A condição de condução do FET do tipo aprimoramento do canal P é que o potencial da porta é menor que o potencial de dreno.

Quanto mais o potencial de comporta for menor que o potencial de dreno, mais ele tende a conduzir. Geralmente inferior ao potencial de drenagem de 15V pode ser totalmente ligado. Se a diferença de tensão for muito grande, ocorrerá uma quebra do portão. Para desligar, puxe o potencial do portão de volta para o dreno.

O transistor de efeito de campo de junção possui apenas (tipo de esgotamento); o tubo MOS possui (tipo de aprimoramento) e (tipo de esgotamento).

Tipo de aprimoramento: Não há canal condutor entre o dreno e a fonte quando UGS=0V, e um canal condutivo pode aparecer apenas quando UGS> tensão de ativação (canal N) ou UGS<tensão de ativação (canal P).

Modo de esgotamento: Quando UGS=0V, existe um canal condutor entre o dreno e a fonte.

Os transistores de efeito de campo são divididos em canal N e canal P. Quais são as condições de ativação?

Todos eles dependem da adição de uma tensão de disparo ao pólo G para fazer com que o pólo N e o pólo D conduzam. A tensão para o pólo G do canal N é de polaridade +. A tensão do pólo G para o canal P é - polaridade. 1. Para a placa-mãe, os tubos de campo comumente usados ​​são 3055, 15n03, 45n03, 60n03 e 70n03 2, 3. Para simplificar, o cabo de teste preto é conectado ao pólo d, o cabo de teste vermelho é conectado ao s pólo, há um valor de resistência de cerca de 500 ohms. 4. Quanto à substituição, a ranhura n é substituída pela ranhura n, a ranhura p é substituída pela ranhura p, e é melhor usar o mesmo modelo ou uma potência superior para substituir (geralmente, a peça sobressalente básica para reparo a placa-mãe é o modelo 60n03)