A partir de 2018, se comenzaron a producir en masa varios cargadores de carga rápida desarrollados con tecnología de nitruro de galio, y el nitruro de galio también empezó a utilizarse oficialmente de forma comercial en el sector de las fuentes de alimentación para el consumidor.

 

Recientemente, los materiales semiconductores de nitruro de galio se han incluido oficialmente en el "14.º Plan Quinquenal", lo que significa que la industria del nitruro de galio recibirá un fuerte apoyo a nivel nacional en su desarrollo futuro, y las perspectivas son prometedoras.

 

El nitruro de galio (GaN) es un material semiconductor de tercera generación que funciona veinte veces más rápido que la tecnología tradicional de silicio (Si) y puede alcanzar una potencia tres veces mayor. Cuando se utiliza en cargadores rápidos de última generación, logra un rendimiento que supera con creces el de los productos existentes y triplica la potencia de salida con el mismo tamaño.

 

La nueva tecnología del nitruro de galio tiene una amplia gama de aplicaciones, que abarcan comunicaciones 5G, inteligencia artificial, conducción autónoma, centros de datos, carga rápida, etc. Entre ellas, el mercado de la carga rápida ha experimentado el mayor crecimiento y se ha convertido en un referente para la aplicación de tecnología avanzada en beneficio del público. Se puede decir que todos pueden disfrutar de la comodidad de las nuevas tecnologías, desde el laboratorio hasta el mercado; y los enormes envíos y la demanda de carga rápida también han impulsado la continua evolución de la tecnología del nitruro de galio. La carga rápida y el nitruro de galio forman una combinación perfecta.

Gracias a su excelente rendimiento, el desarrollo de la tecnología de nitruro de galio en fuentes de carga rápida ha sido vertiginoso en los últimos dos años, su popularidad ha crecido rápidamente y cada vez más marcas y consumidores la reconocen. Como componente principal de la carga rápida de nitruro de galio, los chips de potencia de GaN siempre han acaparado la atención.

Charging Head Network ha constatado, mediante un seguimiento exhaustivo, que en los últimos dos años el número de proveedores de chips de potencia de GaN en el sector ha crecido rápidamente, pasando de uno o dos al principio a más de diez. El artículo de hoy ofrece una visión detallada de los principales actores en el campo de los chips de potencia de nitruro de galio para la carga rápida.

Muchos fabricantes entran en el mercado de dispositivos de potencia de nitruro de galio.

Ante el creciente mercado de la carga rápida, existen 16 proveedores de chips de potencia de nitruro de galio en todo el mundo, entre los que se incluyen Navitas, PI, Innosec, Infineon, STMicroelectronics, Texas Instruments, GaNsystems, Ecomicro, Juneng Chuangxin, Dongke Semiconductor, Nitrogen Silicon Technology, Gallium Future, Quxin Micro, Transphorm, Nenghua y Core Crown Technology.

Cabe mencionar que la planta de semiconductores de tercera generación de Innosec en Suzhou celebró una ceremonia de traslado de equipos en septiembre del año pasado. Esto significa que dicha planta ha comenzado a pasar de la etapa de construcción a la de preparación para la producción en masa, marcando la finalización oficial de la fábrica de nitruro de galio más grande del mundo e indicando que los semiconductores de potencia de China han entrado en una nueva era.

 

Charging Head Network descubrió, mediante un proceso de clasificación, que los chips de nitruro de galio sellados que se encuentran actualmente en el mercado se pueden dividir en los siguientes cuatro tipos:

Controlador + controlador + GaN: Este enfoque está representado por la antigua marca de chips de potencia PI. Basándose en el encapsulado InSOP-24D, ha lanzado más de diez chips de nitruro de galio altamente integrados que incluyen control principal, dispositivos de potencia de nitruro de galio, controladores de rectificación síncrona, etc. Los chips PowiGaN han sido los preferidos por muchas marcas y se han convertido en líderes en el campo de los chips de carga rápida de nitruro de galio encapsulados.

Además, entre los proveedores locales, Dongke Semiconductor lideró el lanzamiento de dos chips de control principales, el DKG045Q y el DKG065Q, que integran dispositivos de potencia de nitruro de galio, con potencias de salida máximas de 45 W y 65 W respectivamente. Ambos chips ofrecen grandes ventajas en cuanto a la reducción de costes del sistema y la aceleración del lanzamiento de productos, y se prevé que su producción en masa comience en 2021.

