Warunki przewodzenia tranzystora FET ze wzmocnieniem kanału P polegają na tym, że potencjał bramki jest niższy niż potencjał drenu.

Im bardziej potencjał bramki jest niższy niż potencjał drenu, tym bardziej ma on tendencję do przewodzenia. Generalnie można w pełni włączyć napięcie niższe niż potencjał drenu 15 V. Jeżeli różnica napięć jest zbyt duża, nastąpi awaria bramki. Aby wyłączyć, należy wyciągnąć potencjał bramki z powrotem do odpływu.

Tranzystor polowy złącza ma tylko (typ wyczerpania); lampa MOS ma (typ wzmocnienia) i (typ wyczerpania).

Typ wzmocnienia: Pomiędzy drenem a źródłem nie ma kanału przewodzącego, gdy UGS=0V, a kanał przewodzący może pojawić się tylko wtedy, gdy UGS> napięcie włączenia (kanał N) lub UGS< napięcie włączenia (kanał P).

Tryb wyczerpania: Gdy UGS = 0 V, pomiędzy drenem a źródłem znajduje się kanał przewodzący.

Tranzystory polowe dzielą się na kanał N i kanał P. Jakie są warunki ich włączenia?

Wszystkie polegają na dodaniu napięcia wyzwalającego do bieguna G, aby biegun N i biegun D przewodziły. Napięcie na biegunie G kanału N wynosi + polaryzacja. Napięcie na biegunie G do kanału P wynosi - polaryzacja. 1. W przypadku płyty głównej powszechnie stosowane lampy polowe to 3055, 15n03, 45n03, 60n03 i 70n03 2, 3. Mówiąc prościej, czarny przewód pomiarowy jest podłączony do bieguna d, czerwony przewód pomiarowy jest podłączony do na biegunie, rezystancja wynosi około 500 omów. 4. Jeśli chodzi o wymianę to rowek n zastępuje się rowkiem n, rowek p zastępuje się rowkiem p, a do wymiany najlepiej zastosować ten sam model lub o większej mocy (ogólnie jest to podstawowy zamiennik do naprawy płyta główna to model 60n03)