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MOSFET de puissance à canal P SL403 TO-252-3
Le SL403 est un MOSFET à canal P hautes performances. Il est conçu pour assurer une commutation fiable et une amplification linéaire dans diverses applications électroniques. Ses excellentes performances électriques et sa capacité de gestion de puissance élevée en font un choix idéal pour de nombreuses applications.
Marché
Le SL403 est un MOSFET à canal P hautes performances. Il est conçu pour assurer une commutation fiable et une amplification linéaire dans diverses applications électroniques. Ses excellentes performances électriques et sa capacité de gestion de puissance élevée en font un choix idéal pour de nombreuses applications.
Caractéristiques électriques
Tension drain-source (Vdss) : -30 V ; Courant de drain continu (Id) : -70 A ; Résistance à l’état passant (RDS(on)@Vgs,Id) : 5.1 mΩ à -20 V, -20 A ; Tension de seuil de grille (Vgs(th)@Id) : 2.5 V à -250 µA
Emballage et broches
Le SL403 est disponible en boîtier TO-252-3 avec les broches suivantes : Drain (D) : connecté au potentiel positif. Grille (G) : commande l’activation du MOSFET. Source (S) : connectée à la charge et à la masse.
Avantages du produit
- Large compatibilité : Convient à une vaste gamme d'applications électroniques. - Tenue en tension élevée : Adapté aux systèmes d'alimentation et à la commande de moteurs. - Forte capacité de gestion de puissance : Gère de manière fiable les applications à courant et puissance élevés. - Faible résistance à l'état passant : Minimise les pertes par conduction et améliore l'efficacité énergétique. - Faible tension de seuil de grille : Facilite la commande à basse tension et garantit un rendement élevé.
Domaines d'application
Le SL403 est largement utilisé dans : - La conception d'alimentations : notamment les alimentations à découpage et les adaptateurs secteur. - La commande de moteurs : pour le contrôle de différents types de moteurs. - L'électronique automobile : pour la gestion et le contrôle de l'alimentation dans les systèmes électroniques automobiles.
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Longévité
Le Programme de Longévité vise à informer régulièrement nos clients sur la durée de disponibilité de nos produits. Ce programme est régulièrement revu et mis à jour par notre direction. Consultez notre Programme de Longévité ici.
IRF9317TR MOSFET d'amélioration du canal P SOP-8
Marque: slkor， Package： SOP-8 VDSS(V)： -30V Id(A)： -15A RDSON(Ω)： 8mΩ@-10V, -10A VTH： -1.6V@250μA P/N： P-Channel
IRLML6401 MOSFET de puissance canal P SOT-23
Marque: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 1μA RDSON(Ω)： 70mΩ@4.5V VTH： 10V P/N： P-Channel
IRLML6402 MOSFET de puissance canal P SOT-23
Marque: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -3.7A RDSON(Ω)： 0.05Ω@-4.5V, -3.7A VTH： -0.55V P/N： P-Channel
MOSFET SOT-2 d'amélioration de canal N 3019SK523
Marque: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10A VTH： 0.8V@100μA P/N： N-Channel
MOSFET SOT-20 d'amélioration du canal N BSN23
Marque: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 3A RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 1.5V@250μA P/N： N-Channel
MOSFET SOT-205 d'amélioration du canal N BSS23N
Marque: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.5A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.5A VTH： 0.7V@11μA P/N： N-Channel
MOSFET SOT-2301 d'amélioration de canal P SL23D
Marque: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -2.3A RDSON(Ω)： 95mΩ@-4.5V,-2.5A VTH： -0.62V@-250μA P/N： P-Channel
MOSFET SOT-2302 d'amélioration du canal N SL23D
Marque: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： -2.5A RDSON(Ω)： 50mΩ@4.5V,2.5A VTH： 0.7V@250μA P/N： N-Channel
MOSFET SOT-2302 d'amélioration du canal N SL23S
Marque: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.6A RDSON(Ω)： 85mΩ@4.5V,2.6A VTH： 1.5V@250μA P/N： N-Channel
MOSFET SOT-2304 d'amélioration du canal N SL23
Marque: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 3.3A RDSON(Ω)： 60mΩ@10V，3.2A VTH： 3V@250μA P/N： N-Channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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