Controlador + GaN: Este tipo de chip de potencia de nitruro de galio encapsulado está representado principalmente por NanoVis Semiconductor. Es el primer fabricante del sector en lanzar un chip de potencia de nitruro de galio con controlador integrado. Gracias a su diseño periférico optimizado, ha ganado la preferencia de ingenieros y fabricantes de fuentes de alimentación. A finales de 2020, los envíos de chips superaron los 13 millones.

Driver+2*GaN: Un producto de medio puente de doble tubo que combina dos dispositivos de potencia de nitruro de galio y un controlador. Su nivel de integración es superior al de los dispositivos de potencia de nitruro de galio tradicionales. Estos productos se utilizan en dispositivos de carga rápida de nitruro de galio con arquitectura ACF y LLC para lograr un diseño periférico más optimizado. Actualmente, fabricantes como NanoVis Semiconductor, Infineon y STMicroelectronics tienen previsto lanzar este tipo de chips de nitruro de galio encapsulados.

Controlador + Protección + GaN: NanoVis Semiconductor ha lanzado recientemente una nueva generación de chips de potencia de nitruro de galio (NV6128), que integra transistores FET de GaN, controladores y dispositivos de protección lógica. Al añadir circuitos de protección a los dispositivos de nitruro de galio e integrar transistores de conmutación y circuitos lógicos, se consiguen parámetros parásitos más bajos y tiempos de respuesta más cortos. El chip ofrece entrada digital y salida de potencia de alto rendimiento, lo que permite a los ingenieros de potencia diseñar fuentes de alimentación más rápidas, compactas y de mayor velocidad.

Inventario de chips de nitruro de galio de la marca

Las siguientes clasificaciones no siguen ningún orden en particular y solo están ordenadas alfabéticamente por marca para comodidad de los lectores.

ARCA Aikewei

 

Aiko Microelectronics se centra en el desarrollo de soluciones integrales de alta densidad de potencia y tiene la misión de resolver los problemas y cuellos de botella que presentan los sistemas de potencia de alta densidad. El equipo principal cuenta con más de 20 años de experiencia profesional en la industria de semiconductores de potencia. Mediante la innovación continua, una arquitectura de sistema vanguardista y una combinación integral de dispositivos de potencia y encapsulados de alta eficiencia, logramos sistemas de potencia puros, de alta calidad y eficiencia para satisfacer las necesidades futuras del mercado.

En el ámbito de la carga rápida AC/DC, Aiko Micro no solo lanza chips secundarios originales, sino que también desarrolla de forma independiente dispositivos de potencia MOSFET. Ante la creciente demanda de alta densidad de potencia en productos electrónicos para diversas aplicaciones, nos comprometemos a invertir continuamente en innovación, investigación y desarrollo, y a colaborar con nuestros socios para liderar el mercado y construir el futuro.

Núcleo concentrador de energía Cohenius

 

Qingdao Juneng Chuangxin Microelectronics Co., Ltd. se fundó en julio de 2018. La empresa está ubicada en el Parque Internacional de Innovación de Qingdao. Se dedica principalmente a la investigación y el desarrollo, el diseño, la producción y la venta de semiconductores de tercera generación de nitruro de galio sobre silicio (GaN). Su objetivo es proporcionar a la industria productos y soluciones técnicas de dispositivos de potencia de GaN de alto rendimiento y bajo costo.

Juneng Chuangxin domina la tecnología líder en la industria de diseño de aplicaciones y dispositivos de potencia GaN, y está comprometido con la integración de los recursos superiores de la industria para crear un ecosistema de desarrollo y aplicación de dispositivos GaN, proporcionando soporte localizado de componentes centrales para carga rápida PD, electrodomésticos inteligentes, computación en la nube, comunicaciones 5G, etc.

Con el respaldo de la empresa cotizada Sai Microelectronics (300456) y reconocidos fondos de inversión, Juneng Chuangxin ha consolidado un equipo técnico y de gestión líder en el sector. Durante el desarrollo y la producción en masa de sus productos, se rigen por los más altos estándares de calidad y fiabilidad. Gracias al amplio reconocimiento de sus socios, se ha convertido gradualmente en una empresa de renombre internacional en el campo de los semiconductores de tercera generación.

