2018 से, गैलियम नाइट्राइड प्रौद्योगिकी पर आधारित कई फास्ट-चार्जिंग चार्जर का बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू हो गया है, और गैलियम नाइट्राइड ने उपभोक्ता बिजली आपूर्ति क्षेत्र में आधिकारिक तौर पर व्यावसायिक उपयोग भी शुरू कर दिया है।

 

हाल ही में, गैलियम नाइट्राइड अर्धचालक सामग्री को आधिकारिक तौर पर "14वीं पंचवर्षीय योजना" में शामिल किया गया है, जिसका अर्थ है कि गैलियम नाइट्राइड उद्योग को इसके भविष्य के विकास में राष्ट्रीय स्तर से मजबूत समर्थन प्राप्त होगा, और इसकी संभावनाएं आशाजनक हैं।

 

गैलियम नाइट्राइड (GaN) तीसरी पीढ़ी का अर्धचालक पदार्थ है जो पारंपरिक सिलिकॉन (Si) तकनीक की तुलना में बीस गुना अधिक तेजी से काम करता है और तीन गुना अधिक शक्ति उत्पन्न कर सकता है। अत्याधुनिक फास्ट चार्जर उत्पादों में उपयोग किए जाने पर, यह मौजूदा उत्पादों से कहीं बेहतर प्रदर्शन कर सकता है और समान आकार में आउटपुट शक्ति को तीन गुना बढ़ा सकता है।

 

गैलियम नाइट्राइड की नई तकनीक के कई अनुप्रयोग हैं, जिनमें 5G संचार, कृत्रिम बुद्धिमत्ता, स्वायत्त ड्राइविंग, डेटा सेंटर, फास्ट चार्जिंग आदि शामिल हैं। इनमें से फास्ट चार्जिंग बाजार ने सबसे तेजी से विकास किया है और यह आम जनता के लिए उन्नत तकनीक का एक मानक अनुप्रयोग बन गया है। यह कहा जा सकता है कि प्रयोगशाला से लेकर बाजार तक, हर कोई नई तकनीक की सुविधा का आनंद ले रहा है; और फास्ट चार्जिंग की भारी मांग और आपूर्ति ने गैलियम नाइट्राइड तकनीक के निरंतर विकास को भी बढ़ावा दिया है। फास्ट चार्जिंग और गैलियम नाइट्राइड का मेल बिल्कुल सटीक है।

अपनी उत्कृष्ट कार्यक्षमता के कारण, पिछले दो वर्षों में फास्ट चार्जिंग स्रोतों में गैलियम नाइट्राइड तकनीक का तेजी से विकास हुआ है, इसकी लोकप्रियता में भी तेजी से वृद्धि हुई है और इसे अधिकाधिक ब्रांड ग्राहकों और उपभोक्ताओं द्वारा मान्यता प्राप्त हुई है। गैलियम नाइट्राइड फास्ट चार्जिंग के मुख्य उपकरण के रूप में, GaN पावर चिप्स हमेशा से ही सबका ध्यान आकर्षित करते रहे हैं।

चार्जिंग हेड नेटवर्क ने अपने दीर्घकालिक अनुसंधान के माध्यम से पाया है कि पिछले दो वर्षों में, उद्योग में GaN पावर चिप आपूर्तिकर्ताओं की संख्या भी शुरुआत में एक या दो से बढ़कर दस से अधिक हो गई है। आज का लेख आपको वर्तमान फास्ट चार्जिंग क्षेत्र में गैलियम नाइट्राइड पावर चिप्स के प्रमुख खिलाड़ियों की विस्तृत जानकारी प्रदान करने के लिए है।

कई निर्माता गैलियम नाइट्राइड पावर उपकरणों के बाजार में प्रवेश कर रहे हैं।

तेजी से बढ़ते चार्जिंग बाजार को देखते हुए, दुनिया भर में गैलियम नाइट्राइड पावर चिप के 16 आपूर्तिकर्ता हैं, जिनमें नवितस, पीआई, इनोसेक, इन्फिनियन, एसटीमाइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स, टेक्सास इंस्ट्रूमेंट्स, गांसिस्टेम्स, इकोमाइक्रो, जुनेन्ग चुआंगक्सिन, डोंगके सेमीकंडक्टर, नाइट्रोजन सिलिकॉन टेक्नोलॉजी, गैलियम फ्यूचर, क्यूक्सिन माइक्रो, ट्रांसफॉर्म, नेनघुआ और कोर क्राउन टेक्नोलॉजी शामिल हैं।

यह उल्लेखनीय है कि पिछले वर्ष सितंबर में सूज़ौ स्थित इनोसेक के तृतीय-पीढ़ी के सेमीकंडक्टर बेस में उपकरण स्थानांतरण समारोह आयोजित किया गया था। इसका अर्थ यह है कि सूज़ौ स्थित इनोसेक का तृतीय-पीढ़ी का सेमीकंडक्टर बेस अब फैक्ट्री निर्माण चरण से बड़े पैमाने पर उत्पादन की तैयारी के चरण में प्रवेश कर चुका है, जो विश्व के सबसे बड़े गैलियम नाइट्राइड कारखाने के आधिकारिक रूप से पूर्ण होने का प्रतीक है, और यह भी दर्शाता है कि चीन के पावर सेमीकंडक्टरों ने एक नए युग में प्रवेश कर लिया है।

 

चार्जिंग हेड नेटवर्क ने छँटाई के माध्यम से यह जाना कि वर्तमान में बाजार में उपलब्ध सीलबंद गैलियम नाइट्राइड चिप्स को निम्नलिखित चार प्रकारों में विभाजित किया जा सकता है:

नियंत्रक + ड्राइवर + GaN: यह दृष्टिकोण पावर चिप के पुराने ब्रांड PI द्वारा प्रस्तुत किया गया है। InSOP-24D पैकेजिंग पर आधारित, इसने दस से अधिक उच्च एकीकृत गैलियम नाइट्राइड चिप्स लॉन्च किए हैं जिनमें मुख्य नियंत्रण, गैलियम नाइट्राइड पावर डिवाइस, सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन कंट्रोलर आदि शामिल हैं। PowiGaN चिप्स कई ब्रांडों द्वारा पसंद किए गए हैं और पैकेजित गैलियम नाइट्राइड फास्ट चार्जिंग चिप्स के क्षेत्र में अग्रणी बन गए हैं।

इसके अलावा, स्थानीय आपूर्तिकर्ताओं में, डोंगके सेमीकंडक्टर ने गैलियम नाइट्राइड पावर डिवाइसों को पैकेज करने वाले दो मुख्य नियंत्रण चिप्स DKG045Q और DKG065Q को लॉन्च करने में अग्रणी भूमिका निभाई है, जिनकी अधिकतम आउटपुट क्षमता क्रमशः 45W और 65W है। सिस्टम लागत को कम करने और उत्पाद लॉन्च को गति देने में इन दोनों चिप्स के बहुत फायदे हैं, और उम्मीद है कि इनका बड़े पैमाने पर उत्पादन 2021 में शुरू हो जाएगा।

ड्राइवर + GaN: इस प्रकार के पैकेजित गैलियम नाइट्राइड पावर चिप का मुख्य उदाहरण नैनोविस सेमीकंडक्टर है। यह उद्योग में अंतर्निर्मित ड्राइवर वाले गैलियम नाइट्राइड पावर चिप को लॉन्च करने वाला पहला निर्माता है। अपने सुव्यवस्थित परिधीय डिजाइन के कारण इसने इंजीनियरों और बिजली आपूर्ति निर्माताओं का दिल जीत लिया है। 2020 के अंत तक, चिप की शिपमेंट 13 मिलियन से अधिक हो गई थी।

Driver+2*GaN: यह एक ड्यूल-ट्यूब हाफ-ब्रिज उत्पाद है जो दो गैलियम नाइट्राइड पावर डिवाइस और एक ड्राइवर को जोड़ता है। इसका एकीकरण स्तर पारंपरिक गैलियम नाइट्राइड पावर डिवाइसों की तुलना में कहीं अधिक है। ऐसे उत्पादों का उपयोग ACF आर्किटेक्चर और LLC आर्किटेक्चर वाले गैलियम नाइट्राइड फास्ट चार्जिंग उत्पादों में अधिक सुव्यवस्थित पेरिफेरल डिज़ाइन प्राप्त करने के लिए किया जाता है। वर्तमान में, NanoVis Semiconductor, Infineon और STMicroelectronics जैसी निर्माता कंपनियां इस प्रकार के पैकेजित गैलियम नाइट्राइड चिप्स विकसित करने की योजना बना रही हैं।

ड्राइवर + सुरक्षा + GaN: नैनोविस सेमीकंडक्टर ने हाल ही में गैलियम नाइट्राइड पावर चिप NV6128 की एक नई पीढ़ी लॉन्च की है, जिसमें GaN FET, ड्राइवर और लॉजिक सुरक्षा उपकरण एकीकृत हैं। गैलियम नाइट्राइड उपकरणों में सुरक्षा सर्किट जोड़ने और स्विचिंग ट्रांजिस्टर और लॉजिक सर्किट को एकीकृत करने से कम पैरासिटिक पैरामीटर और कम प्रतिक्रिया समय प्राप्त किया जा सकता है। यह चिप डिजिटल इनपुट और उच्च-प्रदर्शन पावर आउटपुट प्रदान कर सकती है, और पावर इंजीनियर इसके आधार पर तेज, छोटे और उच्च गति वाले पावर सप्लाई डिजाइन कर सकते हैं।

गैलियम नाइट्राइड चिप ब्रांड इन्वेंटरी

निम्नलिखित रैंकिंग किसी विशेष क्रम में नहीं हैं और पाठकों की सुविधा के लिए केवल ब्रांड के अनुसार वर्णानुक्रम में व्यवस्थित की गई हैं।

आर्क ऐकेवेई

 

आइको माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स उच्च शक्ति घनत्व वाले समग्र समाधानों के विकास पर केंद्रित है और इसका उद्देश्य उच्च शक्ति घनत्व वाले विद्युत प्रणालियों से उत्पन्न समस्याओं और बाधाओं को दूर करना है। हमारी मुख्य टीम को विद्युत अर्धचालक उद्योग में 20 वर्षों से अधिक का पेशेवर अनुभव है। निरंतर नवाचार, भविष्योन्मुखी प्रणाली संरचना और विद्युत उपकरणों तथा उच्च दक्षता वाली पैकेजिंग के गहन संयोजन के माध्यम से, हम बाजार की भविष्य की जरूरतों को पूरा करने के लिए उच्च गुणवत्ता, उच्च दक्षता और शुद्ध विद्युत प्रणालियाँ प्राप्त करते हैं।

AC/DC फास्ट चार्जिंग सॉल्यूशन में, Aiko Micro न केवल ओरिजिनल सेकेंडरी चिप्स लॉन्च करती है, बल्कि स्वतंत्र रूप से MOSFET पावर डिवाइस भी विकसित करती है। विभिन्न अनुप्रयोगों के लिए इलेक्ट्रॉनिक उत्पादों में उच्च पावर घनत्व की बढ़ती मांग को देखते हुए, हम निरंतर निवेश, नवाचार, अनुसंधान और विकास के लिए प्रतिबद्ध हैं और अपने साझेदारों के साथ मिलकर बाजार का नेतृत्व करने और भविष्य का निर्माण करने के लिए प्रयासरत हैं।

कोहेनियस ऊर्जा-केंद्रित कोर

 

