Actualités de l'industrie mondiale des semi-conducteurs

1. L'approvisionnement en boues DSTI de la Fab1 a été suspendu (référence : M2701505, AGC-TW). Les usines de fabrication de plaquettes concernées ne disposent actuellement que d'environ 267 barils en stock, ce qui devrait permettre d'alimenter la ligne de production pendant environ cinq mois.

2. Microsoft, Amazon, Meta Platforms, Alphabet et Tesla sont en concurrence pour construire des centres de données d’IA et dominer cette technologie émergente.

3. Intel a déclaré que l'application du processus 18A d'Intel dans les produits internes devrait se développer de manière significative.

4. Samsung prévoit de lancer son processus 2 nm de troisième génération d'ici deux ans.

5. Du 30 juin 2025 au 5 juillet 2025, kinghelm (www.kinghelm.net) / Slkor (www.slkoric.com) « Star of the Week » est le directeur du magasin direct Huaqiangbei de Slkor, Huang Xiang, avec une récompense d'entreprise de 300 RMB.

6. IBM cherche à établir un partenariat à long terme avec le fabricant de puces japonais Rapidus pour développer conjointement des puces inférieures à 1 nm.

Actualités de l'industrie chinoise des semi-conducteurs

1. Au 30 juin 2025, les fabricants de panneaux tels que BOE, Huike et TCL CSOT ont investi plus de 220 milliards de yuans au total, avec une production impliquant des technologies d'affichage telles que LCD, OLED, Mini LED, Micro LED et papier électronique.

2. Le projet d'un milliard de yuans pour l'assemblage et le test de serveurs GPU de Hanhai Semiconductor s'est officiellement installé dans la zone de développement économique et technologique de Xiaoshan.

3. Six projets ont officiellement signé des contrats à Nanjing Lishui, avec un investissement total d'environ 4 milliards de yuans, couvrant des industries émergentes telles que les écrans optoélectroniques, l'information électronique et les vêtements intelligents.

4. Récemment, Futehua Industrial (Shenzhen) Co., Ltd. a investi 232 millions de yuans dans Qingdao Xinhui Core Technology Co., Ltd.

5. L'ensemble d'entraînement électrique 800 V, équipé du circuit de commande principal MOSFET SiC 1200 V 16 mΩ de première génération développé par Xinyuneng, est sorti de la chaîne de production avec succès. Ce circuit est intégré au module de puissance V2P de Xinyuneng.

6. GJ Semiconductor a récemment finalisé un tour de financement de série A+ de près de 100 millions de yuans.