En el campo de las fuentes de alimentación para el consumidor, Juneng Chuangxin proporciona soluciones tecnológicas de materiales y dispositivos de GaN de fabricación nacional para aplicaciones de carga rápida, y lanza nuevos diseños de referencia de carga rápida de nitruro de galio de 65 W, 100 W y 120 W basados ​​en dispositivos de alimentación de nitruro de galio ya existentes.

Corenergy Nenghua

 

Jiangsu Nenghua Microelectronics Technology Development Co., Ltd. fue fundada en 2010 por un médico que regresó de estudiar en Estados Unidos. El equipo reúne a numerosos profesionales nacionales e internacionales y es una empresa de alta tecnología especializada en el diseño, I+D, producción, fabricación y venta de epitaxia de nitruro de galio de alto rendimiento, obleas, dispositivos y módulos.

El nitruro de galio (GaN) es un representante de la nueva generación de semiconductores compuestos. Jiangsu Nenghua ha establecido una línea de producción de dispositivos de potencia de GaN. La inversión total prevista para el proyecto es de 5 mil millones de yuanes, que se invertirán en plazos. Se espera que la inversión de la primera fase supere los mil millones. La empresa se trasladó al Parque Industrial Nacional de Remanufactura de Zhangjiagang en 2017. La nueva fábrica abarca una superficie de 30 000 metros cuadrados y cuenta con talleres libres de polvo de Clase 10 000, Clase 1 000 y Clase 100, equipados con maquinaria de producción avanzada y personal técnico especializado.

Tecnología de silicio nitrógeno DANXI

 

Chengdu Nitrous Silicon Technology Co., Ltd. es una empresa tecnológica dedicada a la investigación y el desarrollo de dispositivos de potencia y circuitos integrados de nitruro de galio semiconductores de tercera generación. Se especializa en el diseño, desarrollo, venta y suministro de soluciones para dispositivos de potencia de nitruro de galio y sus chips controladores. Los dos fundadores de la empresa cuentan con más de cinco años de experiencia en investigación y desarrollo en el campo del nitruro de galio.

Nitrous Silicon Technology lanzó en marzo de 2020 el primer controlador de nitruro de galio de ultra alta velocidad de China, el DX1001. En abril del mismo año, lanzó una variedad de chips de potencia de nitruro de galio de 650 V de nivel de producción en masa nacional, DX6515/6510/6508, que se combinaron con los chips controladores de la compañía para ingresar a la industria de carga rápida PD.

Cabe destacar que Nitrous Silicon Technology también lanzó el transistor de nitruro de galio de 650 V/160 mΩ, el más pequeño y con la mayor capacidad de disipación de calor del sector, liderando así la revolución en la industria del nitruro de galio. Basándose en los dispositivos de potencia de nitruro de galio existentes, Nitrous Silicon Technology ha lanzado cuatro conjuntos de diseños de referencia para carga rápida de GaN de fabricación nacional, con el fin de ampliar las opciones de selección de productos para los ingenieros de fuentes de carga rápida.

DONGKE Dongke

 

Anhui Dongke Semiconductor Co., Ltd. se fundó en 2009 y tiene su sede en la ciudad de Ma'anshan, provincia de Anhui. Se dedica principalmente a la investigación, el desarrollo, la producción y la venta de chips para fuentes de alimentación conmutadas, chips de rectificación síncrona, chips de potencia para circuitos BUCK y otros productos. Además, cuenta con filiales de propiedad total en Shenzhen y Wuxi, así como una empresa en India responsable de las ventas y el soporte técnico en el mercado global.

Dongke Semiconductor ha establecido centros de I+D en Beijing, Qingdao, Wuxi y Shenzhen. Muchos médicos que regresan del extranjero se encargan de la investigación y el desarrollo. Cuenta con un taller de empaquetado y un laboratorio de calidad de 20 000 metros cuadrados en Ma'anshan, Anhui, con capacidad para empaquetar productos como DIP-8/SOP-8/SM-7/SM-10/T O-220, entre otros. El Laboratorio Nacional de Circuitos Integrados de Maanshan, ubicado en la sede central de Dongke Semiconductor, ofrece diversas capacidades de análisis, como desempaquetado, análisis de fallos, pruebas intermedias, corte y pruebas de alta y baja temperatura de chips, lo que garantiza la calidad y el suministro de los productos de la empresa.