क़िंगदाओ जुनेन्ग चुआंगशिन माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स कंपनी लिमिटेड की स्थापना जुलाई 2018 में हुई थी। कंपनी क़िंगदाओ अंतर्राष्ट्रीय नवाचार पार्क में स्थित है। यह मुख्य रूप से सिलिकॉन पर आधारित तीसरी पीढ़ी के अर्धचालक गैलियम नाइट्राइड (GaN) के अनुसंधान एवं विकास, डिजाइन, उत्पादन और बिक्री में लगी हुई है। इसका मुख्य उद्देश्य उद्योग को उच्च-प्रदर्शन, कम लागत वाले GaN पावर डिवाइस उत्पाद और तकनीकी समाधान प्रदान करना है।

जुनेन्ग चुआंगक्सिन उद्योग की अग्रणी GaN पावर डिवाइस और एप्लिकेशन डिज़ाइन तकनीक में महारत हासिल कर चुका है, और उद्योग के उत्कृष्ट संसाधनों को एकीकृत करके एक GaN डिवाइस विकास और एप्लिकेशन इकोसिस्टम बनाने के लिए प्रतिबद्ध है, जो PD फास्ट चार्जिंग, स्मार्ट होम अप्लायंसेज, क्लाउड कंप्यूटिंग, 5G संचार आदि के लिए स्थानीयकृत कोर कंपोनेंट सपोर्ट प्रदान करता है।

सूचीबद्ध कंपनी साई माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स (300456) और प्रतिष्ठित निवेश फंडों के समर्थन से, जुनेन्ग चुआंगक्सिन ने उद्योग में अग्रणी प्रबंधन और तकनीकी टीम का गठन किया है। उत्पाद विकास और बड़े पैमाने पर उत्पादन की प्रक्रिया में, हम हमेशा उच्च गुणवत्ता और उच्च विश्वसनीयता की आवश्यकताओं का पालन करते हैं। साझेदारों से व्यापक मान्यता प्राप्त करते हुए, यह धीरे-धीरे तीसरी पीढ़ी के सेमीकंडक्टर क्षेत्र में एक अंतरराष्ट्रीय स्तर पर ख्यातिप्राप्त कंपनी बन गई है।

उपभोक्ता बिजली आपूर्ति के क्षेत्र में, जुनेन्ग चुआंगक्सिन फास्ट चार्जिंग अनुप्रयोगों के लिए घरेलू GaN सामग्री और उपकरण प्रौद्योगिकी समाधान प्रदान करता है, और मौजूदा गैलियम नाइट्राइड बिजली उपकरणों के आधार पर नए 65W, 100W और 120W गैलियम नाइट्राइड फास्ट चार्जिंग संदर्भ डिजाइन लॉन्च करता है।

कोरएनर्जी नेनघुआ

 

जियांग्सू नेनघुआ माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स टेक्नोलॉजी डेवलपमेंट कंपनी लिमिटेड की स्थापना 2010 में संयुक्त राज्य अमेरिका में अध्ययन करके लौटे एक डॉक्टर द्वारा की गई थी। इस टीम में कई घरेलू और विदेशी पेशेवर शामिल हैं और यह उच्च-प्रदर्शन गैलियम नाइट्राइड एपिटैक्सी, वेफर्स, उपकरणों और मॉड्यूल के डिजाइन, अनुसंधान एवं विकास, उत्पादन, निर्माण और बिक्री में विशेषज्ञता रखने वाली एक उच्च-तकनीकी कंपनी है।

गैलियम नाइट्राइड (GaN) नई पीढ़ी के मिश्रित अर्धचालकों का एक प्रतिनिधि है। जियांग्सू नेनघुआ ने GaN पावर डिवाइस उत्पादन लाइन स्थापित की है। परियोजना का कुल नियोजित निवेश 5 अरब युआन है, जिसे किश्तों में निवेश किया जाएगा। पहले चरण का निवेश 1 अरब युआन से अधिक होने की उम्मीद है। कंपनी 2017 में झांगजियागांग राष्ट्रीय पुनर्निर्माण औद्योगिक पार्क में स्थानांतरित हुई। नया कारखाना 30,000 वर्ग मीटर क्षेत्र में फैला हुआ है और इसमें 10,000, 1,000 और 100 श्रेणी की धूल रहित कार्यशालाएं हैं, जो उन्नत उत्पादन उपकरणों और पेशेवर तकनीकी कर्मियों से सुसज्जित हैं।

DANXI नाइट्रोजन सिलिकॉन प्रौद्योगिकी

 

चेंगदू नाइट्रस सिलिकॉन टेक्नोलॉजी कंपनी लिमिटेड एक प्रौद्योगिकी कंपनी है जो तीसरी पीढ़ी के सेमीकंडक्टर गैलियम नाइट्राइड पावर डिवाइस और आईसी के अनुसंधान और विकास पर केंद्रित है। यह गैलियम नाइट्राइड पावर डिवाइस और उनके ड्राइवर चिप्स के डिजाइन, विकास, बिक्री और समाधान प्रदान करने पर ध्यान केंद्रित करती है। कंपनी के दोनों संस्थापकों को गैलियम नाइट्राइड क्षेत्र में 5 वर्षों से अधिक का प्रासंगिक अनुसंधान और विकास अनुभव है।

नाइट्रस सिलिकॉन टेक्नोलॉजी ने मार्च 2020 में चीन का पहला गैलियम नाइट्राइड अल्ट्रा-हाई-स्पीड ड्राइवर DX1001 जारी किया। उसी वर्ष अप्रैल में, इसने घरेलू स्तर पर बड़े पैमाने पर उत्पादन के लिए उपयुक्त 650V गैलियम नाइट्राइड पावर चिप्स DX6515/6510/6508 की एक विस्तृत श्रृंखला लॉन्च की, जो कंपनी के ड्राइवर चिप्स के साथ मिलकर पीडी फास्ट चार्जिंग उद्योग में प्रवेश करने के लिए तैयार की गई थीं।

