A partir de 2018, diversos carregadores de carregamento rápido desenvolvidos com base na tecnologia de nitreto de gálio entraram em produção em massa, e o nitreto de gálio também começou oficialmente a ser usado comercialmente no campo de fontes de alimentação para o consumidor.

 

Recentemente, os materiais semicondutores de nitreto de gálio foram oficialmente incluídos no "14º Plano Quinquenal", o que significa que a indústria de nitreto de gálio receberá forte apoio do governo nacional em seu desenvolvimento futuro, e as perspectivas são promissoras.

 

O nitreto de gálio (GaN) é um material semicondutor de terceira geração que opera vinte vezes mais rápido que a tecnologia tradicional de silício (Si) e pode atingir uma potência três vezes maior. Quando usado em carregadores rápidos de última geração, ele pode alcançar um desempenho que supera em muito os produtos existentes e triplica a potência de saída com o mesmo tamanho.

 

A nova tecnologia de nitreto de gálio possui uma ampla gama de aplicações, abrangendo comunicações 5G, inteligência artificial, direção autônoma, data centers, carregamento rápido, etc. Dentre elas, o mercado de carregamento rápido é o que apresentou o crescimento mais acelerado e se tornou uma aplicação de referência para tecnologias avançadas que beneficiam o público. Pode-se dizer que todos podem desfrutar da conveniência das novas tecnologias, desde o laboratório até o mercado; e o grande volume de vendas e a alta demanda por carregamento rápido também impulsionaram a constante evolução da tecnologia de nitreto de gálio. Carregamento rápido e nitreto de gálio formam uma combinação perfeita.

Graças ao seu excelente desempenho, o desenvolvimento da tecnologia de nitreto de gálio em fontes de carregamento rápido tem sido acelerado nos últimos dois anos, sua popularidade cresceu rapidamente e ela tem sido reconhecida por um número cada vez maior de marcas, clientes e consumidores. Como componente central do carregamento rápido por nitreto de gálio, os chips de potência de GaN sempre estiveram no centro das atenções.

A Charging Head Network constatou, por meio de pesquisas de acompanhamento de longo prazo, que nos últimos dois anos o número de fornecedores de chips de potência de GaN no setor cresceu rapidamente, passando de um ou dois no início para mais de dez. O artigo de hoje tem como objetivo fornecer uma visão detalhada dos principais players no campo dos chips de potência de nitreto de gálio no atual cenário de carregamento rápido.

Muitos fabricantes estão entrando no mercado de dispositivos de potência de nitreto de gálio.

Diante do crescente mercado de carregamento rápido, existem 16 fornecedores de chips de potência de nitreto de gálio em todo o mundo, incluindo Navitas, PI, Innosec, Infineon, STMicroelectronics, Texas Instruments, GaNsystems, Ecomicro, Juneng Chuangxin, Dongke Semiconductor, Nitrogen Silicon Technology, Gallium Future, Quxin Micro, Transphorm, Nenghua e Core Crown Technology.

Vale mencionar que a terceira geração da base de semicondutores da Innosec em Suzhou realizou uma cerimônia de instalação de equipamentos em setembro do ano passado. Isso significa que a terceira geração da base de semicondutores da Innosec em Suzhou começou a transição da fase de construção da fábrica para a fase de preparação para a produção em massa, marcando a conclusão oficial da maior fábrica de nitreto de gálio do mundo e indicando que o setor de semicondutores de potência da China entrou em uma nova era.

 

A Charging Head Network descobriu, através de análises, que os chips de nitreto de gálio selados atualmente no mercado podem ser divididos nos seguintes quatro tipos:

Controlador + driver + GaN: Essa abordagem é representada pela antiga marca de chips de potência PI. Baseados na embalagem InSOP-24D, eles lançaram mais de dez chips de nitreto de gálio altamente integrados, que incluem controlador principal, dispositivos de potência de nitreto de gálio, controladores de retificação síncrona, etc. Os chips PowiGaN conquistaram muitas marcas e se tornaram líderes no campo de chips de nitreto de gálio encapsulados para carregamento rápido.