Para aplicaciones en el campo de la carga rápida, Dongke Semiconductor lanzó el primer chip de potencia de la industria que encapsula dispositivos de potencia de nitruro de galio, convirtiéndose en un hito en la historia del desarrollo de la carga rápida de nitruro de galio en el país.

Sistema GaN Sistema GaN

 

GaN Systems se fundó en Ottawa, la capital de Canadá, en 2008. Su fundador fue un experto sénior en semiconductores de potencia de Nortel. La empresa se centra en el desarrollo de dispositivos de potencia de nitruro de galio de modo de enriquecimiento y ofrece dispositivos de potencia GaN HEMT basados ​​en silicio de modo de enriquecimiento de alto rendimiento y fiabilidad.

GaN Systems ha patentado el diseño de chips GaN, la tecnología de encapsulado a escala de chip GaNPx y la serie de productos de 650 V y 100 V más completa del mercado, que abarca desde la electrónica de consumo de baja potencia hasta aplicaciones de suministro de energía de nivel industrial de decenas de kW o más.

GaN Systems adopta un modelo sin fábrica propia y colabora con fundiciones y cadenas de suministro de primer nivel. Desde que comenzó la producción en masa en 2014, ha atendido a más de 2,000 clientes en todo el mundo. Cuenta con sucursales de ventas y soporte técnico en China, Japón, Corea del Sur, Norteamérica y Europa. Se sabe que los chips de potencia de nitruro de galio de GaN Systems se han integrado en la cadena de suministro de carga rápida de Philips.

GaNext, futuro del galio

 

Zhuhai Gallium Future Technology Co., Ltd. se fundó en octubre de 2020. La empresa está comprometida con la innovación tecnológica y el liderazgo en dispositivos semiconductores GaN-on-Si de tercera generación. Partiendo de una sólida base y con un equipo competente, lograremos la localización de la tecnología GaN, impulsaremos el desarrollo de la tecnología de dispositivos GaN y alcanzaremos un uso eficiente y sostenible de la energía mediante el diseño innovador de sistemas de alimentación.

El equipo fundador de la empresa está compuesto por tres expertos sénior en tecnología e industria de GaN sobre silicio, liderados por el profesor Yu Hongyu de la Escuela de Microelectrónica de Shenzhen-Hong Kong y el vicepresidente de I+D de una reconocida empresa estadounidense de nitruro de galio. El antiguo cofundador de la industria de GaN de Huawei se une para crear un sólido triángulo tecnológico, de fabricación y de mercado, gracias a su amplia experiencia. Mediante productos maduros y líderes en el sector, impulsaremos la localización de la tecnología GaN, apoyándonos en el enorme mercado chino de aplicaciones de potencia y la política de la industria de semiconductores de tercera generación del país, para alcanzar la cima de la industria del nitruro de galio y contribuir a los avances logrados en los objetivos de la industria de semiconductores de tercera generación de China.

micro núcleo de volumen de GaNPower

 

Suzhou Liangxin Micro Semiconductor Co., Ltd. es una empresa registrada en China por Canadian GaNPower International Inc. GaNPower se estableció en Canadá en 2015 y tiene su sede en Vancouver, Canadá. GaNPower es una empresa reconocida en la industria global de dispositivos de potencia de nitruro de galio. Sus productos actuales incluyen principalmente dispositivos de potencia de nitruro de galio mejorados que abarcan diferentes niveles de corriente y formatos de encapsulado, así como soluciones avanzadas de aplicaciones de electrónica de potencia basadas en nitruro de galio.

Suzhou Liangxin Micro Semiconductor Co., Ltd. fue galardonada con el título de Talento Líder en Ciencia y Tecnología del Parque Industrial de Suzhou en la 13.ª edición del concurso Jinji Lake. Su proyecto, denominado "Dispositivos de Potencia de Nitruro de Galio y Aplicaciones Industriales Relacionadas", fue reconocido como un proyecto clave con apoyo gubernamental. Los dispositivos de potencia de nitruro de galio de la compañía recibieron el premio más prestigioso del sector: el Premio Anual de Dispositivos de Potencia de los Premios ASPENCORE China a la Excelencia en Diseño de Circuitos Integrados 2020. Actualmente, la compañía cuenta con 40 patentes y solicitudes de patente en Estados Unidos y China.

