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MMBT589 Transistor bipolaire PNP SOT-23
Le MMBT589 est un transistor de commutation PNP en silicium épitaxié, encapsulé en boîtier CMS SOT-23. Il est conçu pour la commutation de courants élevés et la gestion de charges dans les applications électroniques portables et alimentées par batterie. Ce composant présente un gain en courant continu élevé, une faible tension de saturation et une large plage de fonctionnement sécuritaire, supportant un courant de collecteur continu jusqu'à 1 A et un courant de crête jusqu'à 2 A.
Nos avantages
- Capacité de courant élevée jusqu'à 1 A en continu / 2 A en crête pour la gestion de la charge des appareils portables
- Faible tension de saturation pour un rendement élevé et de faibles pertes de puissance
- Puce épitaxiale planaire pour des performances électriques stables et une bonne homogénéité
- Boîtier SOT-23 compact, idéal pour les appareils électroniques portables à espace restreint.
- Conception sans plomb conforme aux normes environnementales mondiales
- Large plage de températures de fonctionnement pour une utilisation industrielle et domestique fiable
- Conditionnement en bande et bobine prêt pour l'assemblage CMS à grande vitesse
Description
Le MMBT589 est un transistor de commutation PNP en silicium épitaxié, encapsulé en boîtier CMS SOT-23. Il est conçu pour la commutation de courants élevés et la gestion de charges dans les applications électroniques portables et alimentées par batterie. Ce composant présente un gain en courant continu élevé, une faible tension de saturation et une large plage de fonctionnement sécuritaire, supportant un courant de collecteur continu jusqu'à 1 A et un courant de crête jusqu'à 2 A.
Fonctionnalités
- transistor de commutation à courant élevé PNP
- Construction de matrices planaires épitaxiales
- Boîtier de montage en surface SOT-23
- Disponible sans plomb
- Courant de collecteur continu : IC = −1.0 A ; Courant de crête : ICM = −2.0 A
- Faible VCE(sat) pour un rendement élevé
- VCBO = −50 V, VCEO = −30 V, VEBO = −5 V
- Dissipation de puissance : PC = 0.31 W
- Fréquence de transition : fT = 100 MHz (typ.)
- Température de jonction/stockage : −55℃ à +150℃
Applications
- Gestion de la charge des appareils électroniques portables
- Commutation de l'alimentation des équipements alimentés par batterie
- circuits de commande d'appareils mobiles
- audio portable et électronique grand public
- modules de commande portables industriels
- Applications de commutation PNP à courant élevé
- Systèmes de gestion de l'énergie basse tension
Nom
Titre
Description
Fiche technique
Support
Transistor bipolaire PNP SS30101-Q, boîtier SOT-23
Marque: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 310mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： −1.0A
Transistor bipolaire NPN 2SD2098-R, boîtier SOT-89
Marque: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 310mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： −1.0A
Transistor bipolaire NPN MMDT4401, boîtier SOT-363
Marque: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 310mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： −1.0A
Transistor bipolaire PNP 2SC4373-Y, boîtier SOT-89
Marque: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 310mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： −1.0A
Transistor bipolaire NPN 2SC2757 T33, boîtier SOT-23
Marque: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 310mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： −1.0A
Transistor bipolaire PNP 2SC2881-Y, boîtier SOT-89
VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 310mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： −1.0A
MMDT5551 Transistor bipolaire NPN SOT-363
Marque: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 310mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： −1.0A
Transistor bipolaire NPN M28S, boîtier SOT-23
Marque: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 310mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： −1.0A
Transistor bipolaire NPN MMBT2222AT, boîtier SOT-523
Marque: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 310mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： −1.0A
Transistor bipolaire PNP MMBT2907AT, boîtier SOT-523
Marque: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 310mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： −1.0A
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Les gammes de produits de SLKOR incluent des dispositifs discrets, etc., diodes, transistors, dispositifs de puissance ; et des puces de circuits intégrés, etc., régulateurs linéaires, puces DC/DC, puces d'interface, capteurs à effet Hall, CAN et BMS... Nous avons des années de technologie accumulée sur les semi-conducteurs dédiés.
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