Начиная с 2018 года, в серийное производство поступил ряд устройств быстрой зарядки, разработанных на основе технологии нитрида галлия, а нитрид галлия также официально начал коммерческое использование в сфере источников питания для бытовых потребителей.

 

Недавно полупроводниковые материалы на основе нитрида галлия были официально включены в «14-й пятилетний план», что означает, что отрасль нитрида галлия получит мощную поддержку на национальном уровне в своем будущем развитии, и перспективы выглядят многообещающими.

 

Нитрид галлия (GaN) — это полупроводниковый материал третьего поколения, работающий в двадцать раз быстрее, чем традиционная кремниевая (Si) технология, и способный обеспечить в три раза большую мощность. При использовании в передовых устройствах быстрой зарядки он позволяет достичь производительности, значительно превосходящей существующие аналоги, и утроить выходную мощность при тех же размерах.

 

Новая технология на основе нитрида галлия имеет широкий спектр применения, охватывающий связь 5G, искусственный интеллект, автономное вождение, центры обработки данных, быструю зарядку и т. д. Среди них рынок быстрой зарядки развивается быстрее всего и стал эталоном применения передовых технологий на благо общества. Можно сказать, что удобство новых технологий доступно каждому — от лабораторных разработок до рынка; а огромные объемы поставок и спрос на быструю зарядку также стимулируют непрерывное совершенствование технологии нитрида галлия. Быстрая зарядка и нитрид галлия — идеальное сочетание.

Благодаря своим превосходным характеристикам, технология нитрида галлия в источниках быстрой зарядки за последние два года получила стремительное развитие, быстро завоевала популярность и получила признание все большего числа брендовых клиентов и потребителей. Как ключевое устройство для быстрой зарядки на основе нитрида галлия, силовые чипы на основе GaN всегда были в центре всеобщего внимания.

Как показало долгосрочное исследование компании Charging Head Network, за последние два года число поставщиков силовых чипов на основе нитрида галлия (GaN) в отрасли также быстро выросло — с одного-двух на начальном этапе до более чем десяти. Сегодняшняя статья призвана дать вам подробное представление об основных игроках на рынке силовых чипов из нитрида галлия в сегменте быстрой зарядки.

На рынок силовых устройств на основе нитрида галлия выходит множество производителей.

В условиях растущего рынка быстрой зарядки в мире насчитывается 16 поставщиков силовых микросхем на основе нитрида галлия, включая Navitas, PI, Innosec, Infineon, STMicroelectronics, Texas Instruments, GaNsystems, Ecomicro, Juneng Chuangxin, Dongke Semiconductor, Nitrogen Silicon Technology, Gallium Future, Quxin Micro, Transphorm, Nenghua и Core Crown Technology.

Стоит отметить, что в сентябре прошлого года на заводе Innosec по производству полупроводников третьего поколения в Сучжоу состоялась церемония переезда оборудования. Это означает, что завод Innosec в Сучжоу перешел от стадии строительства к стадии подготовки к серийному производству, что ознаменовало официальное завершение строительства крупнейшего в мире завода по производству нитрида галлия и свидетельствует о вступлении Китая в новую эру в области силовых полупроводников.

 

В ходе сортировки компания Charging Head Network выяснила, что представленные на рынке герметичные чипы из нитрида галлия можно разделить на следующие четыре типа:

Контроллер + драйвер + GaN: Этот подход представлен старым брендом силовых микросхем PI. На основе корпуса InSOP-24D компания выпустила более десяти высокоинтегрированных микросхем на основе нитрида галлия, включая основные управляющие микросхемы, силовые устройства на основе нитрида галлия, контроллеры синхронного выпрямления и т.д. Микросхемы PowiGaN пользуются популярностью у многих производителей и стали лидерами в области корпусированных микросхем нитрида галлия для быстрой зарядки.

Кроме того, среди местных поставщиков компания Dongke Semiconductor заняла лидирующую позицию в выпуске двух основных управляющих чипов DKG045Q и DKG065Q, в которых используются силовые транзисторы на основе нитрида галлия, с соответствующей максимальной выходной мощностью 45 Вт и 65 Вт. Оба чипа обладают огромными преимуществами в плане экономии системных затрат и ускорения запуска продукта, и ожидается, что их серийное производство начнётся в 2021 году.

