Seit 2018 werden zahlreiche Schnellladegeräte, die auf Basis der Galliumnitrid-Technologie entwickelt wurden, in Serie produziert, und Galliumnitrid wird auch offiziell im Bereich der Verbraucherstromversorgung eingesetzt.

 

Kürzlich wurden Galliumnitrid-Halbleitermaterialien offiziell in den „14. Fünfjahresplan“ aufgenommen, was bedeutet, dass die Galliumnitrid-Industrie in ihrer zukünftigen Entwicklung starke Unterstützung von nationaler Ebene erhalten wird, und die Aussichten sind vielversprechend.

 

Galliumnitrid (GaN) ist ein Halbleitermaterial der dritten Generation, das zwanzigmal schneller arbeitet als herkömmliche Siliziumtechnologie (Si) und die dreifache Leistung erreicht. In hochmodernen Schnellladegeräten eingesetzt, erzielt es eine deutlich höhere Leistung als bestehende Produkte und verdreifacht die Ausgangsleistung bei gleicher Größe.

 

Gallium nitride new technology has a wide range of applications, covering 5G communications, artificial intelligence, autonomous driving, data centers, fast charging, etc. Among them, the fast charging market has developed the fastest and has become a benchmark application for advanced technology to benefit the public. It can be said that everyone can enjoy the convenience of new technologies from the laboratory to the market; and the huge shipments and demand of fast charging have also fed back the continuous iteration of gallium nitride technology. Fast charging and gallium nitride are a perfect match.

Dank seiner hervorragenden Leistung hat sich die Galliumnitrid-Technologie in Schnellladegeräten in den letzten zwei Jahren rasant entwickelt und erfreut sich großer Beliebtheit. Immer mehr Markenhersteller und Verbraucher erkennen die Technologie an. Als Kernkomponente des Galliumnitrid-Schnellladens stehen GaN-Leistungschips daher stets im Mittelpunkt des Interesses.

Charging Head Network hat durch Langzeitstudien festgestellt, dass die Anzahl der GaN-Leistungschip-Anbieter in der Branche in den letzten zwei Jahren rasant von ein bis zwei Anbietern zu Beginn auf über zehn gestiegen ist. Dieser Artikel bietet Ihnen einen detaillierten Überblick über die wichtigsten Akteure im Bereich der Galliumnitrid-Leistungschips für Schnellladeanwendungen.

Viele Hersteller drängen auf den Markt für Galliumnitrid-Leistungshalbleiter.

Angesichts des wachsenden Marktes für Schnellladetechnologie gibt es weltweit 16 Anbieter von Galliumnitrid-Leistungschips, darunter Navitas, PI, Innosec, Infineon, STMicroelectronics, Texas Instruments, GaNsystems, Ecomicro, Juneng Chuangxin, Dongke Semiconductor, Nitrogen Silicon Technology, Gallium Future, Quxin Micro, Transphorm, Nenghua und Core Crown Technology.

Erwähnenswert ist, dass Innosecs Halbleiterwerk der dritten Generation in Suzhou im September letzten Jahres die Inbetriebnahme der Anlagen feierte. Dies bedeutet, dass das Werk von der Bauphase in die Vorbereitungsphase für die Massenproduktion übergegangen ist und damit die weltweit größte Galliumnitridfabrik offiziell fertiggestellt wurde. Gleichzeitig markiert dies den Beginn einer neuen Ära für Chinas Leistungshalbleiterindustrie.

 

Charging Head Network hat durch Sortierung herausgefunden, dass die derzeit auf dem Markt befindlichen versiegelten Galliumnitrid-Chips in folgende vier Typen unterteilt werden können:

Controller + Treiber + GaN: Dieser Ansatz wird vom etablierten Leistungschip-Hersteller PI repräsentiert. Basierend auf dem InSOP-24D-Gehäuse hat das Unternehmen über zehn hochintegrierte Galliumnitrid-Chips auf den Markt gebracht, darunter Hauptsteuerelemente, Galliumnitrid-Leistungshalbleiter, Synchrongleichrichter-Controller usw. PowiGaN-Chips erfreuen sich großer Beliebtheit bei vielen Herstellern und sind führend im Bereich der gekapselten Galliumnitrid-Schnellladechips.