Além disso, entre os fornecedores locais, a Dongke Semiconductor liderou o lançamento de dois chips de controle principais, o DKG045Q e o DKG065Q, que encapsulam dispositivos de potência de nitreto de gálio, com potências de saída máximas correspondentes de 45 W e 65 W, respectivamente. Ambos os chips apresentam grandes vantagens em termos de redução de custos de sistema e aceleração do lançamento de produtos, e espera-se que entrem em produção em massa em 2021.

Driver + GaN: Este tipo de chip de potência de nitreto de gálio encapsulado é principalmente representado pela NanoVis Semiconductor. Ela foi a primeira fabricante do setor a lançar um chip de potência de nitreto de gálio com driver integrado. Com seu design periférico simplificado, conquistou a preferência de engenheiros e fabricantes de fontes de alimentação. Até o final de 2020, as remessas de chips ultrapassaram 13 milhões de unidades.

Driver+2*GaN: Um produto de meio-ponte de tubo duplo que combina dois dispositivos de potência de nitreto de gálio e um driver. Seu nível de integração é superior ao dos dispositivos de potência de nitreto de gálio tradicionais. Esses produtos são usados ​​em arquiteturas ACF e LLC para carregamento rápido de nitreto de gálio, visando um design periférico mais simplificado. Atualmente, fabricantes como NanoVis Semiconductor, Infineon e STMicroelectronics têm planos para esse tipo de chip de nitreto de gálio encapsulado.

Driver + Proteção + GaN: A NanoVis Semiconductor lançou recentemente uma nova geração de chips de potência em nitreto de gálio (GaN), o NV6128, que integra FETs de GaN, drivers e dispositivos de proteção lógica. Ao adicionar circuitos de proteção aos dispositivos de nitreto de gálio e integrar transistores de comutação e circuitos lógicos, é possível obter parâmetros parasitas mais baixos e tempos de resposta mais curtos. O chip permite entrada digital e saída de potência de alto desempenho, possibilitando que engenheiros de energia projetem fontes de alimentação mais rápidas, compactas e de maior velocidade com base nele.

Inventário de chips de nitreto de gálio da marca

A classificação a seguir não segue nenhuma ordem específica e está organizada apenas em ordem alfabética por marca para facilitar a consulta pelos leitores.

ARK Aikewei

 

A Aiko Microelectronics concentra-se no desenvolvimento de soluções completas de alta densidade de potência e tem como missão solucionar os principais desafios e gargalos causados ​​por sistemas de energia de alta densidade. A equipe principal possui mais de 20 anos de experiência profissional na indústria de semicondutores de potência. Por meio de inovação contínua, arquitetura de sistema visionária e uma combinação precisa de dispositivos de potência e encapsulamento de alta eficiência, alcançamos sistemas de energia de alta qualidade, alta eficiência e pureza para atender às necessidades futuras do mercado.

Na solução de carregamento rápido AC/DC, a Aiko Micro não só lança chips secundários originais, como também desenvolve dispositivos de potência MOSFET de forma independente. Com a forte demanda por alta densidade de potência em produtos eletrônicos para diversas aplicações, estamos comprometidos com o investimento contínuo, a inovação, a pesquisa e o desenvolvimento, e com a colaboração de nossos parceiros para liderar o mercado e construir o futuro.

núcleo concentrador de energia Cohenius

 

A Qingdao Juneng Chuangxin Microelectronics Co., Ltd. foi fundada em julho de 2018. A empresa está localizada no Parque Internacional de Inovação de Qingdao. Sua principal atividade é a pesquisa e desenvolvimento, projeto, produção e venda de semicondutores de nitreto de gálio sobre silício (GaN) de terceira geração. O foco da empresa é fornecer ao setor produtos e soluções técnicas de dispositivos de potência GaN de alto desempenho e baixo custo.

Juneng Chuangxin domina a tecnologia líder do setor em dispositivos de potência GaN e design de aplicações, e está comprometida em integrar os recursos superiores do setor para criar um ecossistema de desenvolvimento e aplicação de dispositivos GaN, fornecendo suporte localizado para componentes essenciais como carregamento rápido PD, eletrodomésticos inteligentes, computação em nuvem, comunicações 5G, etc.

Com o apoio da empresa listada Sai Microelectronics (300456) e de fundos de investimento renomados, a Juneng Chuangxin estabeleceu uma equipe de gestão e técnica líder no setor. No processo de desenvolvimento e produção em massa de produtos, sempre priorizamos a alta qualidade e a confiabilidade. Ao mesmo tempo em que conquistamos o reconhecimento de nossos parceiros, nos tornamos gradualmente uma empresa de renome internacional no campo dos semicondutores de terceira geração.