Драйвер + GaN: Этот тип силовых микросхем на основе нитрида галлия в корпусе представлен в основном компанией NanoVis Semiconductor. Это первый производитель в отрасли, выпустивший силовую микросхему на основе нитрида галлия со встроенным драйвером. Благодаря оптимизированной периферийной конструкции она завоевала популярность среди инженеров и производителей источников питания. К концу 2020 года объем поставок микросхем превысил 13 миллионов.

Driver+2*GaN: Двухламповый полумостовой продукт, объединяющий два силовых транзистора на основе нитрида галлия и драйвер. Уровень его интеграции выше, чем у традиционных силовых транзисторов на основе нитрида галлия. Такие продукты используются в быстрозаряжаемых устройствах на основе нитрида галлия с архитектурой ACF и LLC для достижения более оптимизированной конструкции периферийных устройств. В настоящее время такие производители, как NanoVis Semiconductor, Infineon и STMicroelectronics, планируют выпуск таких микросхем на основе нитрида галлия в корпусе.

Драйвер + Защита + GaN: Компания NanoVis Semiconductor недавно выпустила новое поколение силовых микросхем на основе нитрида галлия NV6128, в которых интегрированы полевые транзисторы GaN, драйвер и логические защитные устройства. Благодаря добавлению защитных цепей к устройствам из нитрида галлия и интеграции переключающих транзисторов и логических схем, можно добиться снижения паразитных параметров и сокращения времени отклика. Микросхема обеспечивает цифровой ввод и высокопроизводительный выходной сигнал, что позволяет инженерам-энергетикам проектировать более быстрые, компактные и высокоскоростные источники питания.

Ассортимент продукции под маркой микросхем нитрида галлия.

Приведенные ниже рейтинги не имеют определенного порядка и отсортированы по брендам только в алфавитном порядке для удобства читателей.

АРК Айкевей

 

Компания Aiko Microelectronics специализируется на разработке комплексных решений с высокой удельной мощностью и ставит перед собой задачу устранения проблем и узких мест, возникающих в системах питания с высокой удельной мощностью. Основная команда обладает более чем 20-летним профессиональным опытом в полупроводниковой промышленности в области силовых устройств. Благодаря непрерывным инновациям, перспективной системной архитектуре и глубокому сочетанию силовых устройств и высокоэффективной упаковки, мы создаем высококачественные, высокоэффективные и чистые системы питания, отвечающие будущим потребностям рынка.

В области решений для быстрой зарядки переменного/постоянного тока компания Aiko Micro не только выпускает оригинальные микросхемы вторичного рынка, но и самостоятельно разрабатывает силовые MOSFET-транзисторы. Учитывая высокий спрос на высокоэнергетические компоненты в электронных изделиях для различных областей применения, мы стремимся к постоянным инвестициям, инновациям, исследованиям и разработкам, а также к сотрудничеству с нашими партнерами, чтобы лидировать на рынке и создавать будущее.

Энергоконцентрирующее ядро ​​Коэниуса

 

Компания Qingdao Juneng Chuangxin Microelectronics Co., Ltd. была основана в июле 2018 года. Компания расположена в Международном инновационном парке Циндао. Основная деятельность компании связана с исследованиями и разработками, проектированием, производством и продажей полупроводников третьего поколения на основе нитрида галлия на кремниевой подложке (GaN). Компания ориентирована на предоставление отрасли высокопроизводительных и недорогих силовых GaN-устройств и технических решений.

Компания Juneng Chuangxin владеет передовыми технологиями проектирования силовых GaN-устройств и их применения, а также стремится интегрировать лучшие в отрасли ресурсы для создания экосистемы разработки и применения GaN-устройств, обеспечивая локализованную поддержку основных компонентов для быстрой зарядки PD, умной бытовой техники, облачных вычислений, связи 5G и т.д.

При поддержке компании Sai Microelectronics (300456), акции которой котируются на бирже, и известных инвестиционных фондов, компания Juneng Chuangxin создала ведущую в отрасли команду менеджеров и технических специалистов. В процессе разработки продукции и серийного производства мы всегда придерживаемся требований высокого качества и надежности. Завоевав широкое признание партнеров, компания постепенно стала всемирно известной в области полупроводников третьего поколения.

