À partir de 2018, plusieurs chargeurs à charge rapide développés sur la base de la technologie du nitrure de gallium ont été mis en production de masse, et le nitrure de gallium a également commencé officiellement son utilisation commerciale dans le domaine de l'alimentation électrique grand public.

 

Recently, gallium nitride semiconductor materials have been officially included in the "14th Five-Year Plan", which means that the gallium nitride industry will receive strong support from the national level in its future development, and the prospects are worth looking forward to.

 

Le nitrure de gallium (GaN) est un matériau semi-conducteur de troisième génération, vingt fois plus rapide que le silicium (Si) traditionnel et capable de tripler la puissance. Utilisé dans les chargeurs rapides de pointe, il offre des performances nettement supérieures aux produits existants et triple la puissance de sortie à encombrement égal.

 

La technologie émergente du nitrure de gallium offre un large éventail d'applications, notamment dans les domaines des communications 5G, de l'intelligence artificielle, de la conduite autonome, des centres de données et de la recharge rapide. Parmi celles-ci, le marché de la recharge rapide a connu la croissance la plus rapide et est devenu une application de référence pour les technologies de pointe au bénéfice du public. On peut affirmer que chacun peut désormais profiter des avantages des nouvelles technologies, du laboratoire au marché. L'important volume de ventes et la forte demande en recharge rapide ont également favorisé l'amélioration continue de la technologie du nitrure de gallium. Recharge rapide et nitrure de gallium forment une combinaison idéale.

Grâce à ses excellentes performances, la technologie du nitrure de gallium (GaN) a connu un développement fulgurant ces deux dernières années pour les sources de charge rapide. Sa popularité a rapidement grimpé en flèche et elle est désormais reconnue par un nombre croissant de marques et de consommateurs. Composant essentiel de la charge rapide au nitrure de gallium, la puce de puissance GaN est au cœur de toutes les attentions.

Charging Head Network a constaté, grâce à une étude de suivi menée sur le long terme, qu'au cours des deux dernières années, le nombre de fournisseurs de puces de puissance GaN a connu une croissance fulgurante, passant d'un ou deux à plus d'une dizaine. Cet article vous propose un panorama détaillé des principaux acteurs du marché des puces de puissance en nitrure de gallium pour la charge rapide.

De nombreux fabricants font leur entrée sur le marché des dispositifs de puissance au nitrure de gallium

Face à un marché de la charge rapide en pleine expansion, on compte 16 fournisseurs de puces de puissance en nitrure de gallium dans le monde, parmi lesquels Navitas, PI, Innosec, Infineon, STMicroelectronics, Texas Instruments, GaNsystems, Ecomicro, Juneng Chuangxin, Dongke Semiconductor, Nitrogen Silicon Technology, Gallium Future, Quxin Micro, Transphorm, Nenghua et Core Crown Technology.

Il convient de mentionner que la troisième génération de l'usine de semi-conducteurs d'Innosec à Suzhou a accueilli une cérémonie d'installation des équipements en septembre dernier. Cela signifie que cette usine passe de la phase de construction à celle de préparation à la production de masse, marquant ainsi l'achèvement officiel de la plus grande usine de nitrure de gallium au monde et inaugurant une nouvelle ère pour les semi-conducteurs de puissance en Chine.

 

Charging Head Network learned through sorting that the sealed gallium nitride chips currently on the market can be divided into the following four types:

Contrôleur + pilote + GaN : cette approche est représentée par PI, une marque historique de puces de puissance. Basées sur un boîtier InSOP-24D, elles proposent plus d’une dizaine de puces au nitrure de gallium hautement intégrées, comprenant le contrôle principal, les dispositifs de puissance au nitrure de gallium, les contrôleurs de redressement synchrone, etc. Les puces PowiGaN ont séduit de nombreuses marques et sont devenues la référence en matière de puces de charge rapide au nitrure de gallium.