यह उल्लेखनीय है कि नाइट्रस सिलिकॉन टेक्नोलॉजी ने उद्योग में सबसे छोटे आकार और सबसे अधिक ऊष्मा अपव्यय क्षमता वाले 650V/160mΩ गैलियम नाइट्राइड ट्रांजिस्टर का भी शुभारंभ किया है, जिससे गैलियम नाइट्राइड उद्योग में क्रांति आई है। मौजूदा गैलियम नाइट्राइड पावर उपकरणों के आधार पर, नाइट्रोजन सिलिकॉन टेक्नोलॉजी ने फास्ट चार्जिंग सोर्स इंजीनियरों की उत्पाद चयन आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए घरेलू स्तर पर GaN फास्ट चार्जिंग रेफरेंस डिजाइन के 4 सेट लॉन्च किए हैं।

डोंगके डोंगके

 

अनहुई डोंगके सेमीकंडक्टर कंपनी लिमिटेड की स्थापना 2009 में हुई थी और इसका मुख्यालय अनहुई प्रांत के माआनशान शहर में स्थित है। यह मुख्य रूप से स्विचिंग पावर सप्लाई चिप्स, सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन चिप्स, बक सर्किट पावर चिप्स और अन्य उत्पादों के अनुसंधान एवं विकास, उत्पादन और बिक्री में लगी हुई है। वैश्विक बाजार में बिक्री और तकनीकी सहायता के लिए इसने शेन्ज़ेन और वूशी में पूर्ण स्वामित्व वाली सहायक कंपनियां और एक भारतीय कंपनी भी स्थापित की है।

डोंगके सेमीकंडक्टर ने बीजिंग, किंगदाओ, वूशी और शेन्ज़ेन में अनुसंधान एवं विकास केंद्र स्थापित किए हैं। कई डॉक्टरेट की उपाधि प्राप्त कर्मचारी अनुसंधान एवं विकास कार्यों में लगे हुए हैं। अनहुई प्रांत के माआनशान में इसका 20,000 वर्ग मीटर का पैकेजिंग कार्यशाला और गुणवत्ता प्रयोगशाला है, जिसमें DIP-8/SOP-8/SM-7/SM-10/T O-220 और अन्य उत्पादों की पैकेजिंग क्षमताएं मौजूद हैं। डोंगके सेमीकंडक्टर के मुख्यालय में स्थापित माआनशान एकीकृत सर्किट राष्ट्रीय प्रयोगशाला में अनपैकिंग, विफलता विश्लेषण, मध्य-अवधि परीक्षण, डाइसिंग और चिप्स के उच्च और निम्न तापमान परीक्षण जैसी विभिन्न विश्लेषण क्षमताएं हैं, जो कंपनी के उत्पादों की गुणवत्ता और आपूर्ति की विश्वसनीय गारंटी प्रदान करती हैं।

फास्ट चार्जिंग के क्षेत्र में अनुप्रयोगों के लिए, डोंगके सेमीकंडक्टर ने गैलियम नाइट्राइड पावर डिवाइस को समाहित करने वाली उद्योग की पहली पावर चिप लॉन्च की, जो घरेलू गैलियम नाइट्राइड फास्ट चार्जिंग के विकास इतिहास में एक मील का पत्थर बन गई है।

GaN प्रणाली GaN प्रणाली

 

GaN Systems की स्थापना 2008 में कनाडा की राजधानी ओटावा में हुई थी। इसके संस्थापक Nortel में पूर्व वरिष्ठ पावर सेमीकंडक्टर विशेषज्ञ थे। कंपनी एनहांसमेंट-मोड गैलियम नाइट्राइड पावर डिवाइसों के विकास पर ध्यान केंद्रित करती है और उच्च प्रदर्शन, उच्च विश्वसनीयता वाले एनहांसमेंट-मोड सिलिकॉन-आधारित GaN HEMT पावर डिवाइस प्रदान करती है।

GaN Systems ने GaN चिप डिजाइन, GaNPx चिप-स्केल पैकेजिंग तकनीक और बाजार में उपलब्ध सबसे व्यापक 650V और 100V उत्पाद श्रृंखला का पेटेंट कराया है, जो कम-शक्ति वाले उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स से लेकर दसियों kW या उससे अधिक के औद्योगिक स्तर के बिजली आपूर्ति अनुप्रयोगों को कवर करती है।

GaN Systems एक फैबलेस मॉडल अपनाती है और विश्व स्तरीय फाउंड्री और सप्लाई चेन के साथ काम करती है। 2014 में उत्पाद का बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू होने के बाद से, इसने दुनिया भर में 2,000 से अधिक ग्राहकों को सेवा प्रदान की है। चीन, जापान, दक्षिण कोरिया, उत्तरी अमेरिका और यूरोप में इसकी बिक्री शाखाएं और एप्लिकेशन सपोर्ट मौजूद हैं। यह माना जाता है कि GaN Systems के गैलियम नाइट्राइड पावर चिप्स फिलिप्स की फास्ट चार्जिंग सप्लाई चेन में शामिल हो गए हैं।

GaNext गैलियम का भविष्य

 

झूहाई गैलियम फ्यूचर टेक्नोलॉजी कंपनी लिमिटेड की स्थापना अक्टूबर 2020 में हुई थी। कंपनी तीसरी पीढ़ी के सेमीकंडक्टर GaN-ऑन-Si उपकरणों में तकनीकी नवाचार और नेतृत्व के लिए प्रतिबद्ध है। उच्च प्रारंभिक स्तर और एक मजबूत टीम के माध्यम से, हम GaN प्रौद्योगिकी के स्थानीयकरण को साकार करेंगे, GaN उपकरण प्रौद्योगिकी की उन्नति को बढ़ावा देंगे और विद्युत प्रणालियों के नवीन डिजाइन के माध्यम से ऊर्जा का हरित और कुशल उपयोग सुनिश्चित करेंगे।

