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MMBT589 PNP-Bipolartransistor SOT-23
Der MMBT589 ist ein epitaktischer PNP-Silizium-Schalttransistor im SOT-23-Gehäuse für die Oberflächenmontage. Er ist für das Schalten hoher Ströme und das Lastmanagement in batteriebetriebenen und tragbaren Elektronikgeräten konzipiert. Das Bauteil zeichnet sich durch eine hohe Gleichstromverstärkung, eine niedrige Sättigungsspannung und einen großen sicheren Arbeitsbereich aus und unterstützt einen kontinuierlichen Kollektorstrom von bis zu 1 A und einen Spitzenstrom von 2 A.
Unsere Vorteile
- Hohe Stromtreiberfähigkeit bis zu 1 A Dauerstrom / 2 A Spitzenstrom für das Lastmanagement tragbarer Geräte
- Niedrige Sättigungsspannung für hohen Wirkungsgrad und geringe Verlustleistung
- Epitaxialer Planarchip für stabile elektrische Leistung und gute Konsistenz
- Kompaktes SOT-23-Gehäuse, ideal für platzsparende tragbare Elektronikgeräte
- Bleifreies Design, das den globalen Umweltstandards entspricht
- Breiter Betriebstemperaturbereich für zuverlässigen industriellen und privaten Einsatz
- Gurtverpackung, bereit für die Hochgeschwindigkeits-SMT-Bestückung
Beschreibung
Der MMBT589 ist ein epitaktischer PNP-Silizium-Schalttransistor im SOT-23-Gehäuse für die Oberflächenmontage. Er ist für das Schalten hoher Ströme und das Lastmanagement in batteriebetriebenen und tragbaren Elektronikgeräten konzipiert. Das Bauteil zeichnet sich durch eine hohe Gleichstromverstärkung, eine niedrige Sättigungsspannung und einen großen sicheren Arbeitsbereich aus und unterstützt einen kontinuierlichen Kollektorstrom von bis zu 1 A und einen Spitzenstrom von 2 A.
Funktionen
- PNP-Hochstrom-Schalttransistor
- Epitaktische Planarchipkonstruktion
- SOT-23 Oberflächenmontagegehäuse
- Bleifrei erhältlich
- Kontinuierlicher Kollektorstrom: IC = −1.0 A; Spitze: ICM = −2.0 A
- Niedrige Sättigungsspannung (VCE(sat)) für hohe Effizienz
- VCBO = −50 V, VCEO = −30 V, VEBO = −5 V
- Verlustleistung: PC = 0.31 W
- Übergangsfrequenz: fT = 100 MHz (typ.)
- Sperrschicht-/Lagertemperatur: −55℃ bis +150℃
Anwendungen
- Lastmanagement für tragbare elektronische Geräte
- Stromversorgung von batteriebetriebenen Geräten
- Treiberschaltungen für mobile Geräte
- Tragbare Audio- und Unterhaltungselektronik
- Industrielle tragbare Steuermodule
- Hochstrom-PNP-Schaltanwendungen
- Niederspannungs-Energiemanagementsysteme
Name
Titel
Beschreibung
Datenblatt
Support
SS30101-Q PNP-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 310mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： −1.0A
2SD2098-R NPN-Bipolartransistor SOT-89
Marke: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 310mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： −1.0A
MMDT4401 NPN-Bipolartransistor SOT-363
Marke: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 310mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： −1.0A
2SC4373-Y PNP-Bipolartransistor SOT-89
Marke: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 310mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： −1.0A
2SC2757 T33 NPN Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 310mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： −1.0A
2SC2881-Y PNP-Bipolartransistor SOT-89
VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 310mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： −1.0A
MMDT5551 NPN-Bipolartransistor SOT-363
Marke: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 310mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： −1.0A
M28S NPN-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 310mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： −1.0A
MMBT2222AT NPN-Bipolartransistor SOT-523
Marke: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 310mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： −1.0A
MMBT2907AT PNP-Bipolartransistor SOT-523
Marke: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 310mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： −1.0A
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Die Produktlinien von SLKOR umfassen diskrete Bauelemente, wie Dioden, Transistoren, Leistungsbauelemente; und integrierte Schaltkreischips, wie Linearregler, DC/DC-Chips, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS... Wir verfügen über jahrelang angesammelte Technologie im Bereich dedizierter Halbleiter.
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