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MOSFET di potenza a canale P SL403 TO-252-3
L'SL403 è un MOSFET a canale P ad alte prestazioni. È progettato per fornire commutazione affidabile e amplificazione lineare per una varietà di applicazioni elettroniche. Le sue eccellenti prestazioni elettriche e l'elevata capacità di gestione della potenza lo rendono la scelta ideale per numerose applicazioni.
Panoramica
L'SL403 è un MOSFET a canale P ad alte prestazioni. È progettato per fornire commutazione affidabile e amplificazione lineare per una varietà di applicazioni elettroniche. Le sue eccellenti prestazioni elettriche e l'elevata capacità di gestione della potenza lo rendono la scelta ideale per numerose applicazioni.
Caratteristiche elettriche
Tensione drain-source (Vdss): -30V Corrente di drain continua (Id): -70A Resistenza allo stato attivo (RDS(on)@Vgs,Id): 5.1 mΩ @ -20V, -20A Tensione di soglia del gate (Vgs(th)@Id): 2.5V @ -250 μA
Confezione e spille
L'SL403 è disponibile in un package TO-252-3 con i seguenti pin: Drain (D): collegato al potenziale positivo. Gate (G): controlla l'accensione del MOSFET. Source (S): collegato al carico e alla massa.
Vantaggi del prodotto
- Ampia compatibilità: adatto a una vasta gamma di applicazioni elettroniche. - Elevata capacità di tenuta alla tensione: applicabile a scenari che includono sistemi di alimentazione e controllo motori. - Elevata capacità di gestione della potenza: gestisce in modo affidabile applicazioni ad alta corrente e alta potenza. - Bassa resistenza allo stato attivo: minimizza le perdite di conduzione e migliora l'efficienza energetica. - Bassa tensione di soglia del gate: facilita il controllo a bassa tensione e l'alta efficienza.
Campi di applicazione
L'SL403 è ampiamente utilizzato in: - Progettazione di alimentatori: inclusi alimentatori switching e adattatori di potenza. - Azionamenti per motori: per il controllo di vari tipi di motori. - Elettronica automobilistica: per la gestione e il controllo dell'alimentazione nei sistemi elettronici automobilistici.
Nome
Titolo
Descrizione
Datasheet
Assistenza
Assistenza
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Longevità
Il Programma Longevità ha lo scopo di fornire periodicamente ai nostri clienti informazioni sulla durata prevista di conservazione dei nostri prodotti. Il Programma Longevità viene rivisto e aggiornato regolarmente dal nostro team dirigenziale. Consulta il nostro Programma Longevità qui.
2SK3018 MOSFET di potenza a canale N SOT-23
Brand: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 100mA RDSON(Ω)： 7.5mΩ@10V,400mA VTH： 2V@100uA P/N： N-Channel
2SK3018W MOSFET di potenza a canale N SOT-323
Brand: slkor， Package： SOT-323 VDSS(V)： 30V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 8Ω@10V,3A VTH： 1.5V@250μA P/N： N-Channel
2SK3019 MOSFET di potenziamento a canale N SOT-523
Brand: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10A VTH： 0.8V@100μA P/N： N-Channel
FDN327N MOSFET di potenza a canale N SOT-23
Brand: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.0A VTH： 0.7V@250uA P/N： N-Channel
FDV301N MOSFET di potenza a canale N SOT-23
Brand: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 25V Id(A)： 0.22A RDSON(Ω)： 4Ω@4.5V,0.4A VTH： 0.8V@250uA P/N： N-Channel
IRLML6401 MOSFET di potenza a canale P SOT-23
Brand: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 1μA RDSON(Ω)： 70mΩ@4.5V VTH： 10V P/N： P-Channel
IRLML6402 MOSFET di potenza a canale P SOT-23
Brand: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -3.7A RDSON(Ω)： 0.05Ω@-4.5V, -3.7A VTH： -0.55V P/N： P-Channel
MOSFET SOT-4606 con potenziamento del canale N+P SL8A
Brand: slkor， Package： SOT-8 VDSS(V)： 30V Id(A)： 6A RDSON(Ω)： 19mΩ@10V,5.6A VTH： 1.5V@250μA P/N： N+P-Channel
MOSFET di potenza a canale N e canale P SL420NPD TO-252-4
Brand: slkor， Package： TO-252-4 VDSS(V)： 40V Id(A)： 1μA VTH： 1.5V P/N： N-Channel and P-Channel
MOSFET di potenza a canale P FDN336P SOT-23
Brand: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -1.3A RDSON(Ω)： 105mΩ@-4.5V,-1.3A VTH： -0.7V@-250uA P/N： P-Channel
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SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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