No setor de fontes de alimentação para o consumidor, a Juneng Chuangxin oferece soluções nacionais em tecnologia de materiais e dispositivos de GaN para aplicações de carregamento rápido e lança novos projetos de referência de carregamento rápido de nitreto de gálio de 65 W, 100 W e 120 W baseados em dispositivos de potência de nitreto de gálio já existentes.

Corenergy Nenghua

 

A Jiangsu Nenghua Microelectronics Technology Development Co., Ltd. foi fundada em 2010 por um médico que retornou de seus estudos nos Estados Unidos. A equipe reúne diversos profissionais nacionais e internacionais e é uma empresa de alta tecnologia especializada em projeto, pesquisa e desenvolvimento, produção, fabricação e vendas de wafers, dispositivos e módulos de nitreto de gálio de alto desempenho por epitaxia.

O nitreto de gálio (GaN) é um representante da nova geração de semicondutores compostos. A Jiangsu Nenghua estabeleceu uma linha de produção de dispositivos de potência em GaN. O investimento total planejado para o projeto é de 5 bilhões de yuans, que serão investidos em parcelas. Espera-se que o investimento da primeira fase ultrapasse 1 bilhão de yuans. A empresa mudou-se para o Parque Industrial Nacional de Remanufatura de Zhangjiagang em 2017. A nova fábrica ocupa uma área de 30,000 metros quadrados e possui salas limpas de Classe 10,000, Classe 1,000 e Classe 100, equipadas com maquinário de produção avançado e equipe técnica especializada.

Tecnologia de nitrogênio e silício DANXI

 

A Chengdu Nitrous Silicon Technology Co., Ltd. é uma empresa de tecnologia focada na pesquisa e desenvolvimento de dispositivos de potência e circuitos integrados (CIs) de nitreto de gálio de terceira geração. A empresa concentra-se no projeto, desenvolvimento, vendas e fornecimento de soluções para dispositivos de potência de nitreto de gálio e seus respectivos circuitos de acionamento. Os dois fundadores da empresa possuem mais de 5 anos de experiência relevante em pesquisa e desenvolvimento na área de nitreto de gálio.

Em março de 2020, a Nitrous Silicon Technology lançou o primeiro driver de nitreto de gálio ultrarrápido da China, o DX1001. Em abril do mesmo ano, lançou diversos chips de potência de nitreto de gálio de 650V para produção em massa no mercado interno, os DX6515/6510/6508, que foram combinados com os chips de driver da empresa para entrar no setor de carregamento rápido PD.

Vale destacar que a Nitrous Silicon Technology também lançou o transistor de nitreto de gálio de 650V/160mΩ com o menor tamanho e a maior capacidade de dissipação de calor do setor, liderando a revolução na indústria de nitreto de gálio. Com base em dispositivos de potência de nitreto de gálio já existentes, a Nitrous Silicon Technology lançou 4 conjuntos de projetos de referência para carregamento rápido em GaN, visando atender às necessidades de seleção de produtos dos engenheiros de fontes de carregamento rápido.

DONGKE Dongke

 

A Anhui Dongke Semiconductor Co., Ltd. foi fundada em 2009 e está sediada na cidade de Ma'anshan, província de Anhui. Atua principalmente na pesquisa e desenvolvimento, produção e venda de chips para fontes de alimentação chaveadas, chips de retificação síncrona, chips de potência para circuitos BUCK e outros produtos. Possui também subsidiárias integrais em Shenzhen e Wuxi, além de uma empresa na Índia, responsável pelas vendas e suporte técnico no mercado global.

A Dongke Semiconductor estabeleceu centros de P&D em Pequim, Qingdao, Wuxi e Shenzhen. Muitos doutores que retornaram ao país são responsáveis ​​pela exploração e pesquisa em P&D. Possui uma oficina de embalagem e um laboratório de qualidade de 20,000 metros quadrados em Ma'anshan, Anhui, com capacidades de embalagem de produtos nos formatos DIP-8/SOP-8/SM-7/SM-10/TO-220 e outros; o Laboratório Nacional de Circuitos Integrados de Ma'anshan, estabelecido na sede da Dongke Semiconductor, possui diversas capacidades de análise, como desembalagem, análise de falhas, testes de meio período, corte e testes de alta e baixa temperatura de chips, fornecendo garantia confiável para a qualidade e o fornecimento dos produtos da empresa.