Par ailleurs, parmi les fournisseurs locaux, Dongke Semiconductor s'est distingué en lançant deux puces de contrôle principales, les DKG045Q et DKG065Q, intégrant des dispositifs de puissance au nitrure de gallium, avec des puissances de sortie maximales respectives de 45 W et 65 W. Ces deux puces présentent des avantages considérables en termes de réduction des coûts système et d'accélération du lancement de produits, et leur production en série est prévue pour 2021.

Circuit intégré de commande + GaN : Ce type de puce de puissance en nitrure de gallium est principalement proposé par NanoVis Semiconductor. Ce fabricant est le premier du secteur à avoir commercialisé une puce de puissance en nitrure de gallium avec circuit de commande intégré. Grâce à sa conception périphérique optimisée, elle a séduit les ingénieurs et les fabricants d’alimentations. Fin 2020, les livraisons de ces puces dépassaient les 13 millions d’unités.

Driver+2*GaN : Ce composant demi-pont à double tube intègre deux transistors de puissance au nitrure de gallium et un circuit de commande. Son niveau d'intégration est supérieur à celui des transistors de puissance au nitrure de gallium traditionnels. Ce type de composant est utilisé dans les solutions de charge rapide au nitrure de gallium à architecture ACF et LLC pour une conception périphérique plus compacte. Actuellement, des fabricants tels que NanoVis Semiconductor, Infineon et STMicroelectronics prévoient de commercialiser ce type de puces au nitrure de gallium.

Driver + Protection + GaN: NanoVis Semiconductor recently launched a new generation of gallium nitride power chip NV6128, which integrates GaN FET, driver and logic protection devices. By adding protection circuits to gallium nitride devices and integrating switching transistors and logic circuits, lower parasitic parameters and shorter response times can be obtained. The chip can achieve digital input and high-performance power output, and power engineers can design faster, smaller, and higher-speed power supplies based on this.

Gallium nitride chip brand inventory

Les classements suivants ne sont présentés dans aucun ordre particulier et sont triés par ordre alphabétique de marque uniquement pour la commodité des lecteurs.

ARK Aikewei

 

Aiko Microelectronics se concentre sur le développement de solutions globales à haute densité de puissance et a pour mission de résoudre les problèmes et les goulots d'étranglement liés aux systèmes d'alimentation haute densité. Son équipe principale cumule plus de 20 ans d'expérience dans l'industrie des semi-conducteurs de puissance. Grâce à une innovation continue, une architecture système novatrice et une combinaison pointue de composants de puissance et de solutions d'encapsulation haute efficacité, nous concevons des systèmes d'alimentation performants, de haute qualité et à haut rendement, répondant ainsi aux besoins futurs du marché.

Dans le domaine des solutions de charge rapide AC/DC, Aiko Micro propose non seulement des puces secondaires originales, mais développe également en interne des transistors de puissance MOSFET. Face à la forte demande de haute densité de puissance pour les produits électroniques destinés à diverses applications, nous nous engageons à investir continuellement dans l'innovation, la recherche et le développement, et à collaborer avec nos partenaires pour être leaders sur le marché et façonner l'avenir.

Noyau de concentration d'énergie de Cohenius

 

Qingdao Juneng Chuangxin Microelectronics Co., Ltd. was established in July 2018. The company is located in Qingdao International Innovation Park. It is mainly engaged in the research and development, design, production and sales of third-generation semiconductor gallium nitride on silicon (GaN). It focuses on providing the industry with high-performance, low-cost GaN power device products and technical solutions.

Juneng Chuangxin maîtrise la technologie de pointe du secteur en matière de dispositifs de puissance GaN et de conception d'applications, et s'engage à intégrer les ressources supérieures de l'industrie pour créer un écosystème de développement et d'application de dispositifs GaN, fournissant un support localisé pour les composants de base tels que la charge rapide PD, les appareils électroménagers intelligents, le cloud computing, les communications 5G, etc.

Grâce au soutien de la société cotée Sai Microelectronics (300456) et de fonds d'investissement de renom, Juneng Chuangxin a constitué une équipe de direction et technique de pointe. Tout au long du développement et de la production en série de ses produits, l'entreprise s'engage à respecter des exigences élevées en matière de qualité et de fiabilité. Reconnue par ses partenaires, elle est devenue une entreprise de renommée internationale dans le domaine des semi-conducteurs de troisième génération.