कंपनी की संस्थापक टीम में शेन्ज़ेन-हांगकांग स्कूल ऑफ माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स के प्रोफेसर यू होंग्यू और एक प्रसिद्ध अमेरिकी गैलियम नाइट्राइड कंपनी के अनुसंधान एवं विकास उपाध्यक्ष के नेतृत्व में GaN-ऑन-Si प्रौद्योगिकी/उद्योग के तीन वरिष्ठ विशेषज्ञ शामिल हैं। हुआवेई के GaN उद्योग के पूर्व सह-संस्थापक अपने संचित अनुभव के साथ प्रौद्योगिकी, विनिर्माण और बाजार के एक मजबूत संयोजन का निर्माण करने के लिए टीम में शामिल हुए हैं। परिपक्व और अग्रणी उत्पादों के माध्यम से, हम GaN प्रौद्योगिकी के स्थानीयकरण को बढ़ावा देंगे, चीन के विशाल विद्युत अनुप्रयोग बाजार और देश की तीसरी पीढ़ी के अर्धचालक उद्योग नीति के समर्थन पर निर्भर रहेंगे, गैलियम नाइट्राइड उद्योग के शिखर की ओर अग्रसर होंगे और देश के तीसरी पीढ़ी के अर्धचालक उद्योग लक्ष्यों में सफलता प्राप्त करने में योगदान देंगे।

GaNPower वॉल्यूम कोर माइक्रो

 

सूज़ौ लियांगक्सिन माइक्रो सेमीकंडक्टर कंपनी लिमिटेड, कनाडा की GaNPower International Inc. द्वारा चीन में पंजीकृत एक कंपनी है। GaNPower की स्थापना 2015 में कनाडा में हुई थी और इसका मुख्यालय वैंकूवर, कनाडा में है। GaNPower वैश्विक गैलियम नाइट्राइड पावर डिवाइस उद्योग में एक प्रसिद्ध कंपनी है। इसके वर्तमान उत्पादों में मुख्य रूप से विभिन्न करंट स्तरों और पैकेजिंग रूपों को कवर करने वाले उन्नत गैलियम नाइट्राइड पावर डिवाइस और गैलियम नाइट्राइड-आधारित पावर इलेक्ट्रॉनिक्स अनुप्रयोग समाधान शामिल हैं।

सूज़ौ लियांगक्सिन माइक्रो सेमीकंडक्टर कंपनी लिमिटेड ने 2019 में सूज़ौ औद्योगिक पार्क के 13वें जिंजी लेक विज्ञान और प्रौद्योगिकी अग्रणी प्रतिभा पुरस्कार का खिताब जीता; "गैलियम नाइट्राइड पावर डिवाइस और संबंधित औद्योगिक अनुप्रयोग" को एक प्रमुख सरकारी सहायता परियोजना के रूप में सूचीबद्ध किया गया था। कंपनी के गैलियम नाइट्राइड पावर डिवाइस उत्पादों ने उद्योग का प्रतिष्ठित पुरस्कार जीता: 2020 ASPENCORE चीन आईसी डिज़ाइन उपलब्धि पुरस्कार का वार्षिक पावर डिवाइस पुरस्कार। कंपनी के पास वर्तमान में 40 अमेरिकी और चीनी पेटेंट और आवेदन हैं।

खबरों के मुताबिक, लियुक्सिन माइक्रो सेमीकंडक्टर ने 650V गैलियम नाइट्राइड पावर डिवाइस लॉन्च किया है, जो 45W-300W फास्ट चार्जिंग के लिए उपयुक्त है।

मासूमियत

 

इनोसेक टेक्नोलॉजी कंपनी लिमिटेड की स्थापना दिसंबर 2015 में हुई थी। यह एक राष्ट्रीय उच्च-तकनीकी उद्यम है जो सिलिकॉन पर आधारित 8-इंच गैलियम नाइट्राइड पावर डिवाइस और रेडियो फ्रीक्वेंसी डिवाइस के विकास और उत्पादन के लिए समर्पित है। इनोसेक गैलियम नाइट्राइड पावर डिवाइस आईडीएम कंपनियों में से एक है जो दुनिया में सबसे अधिक अनुभवी है। इसके पास गैलियम नाइट्राइड क्षेत्र में सबसे अनुभवी टीम, उन्नत 8-इंच मशीन उपकरण और व्यवस्थित अनुसंधान एवं विकास गुणवत्ता नियंत्रण और विश्लेषण क्षमताएं हैं, जो इनोसेक को गैलियम नाइट्राइड उत्पादों की प्रथम श्रेणी की गुणवत्ता और प्रदर्शन के कारण बाजार में प्रतिस्पर्धात्मक लाभ प्रदान करती हैं।

2017 में विश्व की पहली 8-इंच एन्हांसमेंट-मोड GaN-ऑन-सिलिकॉन पावर डिवाइस मास प्रोडक्शन लाइन स्थापित करने के बाद से, Innosec ने 650V से कम वोल्टेज वाले विभिन्न प्रकार के GaN पावर डिवाइस जारी और बेचे हैं। इन उत्पादों के प्रदर्शन संकेतक अंतरराष्ट्रीय स्तर के उन्नत मानक तक पहुंच चुके हैं और इनका उपयोग फास्ट चार्जिंग, 5G संचार, कृत्रिम बुद्धिमत्ता, स्वायत्त ड्राइविंग, डेटा सेंटर आदि जैसे कई उभरते क्षेत्रों में व्यापक रूप से किया जा सकता है।