Para aplicações na área de carregamento rápido, a Dongke Semiconductor lançou o primeiro chip de potência do setor que encapsula dispositivos de potência de nitreto de gálio, tornando-se um marco na história do desenvolvimento do carregamento rápido de nitreto de gálio no mercado nacional.

Sistema GaN

 

A GaN Systems foi fundada em Ottawa, capital do Canadá, em 2008. Seu fundador era um ex-especialista sênior em semicondutores de potência da Nortel. A empresa concentra-se no desenvolvimento de dispositivos de potência de nitreto de gálio (GaN) em modo de enriquecimento e fornece dispositivos de potência GaN HEMT baseados em silício, de alto desempenho e alta confiabilidade, também em modo de enriquecimento.

A GaN Systems possui patentes para o design de chips GaN, a tecnologia de encapsulamento em escala de chip GaNPx e a mais completa linha de produtos de 650V e 100V do mercado, abrangendo desde eletrônicos de consumo de baixa potência até aplicações de fontes de alimentação de nível industrial com dezenas de kW ou mais.

A GaN Systems adota um modelo fabless e trabalha com fundições e cadeias de suprimentos de classe mundial. Desde que o produto iniciou a produção em massa em 2014, atendeu a mais de 2,000 clientes em todo o mundo. Possui filiais de vendas e suporte de aplicações na China, Japão, Coreia do Sul, América do Norte e Europa. Sabe-se que os chips de potência de nitreto de gálio da GaN Systems fazem parte da cadeia de suprimentos de carregamento rápido da Philips.

Futuro do gálio GaNext

 

A Zhuhai Gallium Future Technology Co., Ltd. foi fundada em outubro de 2020. A empresa está comprometida com a inovação tecnológica e a liderança em dispositivos semicondutores GaN-on-Si de terceira geração. Com uma base sólida e uma equipe forte, alcançaremos a nacionalização da tecnologia GaN, impulsionaremos o avanço da tecnologia de dispositivos GaN e obteremos o uso sustentável e eficiente de energia por meio do design inovador de sistemas de energia.

A equipe fundadora da empresa é composta por três especialistas seniores em tecnologia/indústria de GaN-on-Si, liderados pelo Professor Yu Hongyu, da Escola de Microeletrônica Shenzhen-Hong Kong, e pelo Vice-Presidente de P&D de uma renomada empresa americana de nitreto de gálio. O ex-cofundador da divisão de GaN da Huawei também se junta à equipe para construir um sólido triângulo de tecnologia, manufatura e mercado, com sua vasta experiência. Por meio de produtos maduros e líderes de mercado, promoveremos a nacionalização da tecnologia GaN, contando com o apoio do enorme mercado de aplicações de energia da China e da política nacional de semicondutores de terceira geração, rumo ao ápice da indústria de nitreto de gálio e contribuindo para o alcance das metas da indústria de semicondutores de terceira geração do país.

micro GaNPower com núcleo de volume

 

A Suzhou Liangxin Micro Semiconductor Co., Ltd. é uma empresa registrada na China pela canadense GaNPower International Inc. A GaNPower foi fundada no Canadá em 2015 e sua sede fica em Vancouver, Canadá. A GaNPower é uma empresa renomada no setor global de dispositivos de potência de nitreto de gálio. Seus produtos atuais incluem principalmente dispositivos de potência de nitreto de gálio aprimorados, abrangendo diferentes níveis de corrente e formatos de encapsulamento, além de soluções avançadas para aplicações de eletrônica de potência baseadas em nitreto de gálio.

A Suzhou Liangxin Micro Semiconductor Co., Ltd. conquistou o título de 13ª Empresa Líder em Ciência e Tecnologia do Parque Industrial de Suzhou, na região do Lago Jinji, em 2019; o projeto "Dispositivos de Potência de Nitreto de Gálio e Aplicações Industriais Relacionadas" foi incluído na lista de projetos prioritários de apoio governamental. Os dispositivos de potência de nitreto de gálio da empresa receberam o prêmio mais prestigiado do setor: o Prêmio Anual de Dispositivos de Potência do ASPENCORE China IC Design Achievement Award de 2020. A empresa possui atualmente 40 patentes e pedidos de patente nos Estados Unidos e na China.