Dans le domaine des alimentations électriques grand public, Juneng Chuangxin fournit des solutions technologiques nationales en matière de matériaux et de dispositifs GaN pour les applications de charge rapide et lance de nouvelles conceptions de référence de charge rapide au nitrure de gallium de 65 W, 100 W et 120 W basées sur des dispositifs de puissance au nitrure de gallium existants.

Corenergy Nenghua

 

La société Jiangsu Nenghua Microelectronics Technology Development Co., Ltd. a été fondée en 2010 par un médecin de retour des États-Unis. Composée d'une équipe de professionnels chinois et internationaux, cette entreprise de haute technologie est spécialisée dans la conception, la recherche et le développement, la production, la fabrication et la vente de dispositifs et de modules en nitrure de gallium à hautes performances, obtenus par épitaxie.

Le nitrure de gallium (GaN) est un représentant de la nouvelle génération de semi-conducteurs composés. Jiangsu Nenghua a mis en place une ligne de production de dispositifs de puissance en GaN. L'investissement total prévu pour ce projet s'élève à 5 milliards de yuans, qui seront investis par tranches. La première phase d'investissement devrait dépasser le milliard de yuans. L'entreprise s'est installée dans le parc industriel national de remanufacturation de Zhangjiagang en 2017. La nouvelle usine couvre une superficie de 30 000 mètres carrés et dispose d'ateliers sans poussière de classes 10 000, 1 000 et 100, équipés de machines de production de pointe et d'un personnel technique qualifié.

Technologie DANXI azote silicium

 

Chengdu Nitrous Silicon Technology Co., Ltd. est une entreprise technologique spécialisée dans la recherche et le développement de semi-conducteurs de troisième génération à base de nitrure de gallium (GTN), destinés à la puissance, ainsi que de circuits intégrés (CI). Elle se concentre sur la conception, le développement, la vente et la fourniture de solutions pour les semi-conducteurs de puissance à base de GTN et leurs circuits de commande. Les deux fondateurs de l'entreprise possèdent chacun plus de cinq ans d'expérience en recherche et développement dans le domaine du GTN.

En mars 2020, Nitrous Silicon Technology a lancé le DX1001, le premier pilote ultra-rapide au nitrure de gallium de Chine. En avril de la même année, elle a lancé une variété de puces de puissance au nitrure de gallium 650 V de niveau de production de masse nationale, les DX6515/6510/6508, qui ont été associées aux puces de pilotage de la société pour entrer dans l'industrie de la charge rapide PD.

Il convient de mentionner que Nitrous Silicon Technology a également lancé le transistor au nitrure de gallium 650 V/160 mΩ, le plus compact et doté de la meilleure capacité de dissipation thermique du marché, inaugurant ainsi une véritable révolution dans le secteur du nitrure de gallium. S'appuyant sur ses dispositifs de puissance au nitrure de gallium existants, Nitrous Silicon Technology a développé quatre ensembles de référence de charge rapide GaN destinés au marché chinois, afin d'enrichir le choix de produits des ingénieurs spécialisés dans les sources de charge rapide.

DONGKE Dongke

 

La société Anhui Dongke Semiconductor Co., Ltd., fondée en 2009 et basée à Ma'anshan (province d'Anhui), est spécialisée dans la recherche et le développement, la production et la vente de puces pour alimentations à découpage, de puces pour redresseurs synchrones, de puces pour convertisseurs abaisseurs (BUCK) et d'autres produits. Elle possède également des filiales à 100 % à Shenzhen et Wuxi, ainsi qu'une société en Inde, chargées des ventes et du support technique à l'international.

Dongke Semiconductor has established R&D centers in Beijing, Qingdao, Wuxi, and Shenzhen. Many returnee doctors are responsible for R&D exploration. It has a 20,000-square-meter packaging workshop and quality laboratory in Ma'anshan, Anhui, with DIP-8/SOP-8/SM-7/SM-10/T O-220 and other product packaging capabilities; the Maanshan Integrated Circuit National Laboratory established at the headquarters of Dongke Semiconductor has various analysis capabilities such as unpacking, failure analysis, mid-term testing, dicing, and high and low temperature testing of chips, providing reliable guarantee for the company's product quality and supply.