В области потребительских источников питания компания Juneng Chuangxin предлагает отечественные решения на основе материалов и технологий GaN для приложений быстрой зарядки, а также выпускает новые эталонные конструкции источников быстрой зарядки на основе нитрида галлия мощностью 65 Вт, 100 Вт и 120 Вт, созданные на базе существующих силовых устройств на основе нитрида галлия.

Коренерги Нэнхуа

 

Компания Jiangsu Nenghua Microelectronics Technology Development Co., Ltd. была основана в 2010 году врачом, вернувшимся из США после обучения. Команда объединяет множество отечественных и зарубежных специалистов и является высокотехнологичной компанией, специализирующейся на проектировании, исследованиях и разработках, производстве, изготовлении и продаже высокопроизводительных эпитаксиальных пластин, устройств и модулей на основе нитрида галлия.

Нитрид галлия (GaN) является представителем нового поколения полупроводниковых соединений. Компания Jiangsu Nenghua создала линию по производству силовых устройств на основе GaN. Общий планируемый объем инвестиций в проект составляет 5 миллиардов юаней, которые будут вкладываться поэтапно. Ожидается, что инвестиции на первом этапе превысят 1 миллиард юаней. Компания переехала в Национальный индустриальный парк восстановления Чжанцзяган в 2017 году. Новый завод занимает площадь 30 000 квадратных метров и имеет беспыльные цеха классов 10 000, 1 000 и 100, оснащенные современным производственным оборудованием и квалифицированным техническим персоналом.

Азотно-кремниевая технология DANXI

 

Компания Chengdu Nitrous Silicon Technology Co., Ltd. — это технологическая компания, специализирующаяся на исследованиях и разработках полупроводниковых силовых устройств и интегральных схем на основе нитрида галлия третьего поколения. Она занимается проектированием, разработкой, продажей и предоставлением решений в области силовых устройств на основе нитрида галлия и их драйверных микросхем. Оба основателя компании имеют более чем 5-летний опыт исследований и разработок в области нитрида галлия.

В марте 2020 года компания Nitrous Silicon Technology выпустила первый в Китае сверхскоростной драйвер на основе нитрида галлия DX1001. В апреле того же года она представила ряд серийных чипов питания на основе нитрида галлия с напряжением 650 В (DX6515/6510/6508), предназначенных для использования с драйверами компании, что позволило ей выйти на рынок быстрой зарядки PD.

Стоит отметить, что компания Nitrous Silicon Technology также выпустила транзистор на основе нитрида галлия с напряжением 650 В и сопротивлением 160 мОм, обладающий самыми компактными размерами и самой высокой теплоотдачей в отрасли, что стало толчком к революции в индустрии нитрида галлия. На основе существующих силовых устройств на основе нитрида галлия компания Nitrogen Silicon Technology выпустила 4 комплекта эталонных схем быстрой зарядки на основе нитрида галлия для удовлетворения потребностей инженеров, занимающихся разработкой источников быстрой зарядки.

ДОНКЭ Донкэ

 

Компания Anhui Dongke Semiconductor Co., Ltd. была основана в 2009 году и имеет штаб-квартиру в городе Мааньшань, провинция Аньхой. Основная деятельность компании связана с исследованиями и разработками, производством и продажей микросхем импульсных источников питания, микросхем синхронного выпрямления, микросхем питания BUCK и другой продукции. Компания также имеет дочерние предприятия в Шэньчжэне и Уси, а также индийскую компанию, отвечающую за продажи на мировом рынке и техническую поддержку.

Компания Dongke Semiconductor создала научно-исследовательские центры в Пекине, Циндао, Уси и Шэньчжэне. Многие врачи, вернувшиеся из-за рубежа, отвечают за научно-исследовательские работы. В Мааньшане, провинция Аньхой, расположен цех по упаковке и лаборатория контроля качества площадью 20 000 квадратных метров, оснащенные оборудованием для упаковки DIP-8/SOP-8/SM-7/SM-10/T O-220 и другими материалами; Национальная лаборатория интегральных схем Мааньшаня, созданная в штаб-квартире Dongke Semiconductor, обладает различными возможностями анализа, такими как распаковка, анализ отказов, промежуточное тестирование, нарезка, а также тестирование микросхем при высоких и низких температурах, что обеспечивает надежную гарантию качества и поставок продукции компании.