Darüber hinaus übernahm Dongke Semiconductor als einer der lokalen Anbieter die Führung bei der Markteinführung zweier zentraler Steuerchips, DKG045Q und DKG065Q, die Galliumnitrid-Leistungshalbleiter mit maximalen Ausgangsleistungen von 45 W bzw. 65 W integrieren. Beide Chips bieten erhebliche Vorteile hinsichtlich der Systemkostenersparnis und der Beschleunigung der Produkteinführung und sollen voraussichtlich 2021 in Serie gehen.

Treiber + GaN: Diese Art von Galliumnitrid-Leistungschip wird hauptsächlich von NanoVis Semiconductor angeboten. Das Unternehmen war der erste Hersteller der Branche, der einen Galliumnitrid-Leistungschip mit integriertem Treiber auf den Markt brachte. Dank seines optimierten Peripheriedesigns hat er die Gunst von Ingenieuren und Netzteilherstellern gewonnen. Bis Ende 2020 wurden über 13 Millionen Chips ausgeliefert.

Driver+2*GaN: Ein Zweiröhren-Halbbrückenprodukt, das zwei Galliumnitrid-Leistungshalbleiter und einen Treiber kombiniert. Sein Integrationsgrad ist höher als der herkömmlicher Galliumnitrid-Leistungshalbleiter. Solche Produkte werden in Galliumnitrid-Schnellladeprodukten mit ACF- und LLC-Architektur eingesetzt, um ein schlankeres Peripheriedesign zu erzielen. Derzeit planen Hersteller wie NanoVis Semiconductor, Infineon und STMicroelectronics die Entwicklung solcher gekapselter Galliumnitrid-Chips.

Driver + Protection + GaN: NanoVis Semiconductor recently launched a new generation of gallium nitride power chip NV6128, which integrates GaN FET, driver and logic protection devices. By adding protection circuits to gallium nitride devices and integrating switching transistors and logic circuits, lower parasitic parameters and shorter response times can be obtained. The chip can achieve digital input and high-performance power output, and power engineers can design faster, smaller, and higher-speed power supplies based on this.

Galliumnitrid-Chip-Markenbestand

Die folgenden Ranglisten sind in keiner bestimmten Reihenfolge und lediglich alphabetisch nach Marke sortiert, um den Lesern die Übersichtlichkeit zu erleichtern.

ARK Aikewei

 

Aiko Microelectronics konzentriert sich auf die Entwicklung von Komplettlösungen mit hoher Leistungsdichte und hat es sich zur Aufgabe gemacht, die Herausforderungen und Engpässe von Hochleistungs-Leistungssystemen zu beseitigen. Das Kernteam verfügt über mehr als 20 Jahre Erfahrung in der Leistungshalbleiterindustrie. Durch kontinuierliche Innovation, zukunftsweisende Systemarchitektur und die optimale Kombination von Leistungshalbleitern und hocheffizienten Gehäusen realisieren wir hochwertige, hocheffiziente und energieeffiziente Stromversorgungssysteme, die den zukünftigen Anforderungen des Marktes gerecht werden.

Im Bereich der AC/DC-Schnellladelösungen bringt Aiko Micro nicht nur eigene Sekundärchips auf den Markt, sondern entwickelt auch eigenständig MOSFET-Leistungshalbleiter. Angesichts der starken Nachfrage nach hoher Leistungsdichte in Elektronikprodukten für vielfältige Anwendungen investieren wir kontinuierlich in Innovation, Forschung und Entwicklung und arbeiten mit unseren Partnern zusammen, um den Markt anzuführen und die Zukunft zu gestalten.

Cohenius-Energiekonzentrationskern

 

Qingdao Juneng Chuangxin Microelectronics Co., Ltd. wurde im Juli 2018 gegründet und hat seinen Sitz im Qingdao International Innovation Park. Das Unternehmen ist hauptsächlich in der Forschung und Entwicklung, dem Design, der Produktion und dem Vertrieb von Halbleitern der dritten Generation auf Basis von Galliumnitrid auf Silizium (GaN) tätig. Der Fokus liegt auf der Bereitstellung von leistungsstarken und kostengünstigen GaN-Leistungshalbleitern und technischen Lösungen für die Industrie.

