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Diode TVS 5.0SMDJ18A SMC
Le 5.0SMDJ18A est un suppresseur de tension transitoire (TVS) unipolaire à montage en surface appartenant à la série 5.0SMDJ. Il supporte une puissance de crête élevée de 5 000 W sous une forme d'onde de surtension de 10/1 000 µs. Son boîtier SMC (DO-214AB) à profil bas est conçu pour absorber les pics de tension et les surintensités instantanées provenant des lignes de câblage, offrant ainsi une protection unidirectionnelle fiable contre les surtensions pour les circuits sensibles et les équipements électroniques. Sa réponse ultrarapide et son faible courant de fuite garantissent une perte de puissance minimale en fonctionnement normal.
Description
Le 5.0SMDJ18A est un suppresseur de tension transitoire (TVS) unipolaire à montage en surface appartenant à la série 5.0SMDJ. Il supporte une puissance de crête élevée de 5 000 W sous une forme d'onde de surtension de 10/1 000 µs. Son boîtier SMC (DO-214AB) à profil bas est conçu pour absorber les pics de tension et les surintensités instantanées provenant des lignes de câblage, offrant ainsi une protection unidirectionnelle fiable contre les surtensions pour les circuits sensibles et les équipements électroniques. Sa réponse ultrarapide et son faible courant de fuite garantissent une perte de puissance minimale en fonctionnement normal.
Fonctionnalité
- Dissipation de puissance impulsionnelle de crête élevée : 5 000 W pour une forme d’onde de surtension de 10/1 000 µs
- Boîtier CMS extra-plat à faible inductance pour une absorption rapide des surtensions
- Temps de réponse ultra-rapide : généralement inférieur à 1.0 ps de 0 V à la tension de claquage minimale
- Courant de fuite inverse ultra-faible : IR ≤ 1 μA à la tension de blocage nominale
- Excellente capacité de limitation de tension pour limiter efficacement les surtensions.
- Boîtier en plastique moulé avec classe de résistance au feu UL94V-0, entièrement conforme à la directive RoHS
- Bornes plaquées brasées, compatibles avec la norme de brasage MIL-STD-750, méthode 2026
- Large plage de températures : température de jonction en fonctionnement -55℃ ~ +125℃ ; température de stockage -55℃ ~ +150℃
- Conditionnement standard en bande et bobine (3000 pièces par bobine de 13 pouces) pour la production automatisée CMS
- Spécifications électriques principales à 25 °C :
VRWM = 18.0 V, VBR = 20.00 V à 22.10 V à IT = 1 mA, IR ≤ 1 μA, VC = 29.2 V, IPP = 171.3 A
Nos avantages
- Capacité de protection contre les surtensions de 5000 W, très élevée, adaptée aux situations de forte surtension, contrairement aux diodes TVS SMA de faible puissance.
- Le boîtier SMC à faible inductance minimise la surtension lors des pics de tension.
- Réponse ultrarapide de l'ordre de la picoseconde, supprimant instantanément les décharges électrostatiques et les impulsions transitoires induites par la foudre.
- Un courant de fuite de l'ordre du microampère réduit considérablement la consommation d'énergie en veille des appareils alimentés par batterie.
- Son format compact et discret permet de gagner de la place sur le circuit imprimé, idéal pour les produits électroniques fins et miniaturisés.
- Le boîtier en plastique ignifugé conforme à la norme RoHS répond aux normes environnementales et de sécurité internationales.
- Performances électriques stables sur une large plage de températures, adaptables aux environnements industriels et extérieurs difficiles.
- L'emballage standard en bobines de bande prend en charge l'assemblage SMT haute vitesse entièrement automatisé pour améliorer l'efficacité de la production.
Caractéristiques mécaniques
- Type d'emballage : SMC (DO-214AB), plastique moulé par transfert
- Classement du boîtier : Ignifugé UL94V-0, conforme à la directive RoHS
- Bornes : plaquées soudure, soudables selon la norme MIL-STD-750, méthode 2026
- Identification de la polarité : La bande de couleur imprimée sur le boîtier indique la cathode (modèle unidirectionnel).
- Poids approximatif : 0.28 g par pièce
- Dimensions : Dimensions standard SMC (taille maximale indiquée en mm)
- Spécifications de la bande et de la bobine : 3 000 éléments par bobine de 13 pouces
- Température de jonction de fonctionnement : -55℃ ~ +125℃
- Température de stockage : -55℃ ~ +150℃
Applications
Cette diode TVS unidirectionnelle haute puissance est largement utilisée pour la protection contre les surtensions transitoires et les décharges électrostatiques dans divers produits électroniques :
- Systèmes informatiques et périphériques
- Appareils ménagers et domestiques
- ports d'entrée de signal vidéo
- Equipement de contrôle industriel
- Modules d'alimentation
- interfaces de câblage de communication
- circuits électroniques automobiles
- Dispositifs de surveillance de la sécurité
Nom
Objet
Description
Fiche technique
Assistance
Diode TV SLESD5302F-3TR
Marque: slkor， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 6V VBR max(V)： 8V IR(uA)： 0.5μA VC(V)： 17V Package： SOT-23
Diode TV SLESDL0603-12
Marque: slkor， VRWM(V)： 12V IR(uA)： 500nA VC(V)： 65V Package： 603
Diode TV SMAJ12CA DO-214AC
Marque: slkor， VRWM(V)： 12V VBR min(V)： 13.3V VBR max(V)： 14.7V IR(uA)： 5μA VC(V)： 19.9V Package： DO-214AC
Diode TV SMAJ14CA SMA
Marque: slkor， VRWM(V)： 14.0 V VBR min(V)： 15.60 V VBR max(V)： 17.9 V IR(uA)： 5.0μA VC(V)： 23.2 V Package： SMA
Diode TV SMAJ22CA SMA
Marque: slkor， VRWM(V)： 22V VBR min(V)： 24.4V VBR max(V)： 28V IR(uA)： 5μA VC(V)： 35.5V Package： SMA
Diode TV SMAJ24CA SMA
Marque: slkor， VRWM(V)： 24V VBR min(V)： 26.7V VBR max(V)： 29.5V IR(uA)： 5mA VC(V)： 38.9V Package： SMA
Diode TV SMAJ26CA SMA
Marque: slkor， VRWM(V)： 26V VBR min(V)： 28.9V VBR max(V)： 31.9V IR(uA)： 5.0μA VC(V)： 42.1V Package： SMA
Diode TV SMAJ30CA DO-214AC
Marque: slkor， VRWM(V)： 30V VBR min(V)： 33.3V VBR max(V)： 36.8V IR(uA)： 5μA VC(V)： 48.4V Package： DO-214AC
Diode TV SMAJ33CA DO-214AC
Marque: slkor， VRWM(V)： 33V VBR min(V)： 36.7V VBR max(V)： 40.6V IR(uA)： 5μA VC(V)： 53.3V Package： DO-214AC
Diode TV SMAJ6.8CA DO-214AC
Marque: slkor， VRWM(V)： 6.5V VBR min(V)： 7.22V VBR max(V)： 7.98V IR(uA)： 500μA VC(V)： 11.2V Package： DO-214AC
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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