Línea directa de servicio
Noticias
Noticias
Módulo de potencia IGBT
2022-03-17
255
Módulo de fuente de alimentación IGBT
El módulo de potencia IGBT es un módulo de potencia compuesto por transistores bipolares de puerta aislada (IGBT).
??Debido a que el módulo IGBT es una estructura MOSFET, la puerta del IGBT está aislada eléctricamente del emisor por una película de óxido, lo que tiene un excelente rendimiento del dispositivo. Es ampliamente utilizado en servomotores, convertidores de frecuencia, electrodomésticos de frecuencia variable y otros campos.
El IGBT es un módulo de potencia avanzado de tercera generación con una frecuencia de trabajo de 1 a 20 kHz. Se utiliza principalmente para el inversor de bucle principal y todos los circuitos inversores de convertidores de frecuencia, es decir, para la conversión de CC a CA. Los ejemplos incluyen vehículos eléctricos, servocontroladores, UPS, fuentes de alimentación conmutadas, fuentes de alimentación para helicópteros, trolebuses, etc. Con una historia de más de diez años, casi ha reemplazado a todos los demás dispositivos de energía, como scr.gto, gtr, mosfet, transistor bipolar Darlington y otras aplicaciones de baja frecuencia. La potencia puede alcanzar 1 mw, el voltaje de un solo componente puede alcanzar 4.okv (estructura pt) -6.5 kv (estructura npt) y la corriente puede alcanzar 1.5 ka. Es un módulo de potencia ideal.
El módulo de potencia IGBT es un módulo de potencia compuesto por transistores bipolares de puerta aislada (IGBT).
El IGBT es un módulo de potencia avanzado de tercera generación con una frecuencia de trabajo de 1 a 20 kHz. Se utiliza principalmente para el inversor de bucle principal y todos los circuitos inversores de convertidores de frecuencia, es decir, para la conversión de CC a CA. Los ejemplos incluyen vehículos eléctricos, servocontroladores, UPS, fuentes de alimentación conmutadas, fuentes de alimentación para helicópteros, trolebuses, etc. Con una historia de más de diez años, casi ha reemplazado a todos los demás dispositivos de energía, como scr.gto, gtr, mosfet, transistor bipolar Darlington y otras aplicaciones de baja frecuencia. La potencia puede alcanzar 1 mw, el voltaje de un solo componente puede alcanzar 4.okv (estructura pt) -6.5 kv (estructura npt) y la corriente puede alcanzar 1.5 ka. Es un módulo de potencia ideal.
Teléfono de la empresa: +86-0755-83044319
Fax/fax:+86-0755-83975897
Correo electrónico: 1615456225@qq.com
Pregunta: 3518641314 Gerente Li
Pregunta: 332496225 Gerente Qiu A
Dirección: Sala 809, Bloque C, Edificio de Tecnología Zhantao, Avenida Minzhi No.1079, Nuevo Distrito Longhua, Shenzhen
Recomendaciones relacionadas
Entrevista exclusiva con Li Gang de Yunfan Ruida: La precisión de los productos de radar de ondas milimétricas y la calidez humana.
2026-07-22
395
¡Nos vemos el año que viene! | Resumen de los mejores momentos de Electronica China 2026 de Slkor
2026-07-14
461
粤公网安备44030002007346号