Niniejszy artykuł pochodzi z raportu zewnętrznego. Poniżej znajdują się klauzule dotyczące wyłączenia odpowiedzialności i ryzyka.

Założyciel technologii·Ramki badawcze:

Display panel cycle l Struktura zabezpieczeń sieci l Struktura kamery l ODM l Xiaomi

OLED l RF chip l RISC·V l Semiconductor Equipment l 5G l Huawei Depth

Produkcja półprzewodników l Półprzewodnik mocy l Struktura internetowa l Blue Chip technologiczny l 5G

Semiconductor·Depth Series:

Technologia Wingtech l Weir Shares l GigaDevice Innovation l Zhuo Shengwei l Zhongwei l Sanan

Północny Huachuang l Goodix l Ziguang l Changdian l Shengbang l Lanqi l BOE

Luxshare lPeng Ding lKorzyść l Bogata rodzina lTransmisja dźwięku l Lexin l Guangfeng l Huaxing l Anji

Computer ·Depth Series:

Nastar l Nanyang Co., Ltd. l Anheng Information l Digital China l Great Wall of China

chińskie oprogramowanie l Kingsoft Office l Sieć UFIDA l Informacje Inspur l Hundsun Electronics

WPS l Flush l Weining Health l Hikvision l Dahua l Kingsoft l Gong Fu

Seria Głębin Północnego Huachuangu:

Northern VS China Micro One l Mikroregion północny kontra mikroregion Chin, część 2 l Północny Huachuang Strona 185 l Mikroregion Chin

Three turning points in the north l Badania inwestycyjne w fabrykach płytek półprzewodnikowych l Tajemnica wyceny północnej części kraju l Trzej muszkieterowie sprzętu

Półprzewodniki mocy należą do dziedziny obwodów pananalogowych. Półprzewodniki mocy są niezbędnym dobrem konsumpcyjnym. Ludzie muszą jeść „drewno opałowe, ryż, olej i sól”. Maszyny również muszą zużywać urządzenia elektryczne. Półprzewodniki mocy są potrzebne wszędzie tam, gdzie zachodzi potrzeba przetwarzania energii elektrycznej. Wahania w przemyśle są zgodne z trendami cen surowców, a produkty są ściśle powiązane z trendami globalnego PKB. Wahania w przemyśle w ciągu 4-5 lat są bardzo spójne z cyklem półprzewodników.

Increased silicon content in single machines drives industry development, and higher efficiency and better cost performance drive technological development. Demand comes from all walks of life, and the increase in the semiconductor (silicon) content of a single machine is the core rule. All technological progress points to, 1) higher power 2) smaller size 3) lower loss 4) better cost performance. The mainstream manufacturers participating in the competition are all IDM models, 1) Quality under the premise of scale 2) Efficiency improvement under the condition of optimizing the cost of each product every year.

Breakthroughs in materials have brought the industry to deeper development. Product form has developed from single diodes and MOS tubes to integrated IGBTs, and from silicon substrates to wide bandgap semiconductor substrates. The wider bandgap makes the product performance and efficiency far better than that of silicon substrate power devices, but currently it is not very advantageous in terms of cost performance. Future Trends As the cost of compound semiconductor manufacturing decreases, it is just around the corner to replace silicon-based power semiconductor devices with their advantages.

Produkty o wysokiej wartości dodanej są od dawna zmonopolizowane przez europejskich i amerykańskich producentów, a ich krajowe zastąpienie jest nieuniknione. Krajowych fabryk modelu IDM jest bardzo niewiele. Główne procesy są w całości realizowane przez europejskich i amerykańskich producentów. Wykorzystując zalety swoich produktów, kontrolują oni cykl dostaw, a tym samym system cenowy całej branży. Zwłaszcza w przypadku tranzystorów MOS wysokiego napięcia i tranzystorów IGBT dużej mocy, cykl dostaw produktu często przekracza 50 tygodni, a ceny od 2016 roku utrzymują się na ścieżce wzrostu.

Model IDM ma więcej zalet, a fabless rozwija się szybciej. Możliwości inwestycyjne w 2020 roku będą wynikać z 3-4-letniego makrocyklu, w którym cykl półprzewodników odradza się i rośnie. Firmy korzystające z modelu IDM mają więcej zalet po stronie kosztów niż fabless. Zaleca się zwrócenie uwagi na powiązane cele łańcucha przemysłowego: Wingtech Technology (600745), Jiejie Microelectronics (300623), Yangjie Technology (300373), Taiji Technology (300046), China Microelectronics (600360), Star Semiconductor (603290), New Energy Saving (A18105), China Resources Microelectronics (A19303).

ostrzeżenie o ryzyku

1) Postępy w produkcji układów scalonych w kraju są niższe od oczekiwanych;

2) Wsparcie polityczne dla przemysłu układów scalonych osłabło;

3) Foreign semiconductor equipment companies embargo equipment to domestic companies.

Semiconductor power devices refer to basic circuit components with a single function, mainly realizing the processing and conversion of electrical energy.