Pour les applications dans le domaine de la charge rapide, Dongke Semiconductor a lancé la première puce de puissance du secteur encapsulant des dispositifs de puissance en nitrure de gallium, marquant ainsi une étape importante dans l'histoire du développement de la charge rapide en nitrure de gallium en Chine.

Système GaN

 

GaN Systems was founded in Ottawa, Canada's capital, in 2008. The founder was a former Nortel senior power semiconductor expert. The company focuses on the development of enhancement-mode gallium nitride power devices and provides high-performance, high-reliability enhancement-mode silicon-based GaN HEMT power devices.

GaN Systems has patented GaN chip design, GaNPx chip-scale packaging technology and the most comprehensive 650V and 100V product series on the market, covering low-power consumer electronics to industrial-level power supply applications of tens of kW or more.

GaN Systems adopts a fabless model and works with world-class foundries and supply chains. Since the product began mass production in 2014, it has served more than 2,000 customers worldwide. It has sales branches and application support in China, Japan, South Korea, North America and Europe. It is understood that GaN Systems’ gallium nitride power chips have entered Philips’ fast charging supply chain.

L'avenir du gallium GaNext

 

Zhuhai Gallium Future Technology Co., Ltd. a été fondée en octobre 2020. L'entreprise se consacre à l'innovation technologique et au leadership dans le domaine des dispositifs semi-conducteurs GaN sur silicium de troisième génération. Forte d'une solide expérience et d'une équipe performante, elle vise à développer la technologie GaN localement, à promouvoir le progrès des dispositifs GaN et à assurer une utilisation plus écologique et efficace de l'énergie grâce à la conception innovante de systèmes d'alimentation.

L'équipe fondatrice de l'entreprise est composée de trois experts chevronnés de la technologie et de l'industrie GaN sur silicium, sous la direction du professeur Yu Hongyu de l'École de microélectronique Shenzhen-Hong Kong et du vice-président R&D d'une entreprise américaine de renom spécialisée dans le nitrure de gallium. L'ancien cofondateur de la branche GaN de Huawei rejoint l'équipe afin de bâtir un système intégré performant alliant technologie, production et commercialisation, fort d'une solide expérience. Grâce à des produits performants et innovants, nous favoriserons la localisation de la technologie GaN, en nous appuyant sur le vaste marché chinois des applications de puissance et sur la politique nationale relative aux semi-conducteurs de troisième génération. Notre objectif est d'atteindre l'excellence dans le secteur du nitrure de gallium et de contribuer à la réalisation des objectifs de la Chine en matière de semi-conducteurs de troisième génération.

Micro-cœur de volume GaNPower

 

Suzhou Liangxin Micro Semiconductor Co., Ltd. est une société enregistrée en Chine par la société canadienne GaNPower International Inc. Fondée au Canada en 2015 et basée à Vancouver, GaNPower est une entreprise reconnue mondialement dans le secteur des dispositifs de puissance au nitrure de gallium. Ses produits actuels comprennent principalement des dispositifs de puissance au nitrure de gallium améliorés, disponibles en différents niveaux de courant et formats de boîtier, ainsi que des solutions d'application avancées pour l'électronique de puissance à base de nitrure de gallium.

Suzhou Liangxin Micro Semiconductor Co., Ltd. a remporté le titre de « Talents scientifiques et technologiques de pointe du lac Jinji » du parc industriel de Suzhou en 2019 ; son projet « Dispositifs de puissance au nitrure de gallium et applications industrielles connexes » a été désigné comme projet prioritaire soutenu par le gouvernement. Les dispositifs de puissance au nitrure de gallium de l'entreprise ont reçu la plus prestigieuse récompense du secteur : le prix annuel des dispositifs de puissance lors des ASPENECORE China IC Design Achievement Awards 2020. L'entreprise détient actuellement 40 brevets et demandes de brevets américains et chinois.