Juneng Chuangxin beherrscht die branchenführende Technologie für GaN-Leistungsbauelemente und Anwendungsdesign und hat sich zum Ziel gesetzt, die überlegenen Ressourcen der Branche zu integrieren, um ein Ökosystem für die Entwicklung und Anwendung von GaN-Bauelementen zu schaffen und lokale Unterstützung für Kernkomponenten für PD-Schnellladung, intelligente Haushaltsgeräte, Cloud Computing, 5G-Kommunikation usw. zu bieten.

Gestützt auf die Unterstützung des börsennotierten Unternehmens Sai Microelectronics (300456) und namhafter Investmentfonds hat Juneng Chuangxin ein branchenführendes Management- und Technikerteam aufgebaut. Bei der Produktentwicklung und Serienfertigung halten wir uns stets an die Anforderungen höchster Qualität und Zuverlässigkeit. Dank der breiten Anerkennung unserer Partner hat sich das Unternehmen zu einem international renommierten Akteur im Bereich der Halbleitertechnologie der dritten Generation entwickelt.

Im Bereich der Verbrauchernetzteile bietet Juneng Chuangxin Lösungen für die GaN-Material- und Gerätetechnologie im Inland für Schnellladeanwendungen an und bringt neue Referenzdesigns für 65-W-, 100-W- und 120-W-Schnellladeanwendungen auf Basis bestehender Galliumnitrid-Leistungsbauelemente auf den Markt.

Corenergy Nenghua

 

Jiangsu Nenghua Microelectronics Technology Development Co., Ltd. wurde 2010 von einem Arzt gegründet, der nach einem Studium in den USA zurückkehrte. Das Team vereint zahlreiche in- und ausländische Fachkräfte und ist ein Hightech-Unternehmen, das sich auf die Entwicklung, Forschung und Entwicklung, Produktion, Fertigung und den Vertrieb von Hochleistungs-Galliumnitrid-Epitaxie-Wafern, -Bauelementen und -Modulen spezialisiert hat.

Galliumnitrid (GaN) ist ein Vertreter der neuen Generation von Verbindungshalbleitern. Jiangsu Nenghua hat eine Produktionslinie für GaN-Leistungshalbleiter errichtet. Die geplante Gesamtinvestition für das Projekt beträgt 5 Milliarden Yuan und wird in Raten geleistet. Die Investition in der ersten Phase wird voraussichtlich 1 Milliarde Yuan übersteigen. Das Unternehmen zog 2017 in den Nationalen Industriepark für Wiederaufbereitung Zhangjiagang. Das neue Werk erstreckt sich über eine Fläche von 30,000 Quadratmetern und verfügt über Reinräume der Klassen 10,000, 1,000 und 100, die mit modernster Produktionsausrüstung und qualifiziertem Fachpersonal ausgestattet sind.

DANXI-Stickstoff-Silizium-Technologie

 

Chengdu Nitrous Silicon Technology Co., Ltd. ist ein Technologieunternehmen, das sich auf die Forschung und Entwicklung von Galliumnitrid-Leistungshalbleitern und integrierten Schaltungen der dritten Generation spezialisiert hat. Der Fokus liegt auf Design, Entwicklung, Vertrieb und Lösungsbereitstellung für Galliumnitrid-Leistungshalbleiter und deren Treiberchips. Die beiden Firmengründer verfügen jeweils über mehr als fünf Jahre einschlägige Forschungs- und Entwicklungserfahrung im Bereich Galliumnitrid.

Nitrous Silicon Technology brachte im März 2020 Chinas ersten Galliumnitrid-Ultrahochgeschwindigkeitstreiber DX1001 auf den Markt. Im April desselben Jahres folgte eine Reihe von inländischen Massenproduktions-Leistungschips mit 650 V Galliumnitrid DX6515/6510/6508, die mit den Treiberchips des Unternehmens kombiniert wurden, um in die PD-Schnellladeindustrie einzusteigen.