The diode has a simple structure, but it can only be used for rectification and cannot be controlled to turn on or off. Current control switching devices such as power transistors and thyristors. MOSFET and IGBT are voltage-controlled switching devices, which are easy to drive, fast switching speed, and low loss.

Power semiconductors are the core of power conversion and circuit control in electronic devices. They are mainly used to change voltage and frequency, DC to AC conversion, etc. in electronic devices. Power devices are used in any circuit system with current, voltage and phase conversion. The main function of MOSFET and IGBT is to convert the "coarse electricity" with messy voltages and frequencies generated by power generation equipment through a series of conversion modulation into "fine electricity" with specific electric energy parameters and power terminals with varying supply and demand. They are one of the core components of electronic power changing devices.

In the development process of discrete devices, in the 1950s, power diodes and power transistors were introduced and used in industrial and power systems.

From the 1960s to the 1970s, semiconductor power devices such as thyristors developed rapidly.

Pod koniec lat 1970. opracowano planarne tranzystory MOSFET;

In the late 1980s, trench power MOSFETs and IGBTs gradually became available, and semiconductor power devices officially entered the era of electronic applications.

W latach 1990. XX wieku zaczęto stopniowo stosować tranzystory MOSFET z superzłączami, które przełamały tradycyjne „ograniczenia krzemu”, aby sprostać potrzebom zastosowań o dużej mocy i wysokiej częstotliwości.

W 2008 roku firma Infineon jako pierwsza wprowadziła na rynek tranzystory MOSFET z ekranowaną bramką, co jeszcze bardziej poprawiło wydajność półprzewodnikowych urządzeń mocy.

Na rynku krajowym większość produktów z elementów dyskretnych, takich jak diody mocy, triody mocy i tyrystory, została wyprodukowana w kraju. Jednak produkty z elementów dyskretnych, takie jak tranzystory MOSFET i IGBT, nadal w dużej mierze opierają się na imporcie ze względu na zaawansowaną technologię i procesy. W przyszłości istnieje ogromny potencjał substytucji importu.

In recent years, the application fields of power semiconductors have expanded from industrial control and consumer electronics to new energy, rail transit, smart grids, frequency conversion home appliances and many other markets, and the market size has shown steady growth. According to IHS Markit's forecast, the global power device market size in 2018 was approximately US$39.1 billion, and the market size is expected to grow to US$44.1 billion by 2021, with an annual growth rate of 4.1%.

Obecnie krajowy łańcuch dostaw półprzewodników mocy staje się coraz bardziej udoskonalony, a technologia dokonuje przełomów. Jednocześnie Chiny są największym na świecie konsumentem półprzewodników mocy. W 2018 roku popyt na rynku osiągnął 13.8 mld USD, przy tempie wzrostu na poziomie 9.5%, co stanowiło 35% globalnego popytu. Oczekuje się, że chiński rynek półprzewodników mocy utrzyma wysokie tempo wzrostu w przyszłości, a jego wartość ma osiągnąć 15.9 mld USD w 2021 roku, przy rocznym tempie wzrostu na poziomie 4.8%.

Organizacja zajmująca się badaniami rynku IC Insights wskazała, że ​​spośród różnych typów elementów półprzewodnikowych urządzeń mocy, produktami, które w przyszłości będą się najszybciej rozwijać, będą moduły MOSFET i IGBT.

MOSFET is a field effect transistor that can be widely used in analog circuits and digital circuits. It has the advantages of small on-resistance, low loss, simple drive circuit, and good thermal resistance characteristics. It is especially suitable for use in power control fields such as computers, mobile phones, mobile power supplies, vehicle navigation, electric vehicles, and UPS power supplies.

W 2016 r. globalny rynek MOSFET osiągnął wartość 6.2 mld USD, a przewidywany skumulowany roczny wskaźnik wzrostu rynku MOSFET wyniesie 3.4% w latach 2016–2022; przewiduje się, że do 2022 r. globalny rynek MOSFET zbliży się do 7.5 mld USD.

Według statystyk IHSMarkit, wartość rynku MOSFET w moim kraju w 2018 r. wyniosła 2.792 mld USD, przy średniorocznej stopie wzrostu wynoszącej 15.03% w latach 2016–2018. Wraz ze wzrostem skali globalnych pojazdów o nowych źródłach energii, oczekuje się, że popyt rynkowy na MOSFET-y w zastosowaniach motoryzacyjnych będzie rósł szybko, ze średnioroczną stopą wzrostu wynoszącą 5.1% w latach 2016–2022; do 2022 r. popyt na nie w zastosowaniach motoryzacyjnych przewyższy popyt na komputery i systemy przechowywania danych, stanowiąc 22% całkowitego popytu na rynku.

