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SL403 MOSFET de potência do canal P TO-252-3
O SL403 é um MOSFET de canal P de alto desempenho. Ele foi projetado para fornecer comutação confiável e amplificação linear para uma variedade de aplicações eletrônicas. Seu excelente desempenho elétrico e alta capacidade de gerenciamento de potência o tornam uma escolha ideal para diversas aplicações.
Visão geral
O SL403 é um MOSFET de canal P de alto desempenho. Ele foi projetado para fornecer comutação confiável e amplificação linear para uma variedade de aplicações eletrônicas. Seu excelente desempenho elétrico e alta capacidade de gerenciamento de potência o tornam uma escolha ideal para diversas aplicações.
Características elétricas
Tensão dreno-fonte (Vdss): -30V Corrente de dreno contínua (Id): -70A Resistência no estado ligado (RDS(on)@Vgs,Id): 5.1 mΩ @ -20V, -20A Tensão de limiar de porta (Vgs(th)@Id): 2.5V @ -250 μA
Pacote e alfinetes
O SL403 vem em um encapsulamento TO-252-3 com os seguintes pinos: Dreno (D): Conectado ao potencial positivo. Porta (G): Controla a ativação do MOSFET. Fonte (S): Conectada à carga e ao terra.
Vantagens do produto
- Ampla compatibilidade: Adequado para uma ampla gama de aplicações eletrônicas. - Alta capacidade de suportar tensão: Aplicável a cenários como sistemas de alimentação e controle de motores. - Alta capacidade de gerenciamento de potência: Lida de forma confiável com aplicações de alta corrente e alta potência. - Baixa resistência no estado ligado: Minimiza a perda por condução e melhora a eficiência energética. - Baixa tensão de limiar de porta: Facilita o controle de baixa tensão e alta eficiência.
Campos de Aplicação
O SL403 é amplamente utilizado em: - Projeto de fontes de alimentação: incluindo fontes de alimentação chaveadas e adaptadores de energia. - Acionamento de motores: para controlar diversos tipos de motores. - Eletrônica automotiva: para gerenciamento e controle de energia em sistemas eletrônicos automotivos.
Nome
Título
Descrição
Ficha de dados
Suporte
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Longevidade
O Programa de Longevidade visa fornecer aos nossos clientes informações periódicas sobre o prazo previsto para a disponibilidade dos nossos produtos. O Programa de Longevidade é revisto e atualizado regularmente pela nossa Equipa de Gestão Executiva. Consulte o nosso Programa de Longevidade aqui.
2SK3018 MOSFET de potência de canal N SOT-23
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 100mA RDSON(Ω)： 7.5mΩ@10V,400mA VTH： 2V@100uA P/N： N-Channel
2SK3018W MOSFET de potência de canal N SOT-323
Marcas: slkor， Package： SOT-323 VDSS(V)： 30V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 8Ω@10V,3A VTH： 1.5V@250μA P/N： N-Channel
2SK3019 MOSFET de aprimoramento de canal N SOT-523
Marcas: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10A VTH： 0.8V@100μA P/N： N-Channel
FDN302P MOSFET SOT-23 de aprimoramento de canal P
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -2.4A RDSON(Ω)： 44mΩ@-4.5V, -2.4A VTH： -1V@-250μA P/N： P-Channel
FDN304P MOSFET SOT-23 de aprimoramento de canal P
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -2.4A RDSON(Ω)： 36mΩ@-4.5V, -2.4A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P-Channel
FDN306P MOSFET SOT-23 de aprimoramento de canal P
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -12V Id(A)： -2.6A RDSON(Ω)： 30mΩ@-4.5V, -2.6A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P-Channel
FDN327N MOSFET de potência de canal N SOT-23
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.0A VTH： 0.7V@250uA P/N： N-Channel
FDN336P Canal P MOSFET SOT-23
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -1.3A RDSON(Ω)： 105mΩ@-4.5V,-1.3A VTH： -0.7V@-250uA P/N： P-Channel
FDN337N MOSFET SOT-23 de aprimoramento de canal N
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 2.2A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.2A VTH： 0.9V@250μA P/N： N-Channel
FDN338P MOSFET SOT-23 de aprimoramento de canal P
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -1.6A RDSON(Ω)： 75mΩ@-4.5V, -1.6A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P-Channel
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As linhas de produtos da SLKOR incluem dispositivos discretos, como diodos, transistores e dispositivos de potência; e circuitos integrados, como reguladores lineares, conversores DC/DC, chips de interface, sensores Hall, conversores analógico-digitais (ADCs) e sistemas de gerenciamento de bateria (BMS). Possuímos anos de tecnologia acumulada em semicondutores dedicados.
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