Erwähnenswert ist, dass Nitrous Silicon Technology auch den 650-V/160-mΩ-Galliumnitrid-Transistor mit der branchenweit kleinsten Baugröße und stärksten Wärmeableitung auf den Markt gebracht und damit die Galliumnitrid-Industrie revolutioniert hat. Basierend auf bestehenden Galliumnitrid-Leistungshalbleitern hat Nitrous Silicon Technology vier Referenzdesigns für GaN-Schnellladetechnologien entwickelt, um die Produktauswahl für Entwickler von Schnellladequellen zu erweitern.

DONGKE Dongke

 

Anhui Dongke Semiconductor Co., Ltd. wurde 2009 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Ma'anshan, Provinz Anhui. Das Unternehmen ist hauptsächlich in der Forschung und Entwicklung, der Produktion und dem Vertrieb von Schaltnetzteil-Chips, Synchrongleichrichter-Chips, Abwärtswandler-Leistungschips und weiteren Produkten tätig. Darüber hinaus unterhält das Unternehmen hundertprozentige Tochtergesellschaften in Shenzhen und Wuxi sowie eine indische Niederlassung, die für den weltweiten Vertrieb und den technischen Support zuständig ist.

Dongke Semiconductor unterhält Forschungs- und Entwicklungszentren in Peking, Qingdao, Wuxi und Shenzhen. Zahlreiche zurückkehrende Doktoren sind in der Forschung und Entwicklung tätig. Das Unternehmen verfügt über eine 20,000 Quadratmeter große Verpackungswerkstatt und ein Qualitätslabor in Ma'anshan, Provinz Anhui, mit Verpackungskapazitäten für DIP-8, SOP-8, SM-7, SM-10, T O-220 und weitere Produkttypen. Das am Hauptsitz von Dongke Semiconductor eingerichtete Nationale Labor für Integrierte Schaltungen in Ma'anshan bietet vielfältige Analysemöglichkeiten wie Auspacken, Fehleranalyse, Zwischenprüfung, Vereinzeln sowie Hoch- und Tieftemperaturtests von Chips und gewährleistet so die zuverlässige Produktqualität und Lieferfähigkeit des Unternehmens.

Für Anwendungen im Bereich des Schnellladens brachte Dongke Semiconductor den branchenweit ersten Leistungschip auf den Markt, der Galliumnitrid-Leistungsbauelemente integriert und damit einen Meilenstein in der Entwicklungsgeschichte des heimischen Galliumnitrid-Schnellladens darstellt.

GaN-System

 

GaN Systems wurde 2008 in Ottawa, der Hauptstadt Kanadas, gegründet. Der Gründer war zuvor leitender Experte für Leistungshalbleiter bei Nortel. Das Unternehmen konzentriert sich auf die Entwicklung von Galliumnitrid-Leistungshalbleitern im Anreicherungsmodus und bietet leistungsstarke und zuverlässige Silizium-basierte GaN-HEMT-Leistungshalbleiter im Anreicherungsmodus an.

GaN Systems hat das GaN-Chipdesign, die GaNPx-Chip-Scale-Packaging-Technologie und die umfassendste 650-V- und 100-V-Produktserie auf dem Markt patentiert, die von Unterhaltungselektronik mit geringem Stromverbrauch bis hin zu industriellen Stromversorgungsanwendungen von mehreren zehn Kilowatt oder mehr reicht.

GaN Systems verfolgt ein Fabless-Modell und arbeitet mit erstklassigen Foundries und Lieferketten zusammen. Seit Produktionsbeginn im Jahr 2014 hat das Unternehmen weltweit über 2,000 Kunden beliefert. Vertriebsniederlassungen und Anwendungsunterstützung befinden sich in China, Japan, Südkorea, Nordamerika und Europa. Die Galliumnitrid-Leistungschips von GaN Systems werden in die Schnelllade-Lieferkette von Philips integriert.