Il est rapporté que Liuxin Micro Semiconductor a lancé un dispositif de puissance en nitrure de gallium de 650 V, adapté à la charge rapide de 45 W à 300 W.

Innoscience

 

Innosec Technology Co., Ltd., fondée en décembre 2015, est une entreprise nationale de haute technologie spécialisée dans le développement et la production de dispositifs de puissance et de dispositifs radiofréquences en nitrure de gallium sur silicium (GTN) de 8 pouces. Comptant parmi les plus grands fabricants mondiaux de dispositifs de puissance en GTN, Innosec dispose d'une équipe des plus expérimentées dans le domaine, d'un parc de machines de pointe pour la fabrication de dispositifs GTN de 8 pouces et de capacités systématiques de contrôle et d'analyse qualité en R&D. Ces atouts confèrent à Innosec un avantage concurrentiel majeur sur le marché, grâce à la qualité et aux performances exceptionnelles de ses produits en GTN.

Depuis la mise en place en 2017 de la première ligne de production en série au monde de dispositifs de puissance GaN sur silicium à mode d'enrichissement de 8 pouces, Innosec a commercialisé une variété de dispositifs de puissance GaN de moins de 650 V. Les performances de ces produits ont atteint un niveau international avancé et ils peuvent être largement utilisés dans de nombreux domaines émergents, tels que la charge rapide, les communications 5G, l'intelligence artificielle, la conduite autonome, les centres de données, etc.

Innosec possède actuellement la plus grande usine de nitrure de gallium au monde. Sur le marché de la charge rapide USB PD au nitrure de gallium, ses dispositifs de puissance haute tension 650 V sont utilisés dans de nombreux produits de marques renommées telles que Nubia, Meizu, MOMAX et ROCK. Innosec a récemment lancé la deuxième génération de ses produits InnoGaN, dont les performances sont nettement supérieures à celles de la génération précédente.

Par ailleurs, Innosec a également lancé une gamme de dispositifs de puissance GaN basse tension adaptés au redressement synchrone, à la conversion de tension CC-CC, aux radars laser et à d'autres applications. Sur le marché mondial, Innosec est l'un des rares fabricants de puces IDM à proposer une gamme complète de produits en nitrure de gallium haute et basse tension.

infineon Infineon

 

Infineon Technologies AG est le leader mondial des technologies des semi-conducteurs. Nous contribuons à rendre la vie plus pratique, plus sûre et plus respectueuse de l'environnement. Les produits et solutions microélectroniques d'Infineon vous ouvrent la voie à un avenir prometteur. Au cours de l'exercice 2020 (clos le 30 septembre), l'entreprise a réalisé un chiffre d'affaires de 8.5 milliards d'euros et employait environ 46 700 personnes dans le monde. En avril 2020, Infineon a finalisé l'acquisition de Cypress Semiconductor, devenant ainsi l'un des dix premiers fabricants de semi-conducteurs au monde.

La division Systèmes d'alimentation et de détection d'Infineon propose une vaste gamme de technologies d'alimentation, de connectivité, de radiofréquence (RF) et de détection permettant de réduire la taille et le poids des équipements de charge, des outils électriques et des systèmes d'éclairage, tout en améliorant leur efficacité énergétique. La nouvelle génération de solutions semi-conductrices à base de silicium et à large bande interdite (carbure de silicium/nitrure de gallium) offrira des performances et une fiabilité exceptionnelles pour les applications 5G, le big data et les énergies renouvelables.

Les capteurs haute précision XENSIV confèrent aux objets connectés des capacités sensorielles quasi humaines, leur permettant de percevoir leur environnement et d'y réagir de manière instinctive. Les amplificateurs audio viennent enrichir la gamme de produits de la division Systèmes d'alimentation et de détection, offrant ainsi aux enceintes intelligentes et autres appareils audio une expérience sonore d'une qualité exceptionnelle.

