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Este diodo rectificador de recuperación ultrarrápida US1DF se presenta en un encapsulado SMAF de montaje superficial. Ofrece una tensión inversa máxima repetitiva (VRRM) de 200 V y una corriente rectificada directa promedio máxima (IF(AV)) de 1 A a una temperatura de la carcasa de 125 °C. Su caída de tensión directa instantánea máxima (VF) es de 1.3 V con una corriente directa de 1 A. El tiempo de recuperación inversa máximo (trr) de 75 ns proporciona un rendimiento de conmutación de alta velocidad. Presenta una corriente inversa de CC máxima (IR) de 5 μA a una temperatura ambiente de 25 °C bajo la tensión de bloqueo de CC nominal. La capacitancia de unión típica es de 15 pF, adecuada para diseños de circuitos de alta frecuencia. El dispositivo puede operar en un rango de temperatura de unión de -55 °C a +150 °C.
Los procesos de fabricación chinos han pasado por años de iteración, lo que ha dado como resultado tecnologías maduras y confiables. Muchas corporaciones internacionales optan por subcontratar la producción en China. Como fabricante de componentes electrónicos en China, nuestros productos pueden reemplazar completamente a los de las principales marcas internacionales en el 99% de las aplicaciones sin necesidad de realizar pruebas de verificación. Nuestros productos cuentan con una alta consistencia en calidad, precios razonables, amplio inventario, suministro flexible, plazos de entrega cortos y servicio postventa profesional.
Este diodo rectificador de recuperación ultrarrápida US1DF se presenta en un encapsulado SMAF de montaje superficial. Ofrece una tensión inversa máxima repetitiva (VRRM) de 200 V y una corriente rectificada directa promedio máxima (IF(AV)) de 1 A a una temperatura de la carcasa de 125 °C. Su caída de tensión directa instantánea máxima (VF) es de 1.3 V con una corriente directa de 1 A. El tiempo de recuperación inversa máximo (trr) de 75 ns proporciona un rendimiento de conmutación de alta velocidad. Presenta una corriente inversa de CC máxima (IR) de 5 μA a una temperatura ambiente de 25 °C bajo la tensión de bloqueo de CC nominal. La capacitancia de unión típica es de 15 pF, adecuada para diseños de circuitos de alta frecuencia. El dispositivo puede operar en un rango de temperatura de unión de -55 °C a +150 °C.
● Para aplicaciones montadas en superficie
● Paquete SMAF de perfil bajo
● Unión de chips pasivados con vidrio
● Fácil de recoger y colocar
● Alta eficiencia
● Sin plomo conforme a las directivas UE RoHS 2011/65/UE
● Sistemas de alimentación: Ideales para su uso en unidades de alimentación y circuitos rectificadores de media onda.
● Circuitos de conmutación: Adecuados para aplicaciones de conmutación de alta velocidad que requieren un rendimiento de recuperación ultrarrápido.
● Protección contra sobretensiones: Protege los componentes electrónicos sensibles contra transitorios de voltaje inverso.
● Electrónica de uso general: Se utiliza en diversos circuitos de consumo e industriales que requieren rectificadores SMT compactos.