Segundo informações, a Liuxin Micro Semiconductor lançou um dispositivo de potência de nitreto de gálio de 650V, adequado para carregamento rápido de 45W a 300W.

Inociência

 

A Innosec Technology Co., Ltd. foi fundada em dezembro de 2015. É uma empresa nacional de alta tecnologia dedicada ao desenvolvimento e produção de dispositivos de potência e radiofrequência de nitreto de gálio sobre silício (GNSS) de 8 polegadas. A Innosec é uma das maiores empresas IDM (Integrated Device Manufacturer) de dispositivos de potência de nitreto de gálio do mundo. Possui a equipe mais experiente na área de nitreto de gálio, equipamentos avançados para fabricação de 8 polegadas e recursos sistemáticos de controle e análise de qualidade em P&D, o que confere à Innosec uma vantagem competitiva no mercado, com produtos de nitreto de gálio de primeira classe em termos de qualidade e desempenho.

Desde que estabeleceu a primeira linha de produção em massa do mundo de dispositivos de potência GaN-on-Silicon de 8 polegadas com tecnologia de aprimoramento, em 2017, a Innosec lançou e comercializou uma variedade de dispositivos de potência GaN com tensão inferior a 650V. Os indicadores de desempenho dos produtos atingiram o nível avançado internacional e podem ser amplamente utilizados em diversos campos emergentes, como carregamento rápido, comunicações 5G, inteligência artificial, direção autônoma, data centers, etc.

Atualmente, a Innosec construiu a maior fábrica de nitreto de gálio do mundo. No mercado de carregamento rápido USB PD com nitreto de gálio, os dispositivos de alimentação de alta tensão de 650V da Innosec são utilizados em produtos de diversas marcas renomadas, como Nubia, Meizu, MOMAX e ROCK. Recentemente, a Innosec lançou a segunda geração de produtos InnoGaN, com desempenho significativamente aprimorado em comparação à geração anterior.

Além disso, a Innosec também lançou uma variedade de dispositivos de potência GaN de baixa tensão adequados para retificação síncrona, conversão de tensão CC-CC, radar a laser e outras áreas. No mercado global, a Innosec é uma das poucas fabricantes de chips IDM com uma linha completa de produtos de nitreto de gálio de alta e baixa tensão.

Infineon Infineon

 

A Infineon Technologies AG é a empresa líder mundial em tecnologia de semicondutores. Nosso objetivo é tornar a vida das pessoas mais prática, segura e sustentável. Os produtos e soluções microeletrônicas da Infineon conduzem você a um futuro brilhante. No ano fiscal de 2020 (encerrado em 30 de setembro), a empresa registrou vendas de 8.5 bilhões de euros e contava com aproximadamente 46,700 funcionários em todo o mundo. Em abril de 2020, a Infineon concluiu oficialmente a aquisição da Cypress Semiconductor, consolidando-se como uma das dez maiores fabricantes de semicondutores do mundo.

A Divisão de Sistemas de Energia e Sensores da Infineon oferece uma ampla gama de tecnologias de energia, conectividade, radiofrequência (RF) e sensores que permitem que equipamentos de carregamento, ferramentas elétricas e sistemas de iluminação se tornem menores e mais leves, ao mesmo tempo que melhoram a eficiência energética. A nova geração de soluções semicondutoras de silício/banda larga (carboneto de silício/nitreto de gálio) proporcionará desempenho e confiabilidade excepcionais sem precedentes para aplicações 5G, big data e energia renovável.

As soluções de sensores de alta precisão XENSIV conferem aos dispositivos IoT capacidades sensoriais humanas, permitindo que esses dispositivos percebam o ambiente ao seu redor e respondam "instintivamente". Os amplificadores de áudio ampliam a linha de produtos da Divisão de Sistemas de Energia e Sensores, permitindo que alto-falantes inteligentes e outros dispositivos de áudio proporcionem uma experiência sonora de excelente qualidade.