Для применения в области быстрой зарядки компания Dongke Semiconductor выпустила первый в отрасли силовой чип, в котором используются силовые устройства на основе нитрида галлия, что стало важной вехой в истории развития отечественной технологии быстрой зарядки на основе нитрида галлия.

Система GaN

 

Компания GaN Systems была основана в Оттаве, столице Канады, в 2008 году. Основатель компании ранее занимал должность старшего эксперта по силовым полупроводникам в компании Nortel. Компания специализируется на разработке силовых устройств на основе нитрида галлия с обогащением и предоставляет высокопроизводительные и высоконадежные силовые устройства на основе GaN HEMT с обогащением на кремниевой основе.

Компания GaN Systems запатентовала конструкцию GaN-чипов, технологию корпусирования GaNPx и самую полную на рынке серию продуктов на 650 В и 100 В, охватывающую как маломощную бытовую электронику, так и промышленные источники питания мощностью в десятки кВт и более.

Компания GaN Systems использует модель разработки без собственного производства и сотрудничает с ведущими мировыми производителями и поставщиками. С момента начала серийного производства в 2014 году продукция компании была обслужена более чем 2,000 клиентами по всему миру. Компания имеет торговые представительства и службы поддержки в Китае, Японии, Южной Корее, Северной Америке и Европе. Известно, что силовые чипы на основе нитрида галлия от GaN Systems вошли в цепочку поставок для систем быстрой зарядки Philips.

GaNext будущее галлия

 

Компания Zhuhai Gallium Future Technology Co., Ltd. была основана в октябре 2020 года. Компания стремится к технологическим инновациям и лидерству в области полупроводниковых устройств GaN-on-Si третьего поколения. Благодаря высокому стартовому уровню и сильной команде мы будем осуществлять локализацию технологии GaN, способствовать развитию технологии GaN-устройств и обеспечивать экологичное и эффективное использование энергии за счет инновационного проектирования энергетических систем.

В состав команды основателей компании входят три ведущих эксперта в области технологии/отрасли GaN-on-Si, возглавляемые профессором Ю Хунъю из Шэньчжэньско-Гонконгской школы микроэлектроники и вице-президентом по исследованиям и разработкам известной американской компании по производству нитрида галлия. К команде присоединился бывший соучредитель GaN-индустрии Huawei, который, опираясь на накопленный опыт, создал полноценный «железный треугольник» технологий, производства и рынка. Благодаря зрелым и передовым продуктам мы будем способствовать локализации GaN-технологий, опираясь на поддержку огромного китайского рынка энергетических приложений и политику страны в отношении полупроводниковой промышленности третьего поколения, будем двигаться к вершине индустрии нитрида галлия и помогать достигать прорывов в реализации целей страны в этой области.

GaNPower объемное ядро ​​микро

 

Компания Suzhou Liangxin Micro Semiconductor Co., Ltd. зарегистрирована в Китае канадской компанией GaNPower International Inc. Компания GaNPower была основана в Канаде в 2015 году и имеет штаб-квартиру в Ванкувере, Канада. GaNPower — известная компания в мировой индустрии силовых устройств на основе нитрида галлия. В настоящее время ее продукция в основном включает в себя усовершенствованные силовые устройства на основе нитрида галлия, охватывающие различные уровни тока и формы корпуса, а также передовые решения для применения силовой электроники на основе нитрида галлия.

Компания Suzhou Liangxin Micro Semiconductor Co., Ltd. в 2019 году была удостоена звания 13-го лауреата премии Jinji Lake Science and Technology Leading Talents of Suzhou Industrial Park; проект «Силовые приборы на основе нитрида галлия и связанные с ним промышленные применения» был включен в список ключевых проектов государственной поддержки. Продукция компании в области силовых приборов на основе нитрида галлия получила престижную отраслевую награду: ежегодную премию ASPENCORE China IC Design Achievement Award 2020 в категории «Силовые приборы». В настоящее время компания имеет 40 патентов и заявок в США и Китае.

Сообщается, что компания Liuxin Micro Semiconductor выпустила силовое устройство на основе нитрида галлия с напряжением 650 В, подходящее для быстрой зарядки мощностью 45-300 Вт.

