شرایط رسانایی FET از نوع افزایش دهنده کانال P این است که پتانسیل دروازه کمتر از پتانسیل تخلیه باشد.

هر چه پتانسیل دروازه کمتر از پتانسیل تخلیه باشد، تمایل بیشتری به هدایت دارد. به طور کلی کمتر از پتانسیل تخلیه 15 ولت را می توان به طور کامل روشن کرد. اگر اختلاف ولتاژ خیلی زیاد باشد، خرابی گیت رخ می دهد. برای خاموش کردن، پتانسیل دروازه را به سمت تخلیه بکشید.

ترانزیستور اثر میدان اتصال فقط (نوع تخلیه) دارد. لوله MOS دارای (نوع افزایش) و (نوع تخلیه) است.

نوع ارتقاء: هیچ کانال رسانایی بین تخلیه و منبع زمانی که UGS=0V است وجود ندارد، و یک کانال رسانا ممکن است تنها زمانی ظاهر شود که UGS> ولتاژ روشن (N-channel) یا UGS< ولتاژ روشن (P-channel) ظاهر شود.

حالت تخلیه: وقتی UGS=0V، یک کانال رسانا بین تخلیه و منبع وجود دارد.

ترانزیستورهای اثر میدانی به دو کانال N و کانال P تقسیم می شوند. شرایط روشن شدن آنها چگونه است؟

همه آنها متکی به اضافه کردن ولتاژ ماشه به قطب G برای هدایت قطب N و D هستند. ولتاژ قطب G کانال N + قطبیت است. ولتاژ قطب G به کانال P - قطبیت است. 1. برای مادربرد، لوله‌های فیلد معمولی 3055، 15n03، 45n03، 60n03، و 70n03 2، 3 هستند. قطب s، مقدار مقاومت حدود 500 اهم وجود دارد. 4. در مورد تعویض، شیار n با شیار n جایگزین می شود، شیار p با شیار p جایگزین می شود و بهتر است از همان مدل یا قدرت بالاتر برای تعویض استفاده کنید (عموما یدکی اولیه برای تعمیر مادربرد مدل 60n03 است)