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Diodes de commutation 1SS352 SOD-323
La 1SS352 est une diode à montage en surface à commutation rapide logée dans un boîtier miniature SOD-323, caractérisée par une faible tension directe, un temps de récupération inverse rapide et une faible capacité totale pour les applications de commutation de petits signaux à haute vitesse.
Description
La 1SS352 est une diode à montage en surface à commutation rapide logée dans un boîtier miniature SOD-323, caractérisée par une faible tension directe, un temps de récupération inverse rapide et une faible capacité totale pour les applications de commutation de petits signaux à haute vitesse.
Fonctionnalité
● Temps de récupération inverse rapide, typiquement 1.6 ns, max. 4 ns
● Caractéristique de faible tension directe
● Faible capacité totale aux bornes : max. 3 pF
● Tension inverse de crête non répétitive : 85 V
● Courant direct moyen : 100 mA
● Courant de surtension direct de crête non répétitif : 1 A à 10 ms
● Boîtier miniature SOD-323 pour montage en surface
● Dissipation de puissance : 200 mW
● Température de fonctionnement et de stockage : -55℃ ~ +150℃
Applications
● Circuits de commutation à faible signal à haute vitesse
● Limitation du signal et protection du circuit
● Conversion au niveau logique
● Électronique grand public portable haute densité
● Modules de commande électroniques compacts
● Circuits de traitement du signal haute fréquence
La 1SS352 est une diode à montage en surface à commutation rapide logée dans un boîtier miniature SOD-323, caractérisée par une faible tension directe, un temps de récupération inverse rapide et une faible capacité totale pour les applications de commutation de petits signaux à haute vitesse.
Fonctionnalité
● Temps de récupération inverse rapide, typiquement 1.6 ns, max. 4 ns
● Caractéristique de faible tension directe
● Faible capacité totale aux bornes : max. 3 pF
● Tension inverse de crête non répétitive : 85 V
● Courant direct moyen : 100 mA
● Courant de surtension direct de crête non répétitif : 1 A à 10 ms
● Boîtier miniature SOD-323 pour montage en surface
● Dissipation de puissance : 200 mW
● Température de fonctionnement et de stockage : -55℃ ~ +150℃
Applications
● Circuits de commutation à faible signal à haute vitesse
● Limitation du signal et protection du circuit
● Conversion au niveau logique
● Électronique grand public portable haute densité
● Modules de commande électroniques compacts
● Circuits de traitement du signal haute fréquence
Nom
Objet
Description
Fiche technique
Assistance
Diode de commutation haute vitesse BAV99 SOT-23
Marque: slkor， VRRM(V)： 75V IO(A)： 125mA VF(V)： 1V IR(uA)： 30nA trr(ns)： 4ns Package： SOT-23
Diode de commutation à montage en surface 1N4148WS SOD-323
Marque: slkor， VRRM(V)： 75V IO(A)： 150mA VF(V)： 1V IR(uA)： 1μA trr(ns)： 4ns Package： SOD-323
Diode de commutation à montage en surface BAS21H SOD-323
Marque: slkor， VRRM(V)： 250V IO(A)： 200mA VF(V)： 1V IR(uA)： 0.1μA trr(ns)： 50ns Package： SOD-323
Diode de commutation à montage en surface BAS316 SOT-323
Marque: slkor， VRRM(V)： 100V IO(A)： 150mA VF(V)： 1.25V IR(uA)： 25μA@20V trr(ns)： 4ns Package： SOT-323
Diode de commutation à montage en surface BAV19W SOD-123
Marque: slkor， VRRM(V)： 120V IO(A)： 200mA VF(V)： 1V IR(uA)： 0.1μA trr(ns)： 50ns Package： SOD-123
Diode de commutation à montage en surface BAV21W SOD-123
Marque: slkor， VRRM(V)： 250V IO(A)： 200mA VF(V)： 1.25V IR(uA)： 0.1μA trr(ns)： 50ns Package： SOD-123
Diode de commutation à montage en surface BAV70 SOT-23
Marque: slkor， VRRM(V)： 100V IO(A)： 200mA VF(V)： 1V IR(uA)： 25nA trr(ns)： 4ns Package： SOT-23
Diode de commutation à montage en surface MMBD4148, boîtier SOT-23
Marque: slkor， VRRM(V)： 100V IO(A)： 200mA VF(V)： 1V IR(uA)： 5μA trr(ns)： 4ns Package： SOT-23
Diode de commutation à montage en surface RS1M SMA
Marque: slkor， VRRM(V)： 1000V IO(A)： 1A VF(V)： 1.3V@1A IR(uA)： 5uA@1000V trr(ns)： 500ns Package： SMA
Diode de petit signal 1N4148WT SOD-523
Marque: slkor， VRRM(V)： 80V IO(A)： 100mA VF(V)： 1.25V IR(uA)： 100nA trr(ns)： 4ns Package： SOD-523
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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