невежество

 

Компания Innosec Technology Co., Ltd. была основана в декабре 2015 года. Это национальное высокотехнологичное предприятие, специализирующееся на разработке и производстве 8-дюймовых силовых и радиочастотных устройств на основе нитрида галлия на кремниевой подложке. Innosec является одной из крупнейших в мире компаний-производителей силовых устройств на основе нитрида галлия. Компания располагает самой опытной командой в области нитрида галлия, передовым 8-дюймовым оборудованием и систематическими возможностями контроля качества и анализа в рамках научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ, что обеспечивает Innosec конкурентное преимущество на рынке благодаря первоклассному качеству и производительности продукции из нитрида галлия.

С момента создания в 2017 году первой в мире линии массового производства 8-дюймовых силовых GaN-транзисторов на кремниевой подложке с режимом обогащения, компания Innosec выпустила и продала широкий ассортимент силовых GaN-транзисторов с напряжением ниже 650 В. Показатели производительности продукции достигли международного передового уровня и могут широко использоваться во многих перспективных областях, таких как быстрая зарядка, связь 5G, искусственный интеллект, автономное вождение, центры обработки данных и т. д.

В настоящее время компания Innosec построила крупнейший в мире завод по производству нитрида галлия. На рынке быстрой зарядки USB PD с использованием нитрида галлия высоковольтные силовые устройства Innosec на основе нитрида галлия (650 В) применяются во многих известных брендах, таких как Nubia, Meizu, MOMAX и ROCK. Недавно Innosec выпустила второе поколение продуктов InnoGaN, характеристики которых значительно улучшены по сравнению с предыдущим поколением.

Кроме того, компания Innosec выпустила ряд низковольтных силовых GaN-устройств, подходящих для синхронного выпрямления, преобразования постоянного напряжения, лазерных радаров и других областей. На мировом рынке Innosec является одним из немногих производителей микросхем IDM, предлагающих полный спектр высоковольтных и низковольтных продуктов на основе нитрида галлия.

Инфинеон Инфинеон

 

Infineon Technologies AG — ведущая мировая компания в области полупроводниковых технологий. Мы делаем жизнь людей удобнее, безопаснее и экологичнее. Микроэлектронные продукты и решения Infineon приведут вас к светлому будущему. В 2020 финансовом году (завершившемся 30 сентября) объем продаж компании составил 8.5 млрд евро, а численность сотрудников по всему миру — около 46 700 человек. В апреле 2020 года Infineon официально завершила приобретение Cypress Semiconductor, успешно войдя в десятку крупнейших мировых производителей полупроводников.

Подразделение Power & Sensing Systems компании Infineon предлагает широкий спектр технологий в области электропитания, связи, радиочастот (РЧ) и датчиков, позволяющих уменьшить размеры и вес зарядного оборудования, электроинструментов и систем освещения, одновременно повышая энергоэффективность. Новое поколение полупроводниковых решений на основе кремния/широкозонных материалов (карбид кремния/нитрид галлия) обеспечит беспрецедентно высокую производительность и надежность для приложений 5G, обработки больших данных и возобновляемой энергетики.

Высокоточные сенсорные решения XENSIV наделяют устройства IoT возможностями человеческого восприятия, позволяя этим устройствам ощущать окружающую среду и реагировать «инстинктивно». Аудиоусилители расширяют линейку продукции подразделения систем питания и датчиков, позволяя умным колонкам и другим аудиоустройствам обеспечивать превосходное качество звука.

Navitas

 

Navitas Semiconductor — ведущая мировая компания по производству силовых интегральных схем на основе нитрида галлия. Основанная в 2014 году и имеющая штаб-квартиру в Ирландии, компания располагает сильной и постоянно растущей командой экспертов в области силовых полупроводниковых технологий. Она обладает передовым опытом в области материалов, устройств, применений, систем, проектирования и маркетинга. Основатель компании является обладателем более 320 патентов.

Микросхемы питания GaNFast объединяют силовые транзисторы на основе нитрида галлия (GaN FET) с управлением, контролем и защитой, обеспечивая более быструю зарядку, более высокую плотность мощности и большую экономию энергии для рынков мобильной связи, бытовой электроники, корпоративного сектора, электромобильности и новых источников энергии. Компания Navitas выдала и подает заявки на более чем 120 патентов во всех аспектах GaN-устройств, проектирования микросхем, упаковки, применений и систем. Она завершила производство и успешно поставила более 13 миллионов микросхем питания на основе нитрида галлия GaNFast, занимая лидирующие позиции в мире по качеству продукции и объему поставок.