GaNext Galliumzukunft

 

Zhuhai Gallium Future Technology Co., Ltd. wurde im Oktober 2020 gegründet. Das Unternehmen hat sich der technologischen Innovation und der Führungsrolle bei GaN-auf-Si-Halbleiterbauelementen der dritten Generation verschrieben. Dank einer hohen Ausgangslage und eines starken Teams werden wir die Lokalisierung der GaN-Technologie realisieren, die Weiterentwicklung der GaN-Bauelementtechnologie vorantreiben und durch innovative Stromversorgungssysteme eine umweltfreundliche und effiziente Energienutzung erreichen.

The company's founding team consists of three senior GaN-on-Si technology/industry experts, led by Professor Yu Hongyu from the Shenzhen-Hong Kong School of Microelectronics and the R&D VP of a well-known American gallium nitride company. The former co-founder of Huawei's GaN industry joins in to build a complete iron triangle of technology, manufacturing, and market, with accumulated experience. Through mature and leading products, we will promote the localization of GaN technology, rely on the support of China's huge power application market and the country's third-generation semiconductor industry policy, march towards the peak of the gallium nitride industry, and help achieve breakthroughs in the country's third-generation semiconductor industry goals.

GaNPower volume core micro

 

Suzhou Liangxin Micro Semiconductor Co., Ltd. ist ein in China registriertes Unternehmen der Canadian GaNPower International Inc. GaNPower wurde 2015 in Kanada gegründet und hat seinen Hauptsitz in Vancouver, Kanada. GaNPower ist ein renommiertes Unternehmen in der globalen Galliumnitrid-Leistungshalbleiterindustrie. Das aktuelle Produktportfolio umfasst vor allem verbesserte Galliumnitrid-Leistungshalbleiter für verschiedene Stromstärken und Gehäuseformen sowie fortschrittliche Leistungselektronik-Anwendungen auf Galliumnitridbasis.

Suzhou Liangxin Micro Semiconductor Co., Ltd. won the title of the 13th Jinji Lake Science and Technology Leading Talents of Suzhou Industrial Park in 2019; "Gallium Nitride Power Devices and Related Industrial Applications" was listed as a key government support project. The company's gallium nitride power device products won the industry's authoritative award: the Annual Power Device Award of the 2020 ASPENCORE China IC Design Achievement Award. The company currently has 40 U.S. and Chinese patents and applications.

Berichten zufolge hat Liuxin Micro Semiconductor ein 650-V-Galliumnitrid-Leistungsbauelement auf den Markt gebracht, das für Schnellladungen von 45 W bis 300 W geeignet ist.

Innowissenschaft

 

Innosec Technology Co., Ltd. wurde im Dezember 2015 gegründet. Das nationale Hightech-Unternehmen ist auf die Entwicklung und Produktion von 8-Zoll-Galliumnitrid-auf-Silizium-Leistungshalbleitern und Hochfrequenzbauelementen spezialisiert. Innosec zählt zu den weltweit größten IDM-Unternehmen (Integrated Device Manufacturer) von Galliumnitrid-Leistungshalbleitern. Das Unternehmen verfügt über ein hochqualifiziertes Team im Galliumnitrid-Bereich, modernste 8-Zoll-Maschinen und systematische Forschungs- und Entwicklungsprozesse mit umfassender Qualitätskontrolle und Analyse. Dies verschafft Innosec einen Wettbewerbsvorteil durch erstklassige Qualität und Leistungsfähigkeit seiner Galliumnitrid-Produkte.

Seit der Inbetriebnahme der weltweit ersten Massenproduktionslinie für 8-Zoll-GaN-auf-Silizium-Leistungshalbleiter im Anreicherungsmodus im Jahr 2017 hat Innosec eine Vielzahl von GaN-Leistungshalbleitern unter 650 V auf den Markt gebracht und vertrieben. Die Leistungskennzahlen der Produkte entsprechen internationalem Spitzenniveau und ermöglichen ein breites Einsatzspektrum in vielen Zukunftsfeldern wie Schnellladen, 5G-Kommunikation, künstlicher Intelligenz, autonomem Fahren, Rechenzentren usw.