वर्तमान में, इनोसेक ने दुनिया की सबसे बड़ी गैलियम नाइट्राइड फैक्ट्री स्थापित की है। यूएसबी पीडी गैलियम नाइट्राइड फास्ट चार्जिंग बाजार में, इनोसेक के 650V उच्च-वोल्टेज गैलियम नाइट्राइड पावर डिवाइस नुबिया, मीज़ू, मोमैक्स और रॉक जैसे कई प्रसिद्ध ब्रांडों के उत्पादों में उपयोग किए जाते हैं। इनोसेक ने हाल ही में दूसरी पीढ़ी के इनो-गैन उत्पाद लॉन्च किए हैं, जिनका प्रदर्शन पिछली पीढ़ी की तुलना में काफी बेहतर है।

इसके अतिरिक्त, इनोसेक ने सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन, डीसी-डीसी वोल्टेज रूपांतरण, लेजर रडार और अन्य क्षेत्रों के लिए उपयुक्त विभिन्न प्रकार के कम वोल्टेज वाले GaN पावर डिवाइस भी लॉन्च किए हैं। वैश्विक बाजार में, इनोसेक उन चुनिंदा IDM चिप निर्माताओं में से एक है जिनके पास गैलियम नाइट्राइड के उच्च-वोल्टेज और निम्न-वोल्टेज उत्पादों की पूरी श्रृंखला उपलब्ध है।

इन्फिनियन इन्फिनियन

 

इंफिनियन टेक्नोलॉजीज एजी विश्व की अग्रणी सेमीकंडक्टर प्रौद्योगिकी कंपनी है। हम लोगों के जीवन को अधिक सुविधाजनक, सुरक्षित और पर्यावरण के अनुकूल बनाते हैं। इंफिनियन के माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक उत्पाद और समाधान आपको एक उज्ज्वल भविष्य की ओर ले जाएंगे। 2020 वित्तीय वर्ष (30 सितंबर को समाप्त) में, कंपनी की बिक्री 8.5 बिलियन यूरो थी और विश्व भर में लगभग 46,700 कर्मचारी कार्यरत थे। अप्रैल 2020 में, इंफिनियन ने साइप्रस सेमीकंडक्टर का अधिग्रहण आधिकारिक तौर पर पूरा किया और विश्व के शीर्ष दस सेमीकंडक्टर निर्माताओं में से एक बन गई।

इनफिनियन का पावर एंड सेंसिंग सिस्टम्स डिविजन पावर, कनेक्टिविटी, रेडियो फ्रीक्वेंसी (आरएफ) और सेंसिंग तकनीकों की एक विस्तृत श्रृंखला प्रदान करता है, जो चार्जिंग उपकरण, पावर टूल्स और लाइटिंग सिस्टम को छोटा और हल्का बनाने के साथ-साथ ऊर्जा दक्षता में सुधार करने में सक्षम बनाती है। सिलिकॉन-आधारित/वाइड-बैंडगैप सेमीकंडक्टर समाधानों (सिलिकॉन कार्बाइड/गैलियम नाइट्राइड) की नई पीढ़ी 5जी, बिग डेटा और नवीकरणीय ऊर्जा अनुप्रयोगों में अभूतपूर्व उत्कृष्ट प्रदर्शन और विश्वसनीयता लाएगी।

उच्च परिशुद्धता वाले XENSIV सेंसर समाधान IoT उपकरणों को मानवीय संवेदी क्षमताएं प्रदान करते हैं, जिससे ये उपकरण अपने परिवेश को महसूस कर सकते हैं और सहज रूप से प्रतिक्रिया दे सकते हैं। ऑडियो एम्पलीफायर उत्पाद पावर और सेंसिंग सिस्टम डिवीजन की उत्पाद श्रृंखला का विस्तार करते हैं, जिससे स्मार्ट स्पीकर और अन्य ऑडियो एप्लिकेशन उपकरण उत्कृष्ट ध्वनि गुणवत्ता का अनुभव प्रदान कर सकते हैं।

नविता

 

नवितस सेमीकंडक्टर विश्व की अग्रणी गैलियम नाइट्राइड पावर आईसी कंपनी है। 2014 में स्थापित और आयरलैंड में मुख्यालय वाली इस कंपनी के पास पावर सेमीकंडक्टर उद्योग में विशेषज्ञों की एक मजबूत और बढ़ती हुई टीम है। इसे सामग्री, उपकरण, अनुप्रयोग, सिस्टम, डिजाइन और विपणन में उद्योग-अग्रणी अनुभव प्राप्त है। कंपनी के संस्थापक के नाम 320 से अधिक पेटेंट हैं।

GaNFast पावर आईसीज़, GaN पावर (FETs) को ड्राइव, कंट्रोल और प्रोटेक्शन के साथ एकीकृत करते हैं, जिससे मोबाइल, उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स, एंटरप्राइज़, ई-मोबिलिटी और नए ऊर्जा बाज़ारों के लिए तेज़ चार्जिंग, उच्च पावर घनत्व और अधिक ऊर्जा बचत सुनिश्चित होती है। Navitas ने GaN उपकरणों, चिप डिज़ाइन, पैकेजिंग, अनुप्रयोगों और प्रणालियों के सभी पहलुओं में 120 से अधिक पेटेंट जारी किए हैं और उनके लिए आवेदन कर रही है। इसने 13 मिलियन से अधिक GaNFast गैलियम नाइट्राइड पावर आईसीज़ का उत्पादन पूरा कर लिया है और सफलतापूर्वक वितरित किया है, जिससे यह उत्पाद की गुणवत्ता और शिपमेंट मात्रा में विश्व में अग्रणी है।