Navitas

 

Navitas Semiconductor est le leader mondial des circuits intégrés de puissance au nitrure de gallium. Fondée en 2014 et basée en Irlande, l'entreprise dispose d'une équipe d'experts solide et en pleine expansion dans le secteur des semi-conducteurs de puissance. Elle bénéficie d'une expérience de pointe dans les matériaux, les dispositifs, les applications, les systèmes, la conception et le marketing. Son fondateur détient plus de 320 brevets.

Les circuits intégrés de puissance GaNFast intègrent des transistors à effet de champ (FET) GaN avec des fonctions de commande, de contrôle et de protection pour une charge plus rapide, une densité de puissance accrue et des économies d'énergie significatives sur les marchés de la téléphonie mobile, de l'électronique grand public, des entreprises, de la mobilité électrique et des énergies nouvelles. Navitas a déposé ou obtenu plus de 120 brevets couvrant tous les aspects des dispositifs GaN : conception de puces, conditionnement, applications et systèmes. L'entreprise a déjà produit et livré avec succès plus de 13 millions de circuits intégrés de puissance au nitrure de gallium GaNFast, se positionnant ainsi comme leader mondial en termes de qualité et de volume de production.

Nanovi Semiconductor a récemment lancé la dernière génération de puces de puissance au nitrure de gallium, la NV6128, dotée de fonctions de pilotage et de protection intégrées et idéale pour les produits de charge rapide haute puissance. Grâce à ses excellentes performances, Nanovi Semiconductor est devenu un fournisseur de puces au nitrure de gallium pour de nombreuses marques renommées telles que Xiaomi, OPPO, Lenovo, Dell et LG, et a développé plus d'une centaine de produits basés sur les puces GaNFast.

PI

 

Power Integrations est un fournisseur de composants électroniques haute performance et de solutions d'alimentation, spécialisé dans la gestion et le contrôle de l'énergie haute tension. Son siège social est situé dans la Silicon Valley, aux États-Unis.

Les circuits intégrés et les diodes de PI permettent de concevoir des alimentations AC-DC compactes, économes en énergie et de petite taille pour de nombreux produits électroniques, notamment les appareils mobiles, l'électroménager, les compteurs intelligents, l'éclairage LED et les applications industrielles. Les pilotes de grille SCALE® améliorent l'efficacité, la fiabilité et la rentabilité des applications haute puissance telles que les moteurs industriels, les systèmes d'énergie solaire et éolienne, les véhicules électriques et le transport de courant continu haute tension.

Depuis son lancement en 1998, la technologie d'économie d'énergie EcoSmart® de Power Integrations a permis d'économiser des milliards de dollars en consommation d'énergie et d'éviter l'émission de millions de tonnes de carbone. Grâce à l'impact environnemental de ses produits, l'action de Power Integrations est intégrée à l'indice boursier des technologies environnementales (Environmental Technology Stock Index) parrainé par Cleantech Group LLC et Clean Edge.

Le réseau Charging Head Network a analysé les produits et constaté que les puces au nitrure de gallium de PI sont utilisées dans les chargeurs rapides de nombreuses marques telles que Xiaomi, OPPO, ANKER, Lulian et Belkin. Par ailleurs, PI a également lancé un nouveau circuit intégré MinE-CAP, dont la taille est réduite de 40 % pour les chargeurs rapides.

STMicroelectronics

 

STMicroelectronics (ST) est le leader mondial des semi-conducteurs, proposant des produits et solutions intelligents et économes en énergie, étroitement liés à notre quotidien. Omniprésents, les produits STMicroelectronics s'engagent à accompagner leurs clients dans le développement de la conduite intelligente, des usines intelligentes, des villes intelligentes et des maisons connectées, ainsi que des produits mobiles et IoT de nouvelle génération. Profitez de la technologie et profitez de la vie. STMicroelectronics promeut le concept d'une vie intelligente grâce à la technologie (life.augmented). En 2018, le chiffre d'affaires net de STMicroelectronics s'élevait à 9.66 milliards de dollars américains et l'entreprise compte plus de 100 000 clients à travers le monde.

Currently, STMicroelectronics has launched a GaN half-bridge device with a built-in driver and two gallium nitride chips, and has launched a set of 65W gallium nitride fast charging reference design based on this chip.