Innosec betreibt derzeit die weltweit größte Galliumnitrid-Fabrik. Im Markt für USB-PD-Schnellladetechnologie mit Galliumnitrid werden die 650-V-Hochspannungs-Galliumnitrid-Leistungshalbleiter von Innosec in zahlreichen Produkten namhafter Marken wie Nubia, Meizu, MOMAX und ROCK eingesetzt. Kürzlich hat Innosec die zweite Generation der InnoGaN-Produkte auf den Markt gebracht, deren Leistung im Vergleich zur Vorgängergeneration deutlich verbessert wurde.

Darüber hinaus hat Innosec eine Reihe von Niederspannungs-GaN-Leistungshalbleitern auf den Markt gebracht, die sich für Synchrongleichrichtung, DC/DC-Spannungswandlung, Laser-Radar und weitere Anwendungsgebiete eignen. Weltweit zählt Innosec zu den wenigen IDM-Chipherstellern mit einem umfassenden Sortiment an Galliumnitrid-Produkten für Hoch- und Niederspannung.

Infineon Infineon

 

Die Infineon Technologies AG ist das weltweit führende Halbleitertechnologieunternehmen. Wir gestalten das Leben der Menschen komfortabler, sicherer und umweltfreundlicher. Die mikroelektronischen Produkte und Lösungen von Infineon ebnen Ihnen den Weg in eine erfolgreiche Zukunft. Im Geschäftsjahr 2020 (zum 30. September) erzielte das Unternehmen einen Umsatz von 8.5 Milliarden Euro und beschäftigte weltweit rund 46,700 Mitarbeiter. Im April 2020 schloss Infineon die Übernahme von Cypress Semiconductor ab und zählt damit zu den zehn größten Halbleiterherstellern der Welt.

Infineons Division Power & Sensing Systems bietet ein breites Spektrum an Technologien für Stromversorgung, Konnektivität, Hochfrequenz (HF) und Sensorik. Diese ermöglichen es, Ladegeräte, Elektrowerkzeuge und Beleuchtungssysteme kleiner und leichter zu gestalten und gleichzeitig die Energieeffizienz zu verbessern. Die neue Generation von Silizium-basierten Halbleiterlösungen mit großem Bandabstand (Siliziumkarbid/Galliumnitrid) wird in Anwendungen für 5G, Big Data und erneuerbare Energien eine beispiellose Leistung und Zuverlässigkeit bieten.

Die hochpräzisen Sensorlösungen von XENSIV verleihen IoT-Geräten menschenähnliche Sinneswahrnehmungen und ermöglichen es ihnen, ihre Umgebung zu erfassen und intuitiv zu reagieren. Audioverstärker erweitern das Produktportfolio der Division Power and Sensing Systems und sorgen dafür, dass intelligente Lautsprecher und andere Audiogeräte ein exzellentes Klangerlebnis bieten.

Navitas

 

Navitas Semiconductor ist der weltweit führende Hersteller von Galliumnitrid-Leistungshalbleitern. Das 2014 gegründete und in Irland ansässige Unternehmen verfügt über ein starkes und stetig wachsendes Expertenteam in der Leistungshalbleiterindustrie. Navitas Semiconductor besitzt branchenführende Erfahrung in den Bereichen Materialien, Bauelemente, Anwendungen, Systeme, Design und Marketing. Der Firmengründer hält mehr als 320 Patente.

GaNFast-Leistungs-ICs integrieren GaN-Leistungselektronik (FETs) mit Ansteuerung, Steuerung und Schutzfunktionen und ermöglichen so schnelleres Laden, höhere Leistungsdichte und größere Energieeinsparungen für Mobilgeräte, Unterhaltungselektronik, Unternehmen, Elektromobilität und neue Energiemärkte. Navitas hat über 120 Patente in allen Bereichen von GaN-Bauelementen, Chipdesign, Gehäusen, Anwendungen und Systemen angemeldet und weitere erteilt. Das Unternehmen hat die Produktion abgeschlossen und mehr als 13 Millionen GaNFast-Galliumnitrid-Leistungs-ICs erfolgreich ausgeliefert und ist damit weltweit führend in Produktqualität und Liefervolumen.

