior, etc., han completado la investigación y el desarrollo independientes de un conjunto completo de tecnología de corte de campo + oblea + zanja profunda y, en consecuencia, lanzaron 600 V ~ 1200 V y otros procesos de dispositivos, los parámetros técnicos pueden alcanzar el nivel líder en la industria.

Fundador de Microelectrónica

Shenzhen Founder Microelectronics Co., Ltd. fue fundada en 2003 por Founder Group y otros inversores, centrándose en proporcionar a los clientes dispositivos discretos de potencia (como DMOS, IGBT, SBD y FRD) y circuitos integrados de potencia (como BiCMOS, BCD y HV CMOS) y otros campos de la tecnología de fabricación de obleas.

Según la introducción en el sitio web oficial, Founder Microelectronics cuenta con dos líneas de producción de obleas de 6 pulgadas con una capacidad de producción mensual de 60,000 obleas. Además, se prevé que la capacidad de producción mensual alcance las 80,000 unidades en el futuro. Los IGBT actualmente admiten IGBT Trench PT de 430 V y 600 V, IGBT Planar NPT de 1200 V y 1700 V, entre otros procesos.

Recursos de China Shanghua

Wuxi China Resources Shanghua Technology Co., Ltd. es una filial de China Resources Microelectronics Co., Ltd., responsable del negocio de semiconductores de China Resources Group. CR Shanghua ofrece a sus clientes una amplia gama de tecnologías de fabricación de obleas, incluyendo BCD, señal mixta, CMOS de alto voltaje, RFCMOS, NVM integrado, BiCMOS, lógica, MOSFET, IGBT, SOI, MEMS, bipolar y otros procesos estándar, además de una serie de plataformas de procesos químicos personalizados.

Según el sitio web oficial, China Resources Shanghua cuenta con la línea de fundición de 6 pulgadas y una línea de fundición de 8 pulgadas más grandes de China, con una capacidad de producción mensual de más de 110,000 piezas para la línea de producción de 6 pulgadas. Se prevé una capacidad de producción mensual total de 60,000 piezas, y la tecnología de proceso se actualizará a 0.11 micras. En cuanto a los IGBT, China Resources Shanghua anunció en 2012 la finalización del desarrollo de la plataforma de proceso IGBT Planar NPT de 600 V y 1700 V, y la plataforma de proceso IGBT Trench PT de 600 V.

módulo

Estrella Jiaxing

Jiaxing Star Semiconductor Co., Ltd. se fundó en abril de 2005. Es una empresa nacional de alta tecnología especializada en la investigación, el desarrollo, la producción y la venta de componentes semiconductores de potencia, especialmente módulos IGBT. Sus principales productos son componentes semiconductores de potencia. Dispositivos como IGBT, MOSFET, IPM, FRD, SiC, etc., han desarrollado con éxito cerca de 600 módulos IGBT, con niveles de tensión que van de 100 V a 3300 V y niveles de corriente que van de 10 A a 3600 A.

En términos de tecnología, Jiaxing Star ha desarrollado una gama completa de chips IGBT de compuerta planar tipo NPT de 1200 V y una gama completa de chips IGBT de compuerta de trinchera de 650 V, 750 V, 1200 V y 1700 V, solucionando el problema del adelgazamiento, incluyendo obleas de 8 pulgadas. Tecnología, tecnología de implantación de iones de alta energía en la parte posterior, tecnología de activación por recocido láser en la parte posterior, tecnología de formación de trinchera por compuerta de trinchera y otras tecnologías de proceso clave. Los datos muestran que, en 2017, la cuota de mercado de Jiaxing Star en el sector de los módulos IGBT ocupó el noveno lugar a nivel mundial.

Energía central

Shenzhen Xinneng Semiconductor Technology Co., Ltd. se fundó en 2013. Cuenta con la inversión conjunta de Shenzhen Zhengxuan Technology, la Comisión de Supervisión y Administración de Activos Estatales de Shenzhen, el Fondo de Innovación para Talentos de Shenzhen, Fortune Ventures, Fangguang Capital, Xiamen Falcon y otras instituciones de renombre. Se dedica a la investigación, el desarrollo, la aplicación y la venta de chips IGBT, chips controladores IGBT y módulos de potencia inteligentes de alta potencia.

Actualmente, Xinneng se centra en productos IGBT de potencia media y baja de 600 V y 1200 V, y cuenta con una gama completa de productos en cuatro campos: IGBT de tubo único, IPM, módulo IGBT y HVIC. Su rendimiento es líder en China. Sus productos se utilizan ampliamente en inversores industriales, servoaccionamientos, electrodomésticos con inversor, cocinas de inducción, fuentes de alimentación industriales, soldadoras con inversor y otros sectores. Para productos de potencia media y alta, Xinneng también ofrece soluciones integrales: el módulo de potencia IGBT inteligente EconoDUAL de 650 V/450 A y 1200 V/450 A, el módulo de 34 mm, el módulo de 62 mm y otros productos han sido ampliamente reconocidos por los clientes finales.