Texas InstrumentsTexas Instruments

 

Texas Instruments is a leading global semiconductor company that designs, manufactures, tests and sells analog and embedded processing chips. For decades, TI has been making progress with more than 80,000 products that help approximately 100,000 customers efficiently manage power, accurately sense and transmit data, and provide core control or processing in their designs to enter markets such as industrial, automotive, personal electronics, communications equipment, and enterprise systems.

On November 10, 2020, Texas Instruments launched two gallium nitride power devices, 650V and 600V, further enriching and expanding its high-voltage power management product line. The new GaN FET family features fast-switching 2.2 MHz integrated gate drivers, helping engineers deliver twice the power density and up to 99% efficiency, and reduce the size of power magnetics by 59% compared to existing solutions.

Transphorm

 

Transphorm conçoit, fabrique et commercialise des dispositifs de puissance semi-conducteurs en nitrure de gallium (GaN) hautes performances et haute fiabilité pour les applications de conversion de puissance haute tension. Transphorm possède un portefeuille de propriété intellectuelle extrêmement important, avec plus de 1 000 brevets approuvés ou en cours d'approbation dans le monde entier. Elle est l'une des premières entreprises IDM du secteur à produire des transistors FET GaN certifiés JEDEC et AEC-Q101.

Grâce à son modèle d'entreprise verticalement intégré, Transphorm est en mesure d'innover à chaque étape du développement de ses produits et technologies, notamment la conception, la fabrication, le support des appareils et des applications. Le site web de la tête de charge a été analysé et a révélé qu'un chargeur au nitrure de gallium de 65 W, précédemment commercialisé par ROMOSS, intègre des composants GaN officiels de Transphorm.

XINGUAN Xinguan Technology

 

Dalian Xinguan Technology Co., Ltd. est un fabricant de premier plan de dispositifs et d'épitaxie en nitrure de gallium (Gnitrure) semi-conducteurs de troisième génération. L'entreprise se consacre à la recherche et au développement, à la conception, à la production et à la promotion de dispositifs de puissance et d'épitaxie en Gnitrure sur silicium. Elle dispose de lignes de production de pointe pour les matériaux épitaxiaux et les dispositifs de puissance, et propose une gamme complète de produits de 650 V. Ces dispositifs de puissance couvrent une plage allant de quelques dizaines de watts à plusieurs kilowatts et sont largement utilisés dans l'électronique grand public (chargeur rapide, adaptateurs haute puissance, etc.), l'électronique industrielle et l'électronique automobile.

Ce transistor de puissance à noyau en nitrure de gallium se caractérise par sa compatibilité avec les pilotes MOS standard et sa simplicité d'utilisation. Il présente une tension de claquage supérieure à 1 500 V et est sûr d'utilisation.

Résumé du réseau de têtes de recharge

Since GaN technology began to be commercialized in the field of consumer power supplies three years ago, there are now hundreds of GaN fast chargers on the market, and the market is developing at a rapid pace. On the one hand, this is due to the brand influence generated by the successive entry of major mobile phone and laptop manufacturers. On the other hand, it is also inseparable from the increasing improvement of the gallium nitride fast charging ecosystem.

According to the incomplete statistics of the charging head website, there are as many as 16 gallium nitride chip suppliers that have entered the fast charging market, with hundreds of solutions; and covering a variety of packaging methods, they can fully meet the current fast charging source market’s selection needs for core devices.

On estime que le soutien important apporté à l'industrie du nitrure de gallium dans le cadre du 14e plan quinquennal national devrait entraîner l'arrivée sur le marché d'un nombre croissant de fabricants de puces de puissance en nitrure de gallium. Non seulement la gamme de produits s'améliorera, mais surtout, le développement à grande échelle de l'industrie du nitrure de gallium permettra d'optimiser les coûts de développement de la charge rapide pour les fabricants d'alimentations. De plus, les puces de puissance en nitrure de gallium deviendront le choix privilégié pour un nombre croissant de sources de charge rapide haute performance.

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