Nanovi Semiconductor hat kürzlich die neueste Generation des Galliumnitrid-Leistungschips NV6128 vorgestellt. Dieser verfügt über integrierte Treiber- und Schutzfunktionen und eignet sich für Produkte mit hoher Schnellladeleistung. Dank seiner hervorragenden Produktleistung hat sich Nanovi Semiconductor zu einem Zulieferer von Galliumnitrid-Chips für viele namhafte Marken wie Xiaomi, OPPO, Lenovo, Dell und LG entwickelt und bereits über hundert Produkte auf Basis von GaNFast-Chips realisiert.

PI

 

Power Integrations ist ein Anbieter von Hochleistungselektronikkomponenten und Stromversorgungslösungen mit Schwerpunkt auf Hochspannungs-Energiemanagement und -Steuerung. Das Unternehmen hat seinen Hauptsitz im Silicon Valley, USA.

Die von PI entwickelten integrierten Schaltungen und Dioden ermöglichen den Bau kleiner, kompakter und energieeffizienter AC/DC-Netzteile für zahlreiche elektronische Produkte, darunter Mobilgeräte, Haushaltsgeräte, intelligente Zähler, LED-Leuchten und industrielle Anwendungen. SCALE®-Gate-Treiber verbessern Effizienz, Zuverlässigkeit und Wirtschaftlichkeit in Hochleistungsanwendungen wie Industriemotoren, Solar- und Windenergieanlagen, Elektrofahrzeugen und Hochspannungs-Gleichstromübertragung.

Seit ihrer Einführung im Jahr 1998 hat die Energiespartechnologie EcoSmart® von Power Integrations Milliarden von Dollar an Energiekosten eingespart und Millionen Tonnen CO₂-Emissionen vermieden. Aufgrund der positiven Umweltauswirkungen ihrer Produkte ist die Aktie von Power Integrations im Environmental Technology Stock Index der Cleantech Group LLC und Clean Edge gelistet.

Das Charging Head Network analysierte die Geräte und fand heraus, dass die Galliumnitrid-Chips von PI in Schnellladegeräten zahlreicher Marken wie Xiaomi, OPPO, Anker, Lulian und Belkin zum Einsatz kommen. Darüber hinaus hat PI den neuen MinE-CAP-IC vorgestellt, der in Schnellladegeräten eine um 40 % reduzierte Größe ermöglicht.

STMicroelectronics

 

STMicroelectronics (ST) ist das weltweit führende Halbleiterunternehmen und bietet intelligente, energieeffiziente Produkte und Lösungen für den Alltag. Die Produkte von STMicroelectronics sind allgegenwärtig, und wir arbeiten eng mit unseren Kunden zusammen, um intelligentes Fahren, intelligente Fabriken, intelligente Städte und intelligente Häuser sowie mobile und IoT-Produkte der nächsten Generation zu ermöglichen. Technologie und Lebensqualität stehen bei STMicroelectronics im Mittelpunkt. STMicroelectronics vertritt das Konzept „Technologie für ein intelligenteres Leben“ (life.augmented). Der Nettoumsatz von STMicroelectronics betrug 2018 9.66 Milliarden US-Dollar, und das Unternehmen betreut weltweit über 100,000 Kunden.

Currently, STMicroelectronics has launched a GaN half-bridge device with a built-in driver and two gallium nitride chips, and has launched a set of 65W gallium nitride fast charging reference design based on this chip.

Texas Instruments

 

Texas Instruments ist ein weltweit führendes Halbleiterunternehmen, das analoge und eingebettete Prozessoren entwickelt, fertigt, testet und vertreibt. Seit Jahrzehnten erzielt TI mit über 80,000 Produkten Fortschritte, die rund 100,000 Kunden dabei unterstützen, Energie effizient zu verwalten, Daten präzise zu erfassen und zu übertragen sowie zentrale Steuerungs- und Verarbeitungsfunktionen in ihre Designs zu integrieren. So erschließen sich Kunden Märkte wie Industrie, Automobil, Unterhaltungselektronik, Kommunikationstechnik und Unternehmenssysteme.