Xi'an Yongdian

Xi'an CRRC Yongdian Electric Co., Ltd. se fundó en 2005. Es una empresa de alta tecnología, propiedad al XNUMX % de CRRC Yongji Electric Co., Ltd., especializada en la investigación, el desarrollo, la producción, la venta y el servicio técnico de productos electrónicos de potencia. Sus principales productos incluyen módulos IGBT, módulos IPM, rectificadores, tiristores, componentes combinados y otros dispositivos semiconductores de potencia, así como convertidores, módulos de potencia, rectificadores de tierra para ferrocarriles urbanos, dispositivos de conducción unidireccional para metro, cargadores y otros dispositivos.

En diciembre de 2011, el Departamento Provincial de Industria y Tecnología de la Información de Shaanxi organizó la reunión de evaluación de nuevas tecnologías del nuevo módulo IGBT de 6500 V/600 A, 3300 V/1200 A y 1700 V/1200 A de Xi'an Yongdian en el Centro de I+D Yongji de la Zona de Desarrollo Económico y Tecnológico de Xi'an (CNR). Los expertos asistentes coincidieron en que los parámetros técnicos de sus módulos IGBT de 6500 V/600 A, 3300 V/1200 A y 1700 V/1200 A han alcanzado el nivel avanzado internacional, y que el índice de productos de 6500 V/600 A ha alcanzado el nivel nacional, por lo que aprobaron la evaluación provincial de nuevos productos.

Macrotecnología

Jiangsu Hongwei Technology Co., Ltd. se estableció en agosto de 2006, con base en la industria de componentes electrónicos de potencia, el alcance comercial incluye diseño, investigación y desarrollo, producción y ventas de nuevos chips semiconductores de potencia, dispositivos y módulos discretos, como FRED, VDMOS, chips IGBT, dispositivos discretos, módulos estándar y módulos personalizados (CSPM), y brindan diseño modular, fabricación y soluciones de sistemas para dispositivos electrónicos de potencia de alta eficiencia y ahorro de energía.

En 2018, Macro Micro Technology y BAIC New Energy establecieron el laboratorio conjunto de IGBT Macro Micro-BAIC New Energy, con el objetivo de desarrollar conjuntamente la industria de controladores de motores, desde el diseño de chips hasta el diseño y empaquetado de módulos, y finalmente, el diseño y la cadena de producción de controladores de motores. El informe anual de Macro Micro Technology muestra que, en 2018, el volumen de sus módulos IGBT para vehículos eléctricos aumentó gradualmente en la industria SVG, y que los productos personalizados también comenzaron a venderse en lotes.

Weihai Xinjia

Weihai Xinjia Electronics Co., Ltd. se estableció en 2004 con un capital registrado de 20 millones de yuanes. Es una empresa nacional de alta tecnología que se especializa en el diseño, investigación y desarrollo, producción y venta de nuevos dispositivos electrónicos de potencia y sus productos completos de aplicación.

Weihai Xinjia es una de las unidades redactoras de la norma nacional IGBT y la norma industrial de relés de estado sólido de CA. También participa en el proyecto especial de la Comisión Nacional de Desarrollo y Reforma para la industrialización de nuevos dispositivos electrónicos de potencia, el proyecto del fondo para el desarrollo electrónico del Ministerio de Industria y Tecnología de la Información y muchos otros proyectos a nivel nacional, provincial y ministerial.

Microelectrónica Yinmao

Nanjing Yinmao Microelectronics Manufacturing Co., Ltd. se estableció en noviembre de 2007 y es la sociedad holding de Jiangsu Yinmao (Holdings) Group Co., Ltd. Según el sitio web oficial, el proyecto de la primera fase de la empresa se dedica principalmente a la investigación y desarrollo, fabricación y venta de nuevos módulos electrónicos de potencia con derechos de propiedad intelectual independientes, dispositivos electrónicos de circuitos híbridos de alta confiabilidad totalmente herméticos y semiherméticos y componentes centrales de tecnología de convertidores a gran escala. Tiene una capacidad de producción anual de 650,000 módulos de potencia de uso general y más de 100,000 módulos de alta potencia y alto voltaje. Actualmente es una de las bases de producción de módulos de potencia electrónicos más grandes de China.

El 14 de junio de 2019, encargado por el Departamento de Ciencia y Tecnología de Jiangsu y la Oficina de Ciencia y Tecnología de Nanjing, la Oficina de Ciencia y Tecnología del Distrito de Lishui organizó a Yinmao Microelectronics para llevar a cabo el proyecto "Centro de investigación de tecnología de ingeniería de módulos IGBT de alta potencia de Jiangsu" y pasó la aceptación.

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