Navitas

 

A Navitas Semiconductor é a empresa líder mundial em circuitos integrados de potência de nitreto de gálio. Fundada em 2014 e sediada na Irlanda, possui uma equipe sólida e crescente de especialistas no setor de semicondutores de potência. Detém experiência líder no setor em materiais, dispositivos, aplicações, sistemas, design e marketing. O fundador da empresa detém mais de 320 patentes.

Os circuitos integrados de potência GaNFast integram transistores de efeito de campo (FETs) de GaN com acionamento, controle e proteção para oferecer carregamento mais rápido, maior densidade de potência e maior economia de energia para os mercados de dispositivos móveis, eletrônicos de consumo, corporativo, mobilidade elétrica e novas energias. A Navitas já concedeu e está solicitando mais de 120 patentes em todos os aspectos de dispositivos GaN, design de chips, encapsulamento, aplicações e sistemas. A empresa concluiu a produção e entregou com sucesso mais de 13 milhões de circuitos integrados de potência de nitreto de gálio GaNFast, liderando o mundo em qualidade de produto e volume de remessas.

Recentemente, a Nanovi Semiconductor lançou a mais recente geração de chips de nitreto de gálio para carregamento rápido, o NV6128, que possui drivers e funções de proteção integrados e é adequado para produtos de carregamento rápido de alta potência. Com seu excelente desempenho, a Nanovi Semiconductor se tornou fornecedora de chips de nitreto de gálio para diversas marcas renomadas, como Xiaomi, OPPO, Lenovo, Dell e LG, e já desenvolveu mais de uma centena de produtos baseados em chips GaNFast.

PI

 

A Power Integrations é uma fornecedora de componentes eletrônicos de alto desempenho e soluções de energia, com foco em gerenciamento e controle de energia de alta tensão. Sua sede fica no Vale do Silício, EUA.

Os circuitos integrados e diodos introduzidos pela PI permitem a criação de fontes de alimentação CA-CC pequenas, compactas e com baixo consumo de energia para diversos produtos eletrônicos, incluindo dispositivos móveis, eletrodomésticos, medidores inteligentes, lâmpadas LED e aplicações industriais. Os drivers de gate SCALE® melhoram a eficiência, a confiabilidade e a relação custo-benefício em aplicações de alta potência, como motores industriais, sistemas de energia solar e eólica, veículos elétricos e transmissão de corrente contínua de alta tensão.

Desde seu lançamento em 1998, a tecnologia de economia de energia EcoSmart® da Power Integrations gerou bilhões de dólares em economia no consumo de energia e evitou a emissão de milhões de toneladas de carbono. Devido ao impacto ambiental de seus produtos, as ações da Power Integrations foram incluídas no Índice de Ações de Tecnologia Ambiental, patrocinado pela Cleantech Group LLC e pela Clean Edge.

O Charging Head Network analisou e descobriu que os chips de nitreto de gálio da PI foram adotados em produtos de carregamento rápido de diversas marcas, como Xiaomi, OPPO, ANKER, Lulian e Belkin. Além disso, a PI também lançou um novo circuito integrado MinE-CAP, que pode ser reduzido em 40% quando usado em carregadores de carregamento rápido.

STMicroelectronics

 

A STMicroelectronics (ST) é a empresa líder mundial em semicondutores, fornecendo produtos e soluções inteligentes e energeticamente eficientes, intimamente ligados ao cotidiano. Os produtos da STMicroelectronics são onipresentes e temos o compromisso de trabalhar com nossos clientes para viabilizar direção autônoma, fábricas inteligentes, cidades inteligentes e casas inteligentes, além de produtos móveis e de IoT de última geração. Desfrute da tecnologia e desfrute da vida. A STMicroelectronics defende o conceito de tecnologia que guia a vida inteligente (life.augmented). A receita líquida da STMicroelectronics em 2018 foi de US$ 9.66 bilhões e a empresa possui mais de 100,000 clientes em todo o mundo.

Atualmente, a STMicroelectronics lançou um dispositivo de meia ponte GaN com um driver integrado e dois chips de nitreto de gálio, além de um conjunto de projetos de referência para carregamento rápido de nitreto de gálio de 65 W baseado nesse chip.