Am 10. November 2020 brachte Texas Instruments zwei neue Galliumnitrid-Leistungshalbleiter (GaN-FETs) mit 650 V und 600 V auf den Markt und erweiterte damit sein Produktportfolio im Bereich Hochspannungs-Leistungsmanagement. Die neue GaN-FET-Familie zeichnet sich durch schnell schaltende, integrierte Gate-Treiber mit 2.2 MHz aus. Dadurch können Entwickler die doppelte Leistungsdichte und einen Wirkungsgrad von bis zu 99 % erreichen sowie die Größe der Leistungsmagnetik im Vergleich zu bestehenden Lösungen um 59 % reduzieren.

Transphorm

 

Transphorm designs, manufactures and sells high-performance, high-reliability gallium nitride (GaN) semiconductor power devices for high-voltage power conversion applications. Transphorm holds an extremely large intellectual property portfolio, with more than 1,000 patents approved and awaiting approval around the world. It is one of the first IDM companies in the industry to produce GaN FETs certified by JEDEC and AEC-Q101.

Dank seines vertikal integrierten Geschäftsmodells kann Transphorm in jeder Phase der Produkt- und Technologieentwicklung Innovationen vorantreiben – von Design und Fertigung bis hin zu Geräte- und Anwendungssupport. Die Website des Ladegeräts wurde analysiert und ergab, dass ein zuvor von ROMOSS auf den Markt gebrachtes 65-Watt-Galliumnitrid-Ladegerät mit originalen Transphorm-GaN-Bauelementen ausgestattet ist.

XINGUAN Xinguan-Technologie

 

Dalian Xinguan Technology Co., Ltd. ist ein weltweit führender Hersteller von Galliumnitrid-Epitaxie-Halbleitern der dritten Generation und entsprechenden Bauelementen. Das Unternehmen widmet sich der Forschung und Entwicklung, dem Design, der Produktion und dem Vertrieb von Silizium-basierten Galliumnitrid-Epitaxie- und Leistungshalbleitern. Es verfügt über fortschrittliche Produktionslinien für Epitaxiematerialien und Leistungshalbleiter und bietet ein umfassendes Leistungshalbleiter-Sortiment für 650 V an. Die Leistungshalbleiter finden Anwendung im Leistungsbereich von einigen zehn Watt bis zu mehreren Kilowatt und werden in der Unterhaltungselektronik (Schnellladegeräte, Hochleistungsnetzteile etc.), der Industrieelektronik und der Automobilelektronik eingesetzt.

The characteristics of the core cap gallium nitride power device are that it is compatible with standard MOS drivers and has simple application design. It has a breakdown voltage of over 1500V and is safe to use.

Zusammenfassung des Ladekopfnetzes

Seitdem die GaN-Technologie vor drei Jahren im Bereich der Verbrauchernetzteile kommerziell eingeführt wurde, sind mittlerweile Hunderte von GaN-Schnellladegeräten auf dem Markt, und der Markt entwickelt sich rasant. Dies ist zum einen auf den Markeneinfluss zurückzuführen, der durch den sukzessiven Markteintritt großer Mobiltelefon- und Laptop-Hersteller entstanden ist. Zum anderen spielt auch die stetige Verbesserung des Ökosystems für Galliumnitrid-Schnellladung eine entscheidende Rolle.

Laut den unvollständigen Statistiken der Webseite für Ladeköpfe gibt es sage und schreibe 16 Galliumnitrid-Chip-Lieferanten, die in den Markt für Schnellladung eingetreten sind und Hunderte von Lösungen anbieten; und sie decken eine Vielzahl von Gehäusemethoden ab und können die aktuellen Auswahlbedürfnisse des Marktes für Schnellladequellen für Kerngeräte vollständig erfüllen.

Es wird erwartet, dass dank der starken Förderung der Galliumnitrid-Industrie im Rahmen des 14. Fünfjahresplans des Landes immer mehr Hersteller von Galliumnitrid-Leistungschips in den Markt eintreten werden. Nicht nur die Produktpalette wird sich weiterentwickeln, sondern – was noch wichtiger ist – mit der großflächigen Entwicklung der Galliumnitrid-Industrie werden sich die Entwicklungskosten für Galliumnitrid-Schnellladegeräte für Netzteilhersteller optimieren. Galliumnitrid-Leistungschips werden sich zudem als erste Wahl für immer mehr Hochleistungs-Schnellladegeräte etablieren.

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