Según se informa, Liuxin Micro Semiconductor ha lanzado un dispositivo de alimentación de nitruro de galio de 650 V, adecuado para la carga rápida de 45 W a 300 W.

Inociencia

 

Innosec Technology Co., Ltd. se fundó en diciembre de 2015. Es una empresa nacional de alta tecnología dedicada al desarrollo y la producción de dispositivos de potencia de nitruro de galio sobre silicio de 8 pulgadas y dispositivos de radiofrecuencia. Innosec es una de las mayores empresas fabricantes de dispositivos de potencia de nitruro de galio del mundo. Cuenta con el equipo más experimentado en el sector del nitruro de galio, maquinaria avanzada de 8 pulgadas y capacidades sistemáticas de control de calidad y análisis de I+D, lo que le otorga a Innosec una ventaja competitiva en el mercado gracias a la excelente calidad y el rendimiento de sus productos de nitruro de galio.

Desde que estableció en 2017 la primera línea de producción en masa del mundo de dispositivos de potencia GaN sobre silicio de modo de enriquecimiento de 8 pulgadas, Innosec ha lanzado y vendido una variedad de dispositivos de potencia GaN por debajo de 650 V. Los indicadores de rendimiento de los productos han alcanzado un nivel avanzado internacional y pueden utilizarse ampliamente en muchos campos emergentes, como la carga rápida, las comunicaciones 5G, la inteligencia artificial, la conducción autónoma, los centros de datos, etc.

Actualmente, Innosec ha construido la fábrica de nitruro de galio más grande del mundo. En el mercado de carga rápida USB PD con nitruro de galio, los dispositivos de alimentación de nitruro de galio de alto voltaje de 650 V de Innosec se han utilizado en productos de marcas reconocidas como Nubia, Meizu, MOMAX y ROCK. Recientemente, Innosec lanzó la segunda generación de productos InnoGaN, con un rendimiento significativamente mejorado en comparación con la generación anterior.

Además, Innosec ha lanzado una variedad de dispositivos de potencia de GaN de bajo voltaje, adecuados para rectificación síncrona, conversión de voltaje CC-CC, radar láser y otros campos. En el mercado global, Innosec es uno de los pocos fabricantes de chips IDM con una gama completa de productos de nitruro de galio de alto y bajo voltaje.

Infineon Infineon

 

Infineon Technologies AG es la empresa líder mundial en tecnología de semiconductores. Hacemos la vida de las personas más cómoda, segura y respetuosa con el medio ambiente. Los productos y soluciones microelectrónicas de Infineon le guiarán hacia un futuro brillante. En el ejercicio fiscal 2020 (finalizado el 30 de septiembre), la empresa registró una facturación de 8.5 millones de euros y contaba con aproximadamente 46,700 empleados en todo el mundo. En abril de 2020, Infineon completó oficialmente la adquisición de Cypress Semiconductor, convirtiéndose así en uno de los diez principales fabricantes de semiconductores del mundo.

La división Power & Sensing Systems de Infineon ofrece una amplia gama de tecnologías de alimentación, conectividad, radiofrecuencia (RF) y detección que permiten fabricar equipos de carga, herramientas eléctricas y sistemas de iluminación más pequeños y ligeros, a la vez que mejoran la eficiencia energética. La nueva generación de soluciones de semiconductores de silicio de banda prohibida ancha (carburo de silicio/nitruro de galio) aportará un rendimiento y una fiabilidad excepcionales a las aplicaciones de 5G, macrodatos y energías renovables.

High-precision XENSIV sensor solutions give IoT devices human sensory capabilities, allowing these devices to sense their surroundings and respond "instinctively". Audio amplifier products expand the product line of the Power and Sensing Systems Division, allowing smart speakers and other audio application devices to provide an excellent sound quality experience.

Navitas

 

Navitas Semiconductor es la empresa líder mundial en circuitos integrados de potencia de nitruro de galio. Fundada en 2014 y con sede en Irlanda, cuenta con un sólido y creciente equipo de expertos en la industria de semiconductores de potencia. Posee una experiencia líder en el sector en materiales, dispositivos, aplicaciones, sistemas, diseño y marketing. El fundador de la empresa es titular de más de 320 patentes.

