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Diese ultraschnelle US1DF-Gleichrichterdiode ist im SMAF-Gehäuse (Surface Mount Formfaktor) erhältlich. Sie zeichnet sich durch eine maximale Sperrspannung (VRRM) von 200 V und einen maximalen mittleren Vorwärtsgleichstrom (IF(AV)) von 1 A bei einer Gehäusetemperatur von 125 °C aus. Der maximale momentane Spannungsabfall (VF) beträgt 1.3 V bei einem Vorwärtsstrom von 1 A. Die maximale Sperrverzögerungszeit (trr) von 75 ns ermöglicht ein schnelles Schaltverhalten. Der maximale Gleichstrom-Sperrstrom (IR) beträgt 5 μA bei einer Umgebungstemperatur von 25 °C und der Nennsperrspannung. Die typische Sperrschichtkapazität liegt bei 15 pF und eignet sich für Hochfrequenzschaltungen. Das Bauteil kann im Sperrschichttemperaturbereich von -55 °C bis +150 °C betrieben werden.
Chinesische Herstellungsprozesse haben jahrelange Iterationen durchlaufen, was zu ausgereiften und zuverlässigen Technologien geführt hat. Viele internationale Unternehmen entscheiden sich für das Outsourcing der Produktion nach China. Als Hersteller elektronischer Komponenten in China können unsere Produkte die Produkte großer internationaler Marken in 99 % der Anwendungen vollständig ersetzen, ohne dass eine Prüfung erforderlich ist. Unsere Produkte zeichnen sich durch hohe Qualitätskonsistenz, angemessene Preise, große Lagerbestände, flexible Versorgung, kurze Lieferzeiten und professionellen Kundendienst aus.
Diese ultraschnelle US1DF-Gleichrichterdiode ist im SMAF-Gehäuse (Surface Mount Formfaktor) erhältlich. Sie zeichnet sich durch eine maximale Sperrspannung (VRRM) von 200 V und einen maximalen mittleren Vorwärtsgleichstrom (IF(AV)) von 1 A bei einer Gehäusetemperatur von 125 °C aus. Der maximale momentane Spannungsabfall (VF) beträgt 1.3 V bei einem Vorwärtsstrom von 1 A. Die maximale Sperrverzögerungszeit (trr) von 75 ns ermöglicht ein schnelles Schaltverhalten. Der maximale Gleichstrom-Sperrstrom (IR) beträgt 5 μA bei einer Umgebungstemperatur von 25 °C und der Nennsperrspannung. Die typische Sperrschichtkapazität liegt bei 15 pF und eignet sich für Hochfrequenzschaltungen. Das Bauteil kann im Sperrschichttemperaturbereich von -55 °C bis +150 °C betrieben werden.
● Für Oberflächenmontage
● Flaches SMAF-Gehäuse
● Glaspassivierte Chipverbindung
● Einfach zu entnehmen und zu platzieren
● Hohe Effizienz
● Bleifrei gemäß EU-RoHS-Richtlinie 2011/65/EU
● Stromversorgungssysteme: Ideal für den Einsatz in Netzteilen und Halbwellengleichrichterschaltungen.
● Schaltkreise: Geeignet für Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen, die eine ultraschnelle Wiederherstellungsleistung erfordern.
● Überspannungsschutz: Schützt empfindliche elektronische Bauteile vor Rückspannungsspitzen.
● Allgemeine Elektronik: Wird in verschiedenen Verbraucher- und Industrieschaltungen eingesetzt, die kompakte SMT-Gleichrichter erfordern.