हाल ही में, नैनोवी सेमीकंडक्टर ने गैलियम नाइट्राइड पावर चिप NV6128 की नवीनतम पीढ़ी लॉन्च की है, जिसमें अंतर्निहित ड्राइवर और सुरक्षा कार्यक्षमताएं हैं और यह उच्च-शक्ति वाले फास्ट चार्जिंग उत्पादों के लिए उपयुक्त है। अपने उत्कृष्ट उत्पाद प्रदर्शन के साथ, नैनोवी सेमीकंडक्टर Xiaomi, OPPO, Lenovo, Dell और LG जैसे कई प्रसिद्ध ब्रांडों के लिए गैलियम नाइट्राइड चिप्स का आपूर्तिकर्ता बन गया है और GaNFast चिप्स पर आधारित सौ से अधिक उत्पाद विकसित कर चुका है।

PI

 

पावर इंटीग्रेशंस उच्च-प्रदर्शन वाले इलेक्ट्रॉनिक घटकों और विद्युत समाधानों का आपूर्तिकर्ता है, जो उच्च-वोल्टेज विद्युत प्रबंधन और नियंत्रण क्षेत्रों पर ध्यान केंद्रित करता है। इसका मुख्यालय सिलिकॉन वैली, अमेरिका में स्थित है।

PI द्वारा डिज़ाइन किए गए इंटीग्रेटेड सर्किट और डायोड कई इलेक्ट्रॉनिक उत्पादों, जिनमें मोबाइल उपकरण, घरेलू उपकरण, स्मार्ट मीटर, LED लाइट और औद्योगिक अनुप्रयोग शामिल हैं, के लिए छोटे, कॉम्पैक्ट और ऊर्जा-कुशल AC-DC पावर सप्लाई प्रदान करते हैं। SCALE® गेट ​​ड्राइवर औद्योगिक मोटर, सौर और पवन ऊर्जा प्रणाली, इलेक्ट्रिक वाहन और उच्च-वोल्टेज डायरेक्ट करंट ट्रांसमिशन सहित उच्च-शक्ति अनुप्रयोगों में दक्षता, विश्वसनीयता और लागत-प्रभावशीलता में सुधार करते हैं।

1998 में लॉन्च होने के बाद से, पावर इंटीग्रेशंस की इकोस्मार्ट® ऊर्जा-बचत तकनीक ने ऊर्जा खपत में अरबों डॉलर की बचत की है और लाखों टन कार्बन उत्सर्जन को कम किया है। अपने उत्पादों के पर्यावरणीय प्रभाव के कारण, पावर इंटीग्रेशंस के शेयरों को क्लीनटेक ग्रुप एलएलसी और क्लीन एज द्वारा प्रायोजित पर्यावरण प्रौद्योगिकी स्टॉक इंडेक्स में शामिल किया गया है।

चार्जिंग हेड नेटवर्क ने छानबीन करके पता लगाया कि PI के गैलियम नाइट्राइड चिप्स को Xiaomi, OPPO, ANKER, Lulian और Belkin जैसे कई ब्रांडों के फास्ट चार्जिंग उत्पादों में अपनाया गया है। इसके अलावा, PI ने एक नया MinE-CAP IC भी लॉन्च किया है, जिसका आकार फास्ट चार्जिंग चार्जर में इस्तेमाल करने पर 40% तक कम हो जाता है।

STMicroelectronics

 

STMicroelectronics (ST) विश्व की अग्रणी सेमीकंडक्टर कंपनी है, जो दैनिक जीवन से जुड़े स्मार्ट, ऊर्जा-कुशल उत्पाद और समाधान प्रदान करती है। STMicroelectronics के उत्पाद सर्वव्यापी हैं और हम ग्राहकों के साथ मिलकर स्मार्ट ड्राइविंग, स्मार्ट फ़ैक्टरियाँ, स्मार्ट शहर और स्मार्ट घर, साथ ही अगली पीढ़ी के मोबाइल और IoT उत्पादों को विकसित करने के लिए प्रतिबद्ध हैं। तकनीक का आनंद लें और जीवन का आनंद लें। STMicroelectronics तकनीक के माध्यम से स्मार्ट जीवन (life.augmented) की अवधारणा का समर्थन करती है। 2018 में STMicroelectronics का शुद्ध राजस्व 9.66 बिलियन अमेरिकी डॉलर था और इसके विश्व भर में 100,000 से अधिक ग्राहक हैं।

वर्तमान में, एसटीमाइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स ने एक अंतर्निर्मित ड्राइवर और दो गैलियम नाइट्राइड चिप्स के साथ एक GaN हाफ-ब्रिज डिवाइस लॉन्च किया है, और इस चिप पर आधारित 65W गैलियम नाइट्राइड फास्ट चार्जिंग रेफरेंस डिजाइन का एक सेट लॉन्च किया है।

टेक्सास इंस्ट्रूमेंट्स टेक्सास इंस्ट्रूमेंट्स

 

टेक्सास इंस्ट्रूमेंट्स एक अग्रणी वैश्विक सेमीकंडक्टर कंपनी है जो एनालॉग और एम्बेडेड प्रोसेसिंग चिप्स का डिजाइन, निर्माण, परीक्षण और बिक्री करती है। दशकों से, टीआई 80,000 से अधिक उत्पादों के साथ प्रगति कर रही है जो लगभग 100,000 ग्राहकों को बिजली का कुशलतापूर्वक प्रबंधन करने, डेटा को सटीक रूप से संवेदन और संचारित करने और औद्योगिक, ऑटोमोटिव, पर्सनल इलेक्ट्रॉनिक्स, संचार उपकरण और एंटरप्राइज सिस्टम जैसे बाजारों में प्रवेश करने के लिए उनके डिजाइनों में कोर नियंत्रण या प्रसंस्करण प्रदान करने में मदद करते हैं।