Недавно компания Nanovi Semiconductor также выпустила новейшее поколение микросхем на основе нитрида галлия NV6128, обладающих встроенными функциями драйвера и защиты и подходящих для устройств быстрой зарядки высокой мощности. Благодаря превосходным характеристикам своей продукции, Nanovi Semiconductor стала поставщиком микросхем на основе нитрида галлия для многих известных брендов, таких как Xiaomi, OPPO, Lenovo, Dell и LG, и разработала более ста продуктов на базе микросхем GaNFast.

PI

 

Компания Power Integrations — поставщик высокопроизводительных электронных компонентов и решений в области электропитания, специализирующийся на управлении и контроле высоковольтного электропитания. Ее штаб-квартира находится в Силиконовой долине, США.

Интегральные схемы и диоды, разработанные компанией PI, позволяют создавать небольшие, компактные и энергоэффективные источники питания переменного/постоянного тока для множества электронных устройств, включая мобильные устройства, бытовую технику, интеллектуальные счетчики, светодиодные светильники и промышленные приложения. Драйверы затвора SCALE® повышают эффективность, надежность и экономичность в мощных приложениях, включая промышленные двигатели, системы солнечной и ветровой энергетики, электромобили и высоковольтные системы передачи постоянного тока.

С момента своего появления в 1998 году энергосберегающая технология EcoSmart® компании Power Integrations позволила сэкономить миллиарды долларов на потреблении энергии и предотвратить выброс миллионов тонн углекислого газа. Благодаря экологическому воздействию своей продукции, акции Power Integrations включены в индекс акций экологических технологических компаний, спонсируемый Cleantech Group LLC и Clean Edge.

Издание Charging Head Network выяснило, что чипы из нитрида галлия от PI используются в устройствах быстрой зарядки многих брендов, таких как Xiaomi, OPPO, ANKER, Lulian и Belkin. Кроме того, PI также выпустила новый микросхемный блок MinE-CAP, размер которого можно уменьшить на 40% при использовании в устройствах быстрой зарядки.

STMicroelectronics

 

STMicroelectronics (ST) — ведущая мировая компания по производству полупроводников, предлагающая интеллектуальные, энергоэффективные продукты и решения, тесно связанные с повседневной жизнью. Продукция STMicroelectronics широко распространена, и мы стремимся сотрудничать с клиентами для создания интеллектуальных систем вождения, умных заводов, умных городов и умных домов, а также мобильных и IoT-продуктов следующего поколения. Наслаждайтесь технологиями и наслаждайтесь жизнью. STMicroelectronics пропагандирует концепцию «технологии, ведущие к умной жизни» (life.augmented). Чистая выручка STMicroelectronics в 2018 году составила 9.66 млрд долларов США, и компания имеет более 100 000 клиентов по всему миру.

В настоящее время компания STMicroelectronics выпустила полумостовое устройство на основе нитрида галлия со встроенным драйвером и двумя чипами из нитрида галлия, а также представила набор эталонных проектов для быстрой зарядки мощностью 65 Вт на базе этого чипа.

Texas Instruments

 

Texas Instruments — ведущая мировая компания по производству полупроводников, занимающаяся проектированием, производством, тестированием и продажей аналоговых и встроенных процессоров. На протяжении десятилетий TI добивается прогресса, выпустив более 80 000 продуктов, которые помогают примерно 100 000 клиентам эффективно управлять питанием, точно считывать и передавать данные, а также обеспечивать управление или обработку в своих проектах для выхода на такие рынки, как промышленное оборудование, автомобильная промышленность, персональная электроника, телекоммуникационное оборудование и корпоративные системы.

10 ноября 2020 года компания Texas Instruments выпустила два силовых транзистора на основе нитрида галлия, 650V и 600V, еще больше расширив свою линейку продуктов для управления высоковольтным питанием. Новое семейство GaN FET оснащено быстродействующими интегрированными драйверами затвора с частотой 2.2 МГц, что позволяет инженерам добиться вдвое большей плотности мощности и эффективности до 99%, а также уменьшить размеры силовых магнитных компонентов на 59% по сравнению с существующими решениями.

