Nossas Vantagens
- Alta capacidade de corrente de até 1A contínuo / 2A de pico para gerenciamento de carga de dispositivos portáteis.
- Baixa tensão de saturação para alta eficiência e baixa perda de potência.
- Chip planar epitaxial para desempenho elétrico estável e boa consistência.
- Pacote SOT-23 compacto, ideal para eletrônicos portáteis com espaço limitado.
- Design sem chumbo em conformidade com os padrões ambientais globais.
- Ampla faixa de temperatura operacional para uso industrial e doméstico confiável.
- Pacote em fita e carretel pronto para montagem SMT de alta velocidade
Descrição
O MMBT589 é um transistor de comutação de silício epitaxial PNP em encapsulamento SOT-23 para montagem em superfície. Ele foi projetado para comutação de alta corrente e gerenciamento de carga em aplicações eletrônicas portáteis e alimentadas por bateria. O dispositivo apresenta alto ganho de corrente CC, baixa tensão de saturação e uma ampla faixa de operação segura, suportando até 1A de corrente contínua no coletor e 2A de corrente de pico.
CARATERÍSTICAS
- Transistor de comutação de alta corrente PNP
- Construção de matriz plana epitaxial
- Pacote de montagem em superfície SOT‑23
- Disponível sem chumbo
- Corrente contínua do coletor: IC = −1.0 A; Pico: ICM = −2.0 A
- Baixo VCE(sat) para alta eficiência
- VCBO = −50V, VCEO = −30V, VEBO = −5V
- Dissipação de energia: PC = 0.31 W
- Frequência de transição: fT = 100MHz (típ.)
- Temperatura de junção/armazenamento: −55℃ a +150℃
Aplicações
- gerenciamento de carga de dispositivos eletrônicos portáteis
- Comutação de energia para equipamentos alimentados por bateria
- Circuitos de acionamento de dispositivos móveis
- Áudio portátil e eletrônicos de consumo
- módulos de controle portáteis industriais
- Aplicações de comutação PNP de alta corrente
- Sistemas de gerenciamento de energia de baixa tensão