Los circuitos integrados de potencia GaNFast integran transistores de potencia de nitruro de galio (FET) con control, gestión y protección para ofrecer una carga más rápida, mayor densidad de potencia y un mayor ahorro energético en los mercados de dispositivos móviles, electrónica de consumo, empresas, movilidad eléctrica y energías renovables. Navitas ha obtenido y está solicitando más de 120 patentes en todos los aspectos de los dispositivos, el diseño de chips, el encapsulado, las aplicaciones y los sistemas de nitruro de galio. Ha completado la producción y entregado con éxito más de 13 millones de circuitos integrados de potencia de nitruro de galio GaNFast, liderando el mercado mundial en calidad de producto y volumen de envíos.

Recientemente, Nanovi Semiconductor ha lanzado la última generación del chip de potencia de nitruro de galio NV6128, que incorpora funciones de controlador y protección, y es ideal para productos de carga rápida de alta potencia. Gracias al excelente rendimiento de sus productos, Nanovi Semiconductor se ha convertido en proveedor de chips de nitruro de galio para marcas reconocidas como Xiaomi, OPPO, Lenovo, Dell y LG, y ha desarrollado más de cien productos basados ​​en chips GaNFast.

PI

 

Power Integrations es un proveedor de componentes electrónicos de alto rendimiento y soluciones de energía, especializado en la gestión y el control de energía de alto voltaje. Su sede central se encuentra en Silicon Valley, Estados Unidos.

Los circuitos integrados y diodos de PI diseñan fuentes de alimentación CA-CC pequeñas, compactas y de bajo consumo para numerosos productos electrónicos, como dispositivos móviles, electrodomésticos, contadores inteligentes, luces LED y aplicaciones industriales. Los controladores de puerta SCALE® mejoran la eficiencia, la fiabilidad y la rentabilidad en aplicaciones de alta potencia, como motores industriales, sistemas de energía solar y eólica, vehículos eléctricos y transmisión de corriente continua de alta tensión.

Desde su lanzamiento en 1998, la tecnología de ahorro energético EcoSmart® de Power Integrations ha permitido ahorrar miles de millones de dólares en consumo de energía y evitar millones de toneladas de emisiones de carbono. Gracias al impacto ambiental de sus productos, las acciones de Power Integrations se han incluido en el Índice Bursátil de Tecnología Ambiental, patrocinado por Cleantech Group LLC y Clean Edge.

La red Charging Head Network ha investigado y descubierto que los chips de nitruro de galio de PI se han incorporado a los productos de carga rápida de numerosas marcas como Xiaomi, OPPO, ANKER, Lulian y Belkin. Además, PI también ha lanzado un nuevo circuito integrado MinE-CAP, cuyo tamaño se puede reducir en un 40 % al utilizarse en cargadores de carga rápida.

STMicroelectronics

 

STMicroelectronics (ST) es la empresa líder mundial en semiconductores, que ofrece productos y soluciones inteligentes y energéticamente eficientes, estrechamente ligados a la vida cotidiana. Los productos de STMicroelectronics están presentes en todas partes y nos comprometemos a colaborar con nuestros clientes para impulsar la conducción inteligente, las fábricas inteligentes, las ciudades inteligentes y los hogares inteligentes, así como los productos móviles y de IoT de última generación. Disfruta de la tecnología y disfruta de la vida. STMicroelectronics promueve el concepto de que la tecnología impulse una vida inteligente (life.augmented). Los ingresos netos de STMicroelectronics en 2018 fueron de 9660 millones de dólares estadounidenses y cuenta con más de 100 000 clientes en todo el mundo.

Actualmente, STMicroelectronics ha lanzado un dispositivo de medio puente de GaN con un controlador integrado y dos chips de nitruro de galio, y ha presentado un conjunto de diseños de referencia de carga rápida de nitruro de galio de 65 W basados ​​en este chip.