Texas Instruments

 

A Texas Instruments é uma empresa líder global em semicondutores que projeta, fabrica, testa e vende chips analógicos e de processamento embarcado. Há décadas, a TI vem aprimorando seus mais de 80,000 produtos, que ajudam aproximadamente 100,000 clientes a gerenciar energia com eficiência, detectar e transmitir dados com precisão e fornecer controle ou processamento essenciais em seus projetos para ingressar em mercados como os setores industrial, automotivo, de eletrônicos pessoais, de equipamentos de comunicação e de sistemas corporativos.

Em 10 de novembro de 2020, a Texas Instruments lançou dois dispositivos de potência de nitreto de gálio (GaN), de 650 V e 600 V, enriquecendo e expandindo ainda mais sua linha de produtos de gerenciamento de energia de alta tensão. A nova família de FETs de GaN apresenta drivers de gate integrados de comutação rápida de 2.2 MHz, ajudando os engenheiros a obter o dobro da densidade de potência e até 99% de eficiência, além de reduzir o tamanho dos componentes magnéticos de potência em 59% em comparação com as soluções existentes.

Transformar

 

A Transphorm projeta, fabrica e vende dispositivos semicondutores de nitreto de gálio (GaN) de alto desempenho e alta confiabilidade para aplicações de conversão de energia de alta tensão. A Transphorm possui um portfólio de propriedade intelectual extremamente amplo, com mais de 1,000 patentes aprovadas e aguardando aprovação em todo o mundo. É uma das primeiras empresas IDM (Integrated Device Manufacturer) do setor a produzir FETs de GaN certificados pela JEDEC e AEC-Q101.

Graças ao seu modelo de negócios verticalmente integrado, a Transphorm consegue inovar em todas as etapas do desenvolvimento de produtos e tecnologias, incluindo design, fabricação, dispositivos e suporte a aplicações. A análise do site do carregador revelou que um carregador de nitreto de gálio de 65 W, lançado anteriormente pela ROMOSS, possui dispositivos GaN oficiais da Transphorm integrados.

XINGUAN Tecnologia Xinguana

 

A Dalian Xinguan Technology Co., Ltd. é líder mundial na fabricação de dispositivos epitaxiais de nitreto de gálio de terceira geração. A empresa se dedica à pesquisa e desenvolvimento, projeto, produção e promoção de dispositivos de potência epitaxiais de nitreto de gálio baseados em silício. Possui linhas de produção avançadas para materiais epitaxiais e dispositivos de potência, fornecendo produtos de potência de 650V em escala real. As aplicações de potência abrangem a faixa de dezenas de watts a vários quilowatts, sendo amplamente utilizadas em eletrônicos de consumo (carregamento rápido, adaptadores de alta potência, etc.), eletrônicos industriais e eletrônicos automotivos.

As características do transistor de potência de nitreto de gálio com núcleo encapsulado incluem a compatibilidade com drivers MOS padrão e um design de aplicação simples. Possui uma tensão de ruptura superior a 1500V e é seguro para uso.

Resumo da rede de cabeçotes de carregamento

Desde que a tecnologia GaN começou a ser comercializada no campo de fontes de alimentação para o consumidor, há três anos, já existem centenas de carregadores rápidos GaN no mercado, e o setor está se desenvolvendo em ritmo acelerado. Isso se deve, por um lado, à influência das marcas gerada pela entrada sucessiva de grandes fabricantes de celulares e laptops. Por outro lado, também é consequência da crescente melhoria do ecossistema de carregamento rápido com nitreto de gálio.

Segundo as estatísticas incompletas do site de fabricantes de carregadores, existem pelo menos 16 fornecedores de chips de nitreto de gálio que entraram no mercado de carregamento rápido, com centenas de soluções; e abrangendo uma variedade de métodos de encapsulamento, eles podem atender plenamente às necessidades de seleção de dispositivos principais do mercado atual de fontes de carregamento rápido.

Acredita-se que, com o forte apoio da indústria de nitreto de gálio no 14º Plano Quinquenal do país, um número cada vez maior de fabricantes de chips de potência de nitreto de gálio entrará no mercado. Isso não só resultará em uma melhoria na variedade de produtos, como também, e mais importante, com o desenvolvimento em larga escala da indústria de nitreto de gálio, o custo de desenvolvimento de carregamento rápido com nitreto de gálio para os fabricantes de fontes de alimentação será otimizado; e os chips de potência de nitreto de gálio se tornarão a primeira opção para um número crescente de produtos de carregamento rápido de alto desempenho.

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