Трансформация

 

Компания Transphorm разрабатывает, производит и продает высокопроизводительные и надежные полупроводниковые силовые приборы на основе нитрида галлия (GaN) для высоковольтных преобразователей энергии. Transphorm обладает чрезвычайно обширным портфелем интеллектуальной собственности, включающим более 1,000 патентов, одобренных и ожидающих одобрения по всему миру. Это одна из первых компаний-производителей полупроводниковых транзисторов (IDM) в отрасли, выпускающая GaN-полевые транзисторы, сертифицированные по стандартам JEDEC и AEC-Q101.

Благодаря своей вертикально интегрированной бизнес-модели, Transphorm способна внедрять инновации на каждом этапе разработки продуктов и технологий, включая проектирование, производство, поддержку устройств и приложений. На сайте, посвященном зарядным устройствам, выяснилось, что в ранее выпущенное компанией ROMOSS зарядное устройство на основе нитрида галлия мощностью 65 Вт оснащены официальными GaN-устройствами Transphorm.

СИНГУАНЬ Технология Сингуань

 

Компания Dalian Xinguan Technology Co., Ltd. является ведущим мировым производителем полупроводниковых устройств на основе нитрида галлия третьего поколения. Она занимается исследованиями и разработками, проектированием, производством и продвижением силовых устройств на основе нитрида галлия и кремния. Компания располагает передовыми линиями по производству эпитаксиальных материалов и силовых устройств, а также предлагает полномасштабные силовые устройства на 650 В. Области применения силовых устройств охватывают диапазон от десятков ватт до нескольких киловатт. Они широко используются в бытовой электронике (быстрая зарядка, мощные адаптеры и т. д.), промышленной электронике и автомобильной электронике.

Характеристики силового транзистора на основе нитрида галлия с сердечником заключаются в его совместимости со стандартными MOS-драйверами и простоте конструкции. Он имеет напряжение пробоя более 1500 В и безопасен в использовании.

Краткое описание сети зарядной головки

С тех пор как три года назад технология GaN начала коммерциализироваться в сфере потребительских источников питания, на рынке появились сотни быстрых зарядных устройств на основе GaN, и рынок развивается быстрыми темпами. С одной стороны, это обусловлено влиянием брендов, созданным последовательным выходом на рынок крупных производителей мобильных телефонов и ноутбуков. С другой стороны, это также неразрывно связано с постоянно совершенствующейся экосистемой быстрой зарядки на основе нитрида галлия.

Согласно неполным статистическим данным веб-сайта Charger Head, на рынок быстрой зарядки вышли целых 16 поставщиков микросхем нитрида галлия, предлагающих сотни решений и использующих различные методы упаковки, что позволяет им в полной мере удовлетворить потребности современного рынка источников быстрой зарядки в выборе основных устройств.

Считается, что благодаря активной поддержке отрасли нитрида галлия в рамках 14-й пятилетки развития страны, на рынок выйдет все больше производителей микросхем питания на основе нитрида галлия. Это не только позволит улучшить ассортимент продукции, но, что более важно, по мере развития отрасли нитрида галлия в больших масштабах, оптимизирует затраты производителей источников питания на разработку быстрозарядных устройств на основе нитрида галлия; а также сделает микросхемы питания на основе нитрида галлия предпочтительным выбором для все большего числа высокопроизводительных источников быстрой зарядки.

Отказ от ответственности: Данная статья воспроизведена из источника "ddzmx". Эта статья отражает только личное мнение автора и не представляет точку зрения компании Sacco Micro и отрасли в целом. Перепечатка и распространение разрешены только в целях защиты прав интеллектуальной собственности. Пожалуйста, указывайте первоисточник и автора при перепечатке. В случае нарушения авторских прав, пожалуйста, свяжитесь с нами для удаления публикации.

Номер телефона компании: +86-0755-83044319
Факс: +86-0755-83975897
Почта: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 Менеджер Ли

QQ: 332496225 Менеджер Цю

Адрес: Комната 809, корпус C, технологический корпус Чжаньтао, проспект Миньчжи, 1079, новый район Лунхуа, Шэньчжэнь.