Texas Instruments

 

Texas Instruments es una empresa líder mundial en semiconductores que diseña, fabrica, prueba y vende chips analógicos y de procesamiento integrado. Durante décadas, TI ha avanzado significativamente con más de 80 000 productos que ayudan a aproximadamente 100 000 clientes a gestionar la energía de forma eficiente, detectar y transmitir datos con precisión y proporcionar control o procesamiento esenciales en sus diseños para acceder a mercados como el industrial, el automotriz, la electrónica de consumo, los equipos de comunicaciones y los sistemas empresariales.

El 10 de noviembre de 2020, Texas Instruments lanzó dos dispositivos de potencia de nitruro de galio, de 650 V y 600 V, enriqueciendo y ampliando aún más su línea de productos de gestión de energía de alto voltaje. La nueva familia de transistores GaN FET incorpora controladores de puerta integrados de conmutación rápida de 2.2 MHz, lo que permite a los ingenieros lograr el doble de densidad de potencia y hasta un 99 % de eficiencia, además de reducir el tamaño de los componentes magnéticos de potencia en un 59 % en comparación con las soluciones existentes.

Transformar

 

Transphorm diseña, fabrica y comercializa dispositivos semiconductores de potencia de nitruro de galio (GaN) de alto rendimiento y fiabilidad para aplicaciones de conversión de energía de alto voltaje. Transphorm posee una extensa cartera de propiedad intelectual, con más de 1,000 patentes aprobadas y en trámite de aprobación en todo el mundo. Es una de las primeras empresas IDM del sector en producir transistores FET de GaN certificados por JEDEC y AEC-Q101.

Gracias a su modelo de negocio integrado verticalmente, Transphorm puede innovar en cada etapa del desarrollo de productos y tecnologías, incluyendo el diseño, la fabricación y el soporte para dispositivos y aplicaciones. El sitio web de análisis de cargadores descubrió que un cargador de nitruro de galio de 65 W lanzado anteriormente por ROMOSS incorpora dispositivos GaN oficiales de Transphorm.

XINGUAN Tecnología Xinguan

 

Dalian Xinguan Technology Co., Ltd. es el fabricante líder mundial de dispositivos y epitaxia de nitruro de galio semiconductores de tercera generación. Se dedica a la investigación, el desarrollo, el diseño, la producción y la promoción de dispositivos de potencia y epitaxia de nitruro de galio basados ​​en silicio. Cuenta con líneas de producción avanzadas para materiales epitaxiales y dispositivos de potencia, y ofrece productos de dispositivos de potencia a escala completa de 650 V. La potencia de aplicación abarca desde decenas de vatios hasta varios kilovatios. Se utiliza ampliamente en electrónica de consumo (carga rápida, adaptadores de alta potencia, etc.), electrónica industrial y electrónica automotriz.

Las características del dispositivo de potencia de nitruro de galio con núcleo de condensador son su compatibilidad con controladores MOS estándar y su diseño de aplicación sencillo. Posee una tensión de ruptura superior a 1500 V y es seguro de usar.

Resumen de la red del cabezal de carga

Desde que la tecnología GaN comenzó a comercializarse en el sector de las fuentes de alimentación para el consumidor hace tres años, existen cientos de cargadores rápidos GaN en el mercado, que se desarrolla a un ritmo vertiginoso. Esto se debe, por un lado, a la influencia de marca generada por la entrada sucesiva de importantes fabricantes de teléfonos móviles y portátiles. Por otro lado, también es inseparable de la mejora continua del ecosistema de carga rápida de nitruro de galio.

Según las estadísticas incompletas del sitio web del fabricante de cabezales de carga, existen hasta 16 proveedores de chips de nitruro de galio que han entrado en el mercado de la carga rápida, con cientos de soluciones; y que abarcan una variedad de métodos de empaquetado, pueden satisfacer plenamente las necesidades de selección de dispositivos principales del mercado actual de fuentes de carga rápida.

Se cree que, gracias al sólido respaldo que el 14.º Plan Quinquenal del país ha dado a la industria del nitruro de galio, cada vez más fabricantes de chips de potencia de nitruro de galio entrarán en el mercado. No solo se mejorarán los tipos de productos, sino que, lo que es más importante, cuando la industria del nitruro de galio se desarrolle a gran escala, se optimizará el coste de desarrollo de la carga rápida de nitruro de galio para los fabricantes de fuentes de alimentación; y los chips de potencia de nitruro de galio se convertirán en la opción preferida para un número creciente de productos de carga rápida de alto rendimiento.

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