10 नवंबर, 2020 को, टेक्सास इंस्ट्रूमेंट्स ने दो गैलियम नाइट्राइड पावर डिवाइस, 650V और 600V लॉन्च किए, जिससे इसकी उच्च-वोल्टेज पावर मैनेजमेंट उत्पाद श्रृंखला और समृद्ध और विस्तारित हुई। नई GaN FET फैमिली में तीव्र-स्विचिंग 2.2 MHz इंटीग्रेटेड गेट ड्राइवर हैं, जो इंजीनियरों को दोगुनी पावर डेंसिटी और 99% तक दक्षता प्रदान करने में मदद करते हैं, और मौजूदा समाधानों की तुलना में पावर मैग्नेटिक्स के आकार को 59% तक कम करते हैं।

ट्रांसफ़ॉर्म

 

ट्रांसफॉर्म उच्च-वोल्टेज विद्युत रूपांतरण अनुप्रयोगों के लिए उच्च-प्रदर्शन, उच्च-विश्वसनीयता वाले गैलियम नाइट्राइड (GaN) अर्धचालक विद्युत उपकरणों का डिज़ाइन, निर्माण और विक्रय करती है। ट्रांसफॉर्म के पास बौद्धिक संपदा का एक विशाल पोर्टफोलियो है, जिसमें दुनिया भर में 1,000 से अधिक पेटेंट स्वीकृत और अनुमोदन की प्रतीक्षा कर रहे हैं। यह उद्योग की उन पहली IDM कंपनियों में से एक है जो JEDEC और AEC-Q101 द्वारा प्रमाणित GaN FETs का उत्पादन करती है।

अपने एकीकृत व्यापार मॉडल की बदौलत, ट्रांसफॉर्म उत्पाद और प्रौद्योगिकी विकास के हर चरण में नवाचार करने में सक्षम है - जिसमें डिज़ाइन, निर्माण, उपकरण और अनुप्रयोग समर्थन शामिल हैं। चार्जिंग हेड वेबसाइट की जांच करने पर पता चला कि ROMOSS द्वारा पहले लॉन्च किए गए 65W गैलियम नाइट्राइड चार्जर में आधिकारिक ट्रांसफॉर्म GaN उपकरण लगे हुए हैं।

ज़िंगुआन ज़िंगुआन प्रौद्योगिकी

 

डालियान शिंगुआन टेक्नोलॉजी कंपनी लिमिटेड, तीसरी पीढ़ी के सेमीकंडक्टर गैलियम नाइट्राइड एपिटैक्सी और उपकरणों की विश्व की अग्रणी निर्माता है। यह सिलिकॉन-आधारित गैलियम नाइट्राइड एपिटैक्सी और पावर उपकरणों के अनुसंधान एवं विकास, डिजाइन, उत्पादन और प्रचार के लिए प्रतिबद्ध है। इसके पास उन्नत एपिटैक्सियल सामग्री और पावर उपकरण उत्पादन लाइनें हैं और यह 650V क्षमता वाले पावर उपकरण उत्पादों की पूर्ण श्रृंखला प्रदान करती है। पावर उपकरणों का अनुप्रयोग कुछ वाट से लेकर कई किलोवाट तक की रेंज में होता है। इसका व्यापक रूप से उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स (फास्ट चार्जिंग, हाई-पावर एडेप्टर आदि), औद्योगिक इलेक्ट्रॉनिक्स और ऑटोमोटिव इलेक्ट्रॉनिक्स में उपयोग किया जाता है।

कोर कैप गैलियम नाइट्राइड पावर डिवाइस की विशेषता यह है कि यह मानक MOS ड्राइवरों के साथ संगत है और इसका अनुप्रयोग डिजाइन सरल है। इसका ब्रेकडाउन वोल्टेज 1500V से अधिक है और यह उपयोग करने के लिए सुरक्षित है।

चार्जिंग हेड नेटवर्क का सारांश

तीन साल पहले उपभोक्ता बिजली आपूर्ति के क्षेत्र में GaN तकनीक का व्यावसायीकरण शुरू होने के बाद से, बाजार में सैकड़ों GaN फास्ट चार्जर उपलब्ध हैं और बाजार तेजी से विकसित हो रहा है। एक ओर, यह प्रमुख मोबाइल फोन और लैपटॉप निर्माताओं के लगातार प्रवेश से उत्पन्न ब्रांड प्रभाव के कारण है। दूसरी ओर, यह गैलियम नाइट्राइड फास्ट चार्जिंग इकोसिस्टम में लगातार हो रहे सुधार से भी अविभाज्य रूप से जुड़ा हुआ है।

चार्जिंग हेड वेबसाइट के अपूर्ण आंकड़ों के अनुसार, फास्ट चार्जिंग बाजार में गैलियम नाइट्राइड चिप के लगभग 16 आपूर्तिकर्ता प्रवेश कर चुके हैं, जो सैकड़ों समाधान पेश करते हैं; और विभिन्न प्रकार की पैकेजिंग विधियों को कवर करते हुए, वे वर्तमान फास्ट चार्जिंग स्रोत बाजार की मुख्य उपकरणों के लिए चयन आवश्यकताओं को पूरी तरह से पूरा कर सकते हैं।

ऐसा माना जाता है कि देश की 14वीं पंचवर्षीय योजना में गैलियम नाइट्राइड उद्योग को मिले मजबूत समर्थन से गैलियम नाइट्राइड पावर चिप्स के अधिक से अधिक निर्माता बाजार में प्रवेश करेंगे। इससे न केवल उत्पाद प्रकारों में और सुधार होगा, बल्कि इससे भी महत्वपूर्ण बात यह है कि जब गैलियम नाइट्राइड उद्योग बड़े पैमाने पर विकसित होगा, तो बिजली आपूर्ति निर्माताओं के लिए गैलियम नाइट्राइड फास्ट चार्जिंग विकसित करने की लागत कम हो जाएगी; और गैलियम नाइट्राइड पावर चिप्स अधिकाधिक उच्च-प्रदर्शन वाले फास्ट चार्जिंग स्रोत उत्पादों के लिए पहली पसंद बन जाएंगे।

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