La condition de conduction du FET de type à amélioration de canal P est que le potentiel de grille est inférieur au potentiel de drain.

Plus le potentiel de grille est inférieur au potentiel de drain, plus il a tendance à conduire. Généralement inférieur au potentiel de drain, 15 V peut être entièrement activé. Si la différence de tension est trop importante, un claquage de grille se produira. Pour l'éteindre, ramenez le potentiel de la grille vers le drain.

Le transistor à effet de champ à jonction a uniquement (type à appauvrissement) ; le tube MOS a (type d'amélioration) et (type d'épuisement).

Type d'amélioration : il n'y a pas de canal conducteur entre le drain et la source lorsque UGS = 0 V, et un canal conducteur peut apparaître uniquement lorsque UGS > tension d'activation (canal N) ou UGS < tension d'activation (canal P).

Mode d'épuisement : Lorsque UGS=0V, il existe un canal conducteur entre le drain et la source.

Les transistors à effet de champ sont divisés en canal N et canal P. Quelles sont leurs conditions d’activation ?

Ils reposent tous sur l’ajout d’une tension de déclenchement au pôle G pour rendre conducteurs les pôles N et D. La tension au pôle G du canal N est de polarité +. La tension du pôle G sur le canal P est de polarité. 1. Pour la carte mère, les tubes de terrain couramment utilisés sont 3055, 15n03, 45n03, 60n03 et 70n03 2, 3. Pour faire simple, le cordon de test noir est connecté au pôle D, le cordon de test rouge est connecté au pôle D. Au pôle, il y a une valeur de résistance d'environ 500 ohms. 4. Quant au remplacement, la rainure n est remplacée par la rainure n, la rainure p est remplacée par la rainure p, et il est préférable d'utiliser le même modèle ou une puissance supérieure pour remplacer (généralement, la pièce de rechange de base pour la réparation la carte mère est le modèle 60n03)