IGBT to kompozytowy, w pełni sterowany, sterowany napięciem element półprzewodnikowy, składający się z triody bipolarnej (BJT) i tranzystora MOSFET. Charakteryzuje się on zarówno wysoką impedancją wejściową tranzystora MOSFET, jak i niskim spadkiem napięcia przewodzenia triody bipolarnej (BJT). Moc sterująca tranzystora IGBT jest niewielka, a napięcie nasycenia jest obniżone. Tranzystor ten doskonale nadaje się do stosowania w układach przekształtnikowych o napięciu stałym 600 V i wyższym, takich jak silniki prądu przemiennego, falowniki, zasilacze impulsowe, obwody oświetleniowe, napędy trakcyjne itp.

According to data from the China Industry Information Network, the global IGBT single-tube market space will reach approximately US$6 billion by 2020, which is a huge market space. It is expected that my country's new energy vehicle and charging pile market will drive domestic market demand for IGBT modules worth 20 billion yuan in the next five years. According to data from the China Industry Information Network, the domestic IGBT market size reached 16.19 billion yuan by 2018, with a compound growth rate of 14.77% from 2010 to 2018; however, my country's IGBT started late, and there is huge room for import substitution in the future.

Semiconductor power devices mainly include power diodes, power transistors, thyristors, MOSFETs, IGBTs, etc., which are used in almost all electronic manufacturing industries, including computers, network communications, consumer electronics, automotive electronics, industrial electronics and other electronic industries. In addition, emerging application fields such as new energy vehicles/charging piles, smart equipment manufacturing, the Internet of Things, and photovoltaic new energy have gradually become important application markets for semiconductor power devices, thus driving their demand growth. In the global power semiconductor market, industrial control accounts for 34%, automobiles 23%, consumer electronics 20%, and communications 23%.

Według statystyk Stowarzyszenia Elektroniki Użytkowej (Consumer Electronics Association), całkowita wartość chińskiego rynku elektroniki użytkowej osiągnęła 1,632.5 mld juanów w 2013 roku, stając się największym rynkiem elektroniki użytkowej na świecie. Według raportu 3C Industry Report z 2017 roku, chiński rynek elektroniki użytkowej przekroczy 2 biliony juanów w 2017 roku, przy przewidywanym wzroście na poziomie 7.1%.

Ochrona ESD jest wymagana dla wszystkich interfejsów telefonu komórkowego, takich jak mikrofony, słuchawki, słuchawki nagłowne, głośniki, karty SIM, karty Micro SD, anteny NFC, anteny GPS, anteny WiFi, ekrany dotykowe, anteny RF 2G/3G/4G, interfejsy USB, baterie litowe oraz pozycje przycisku zasilania. Większość telefonów komórkowych ma ich ponad 20, a nieliczne – ponad 10.

Wraz ze wzrostem wymagań użytkowników w zakresie wydajności ładowania, pojawił się tryb „szybkiego ładowania” do ładowania telefonów komórkowych, który osiąga wysoki prąd i wysoką moc ładowania poprzez zwiększenie napięcia. Jednak wysokie napięcie stwarza zagrożenia dla bezpieczeństwa i wymaga dodania synchronicznych lamp prostowniczych MOS w celu regulacji;

Później pojawił się bezpieczniejszy tryb „ładowania błyskawicznego”, który umożliwia szybkie ładowanie niskim napięciem i wysokim prądem. Wiąże się on z wyższymi wymaganiami dla tranzystorów MOS z synchronicznym prostowaniem. Obecnie bardziej popularny jest tranzystor GaN FET, który pozwala osiągnąć cel mniejszej emisji ciepła i mniejszych rozmiarów.

Automotive electronics occupies a very important position in automobiles. From the perspective of cost structure, it is more important for mid-to-high-end automobiles, electric vehicles, etc.

From traditional cars to new energy cars, the biggest increase in value is power semiconductors. In traditional fuel vehicles, power semiconductors are mainly used in the fields of starting, stopping and safety, accounting for only 20%. According to the value of a semiconductor bicycle in a traditional vehicle, it is worth US$350, and the value of power devices is US$70. The battery power module of new energy vehicles requires a large amount of power equipment, which all contain power semiconductors. The power devices of hybrid vehicles account for 40%, and the power devices of pure electric vehicles account for 55%. Based on the value of a pure electric vehicle semiconductor bicycle of US$750, the value of a power semiconductor bicycle is US$413. The power semiconductors used in new energy vehicles are seven times that of traditional vehicles.

Since new energy vehicles no longer require mechanical components such as engines, the structure of the car will become very simple. The structure of the car is mainly composed of batteries, motors and electronic controls. New energy vehicle electronic systems mainly include battery management systems, motor controllers, on-board chargers, converters, inverters, steering systems, relays and passive components.

W rzeczywistych zastosowaniach, ponieważ każdy moduł samochodu wykorzystuje prąd przemienny, prąd wejściowy akumulatora litowego jest prądem stałym, a napięcia różnych urządzeń elektrycznych są różne, wymaga to odpowiedniego układu konwersji energii. Ze względu na różne sekwencje konwersji prądu stałego (DC) i przemiennego (AC), konwersja energii dzieli się na 4 tryby: transformator (AC-AC), prostownik (AC-DC), przetwornica (DC-DC) i falownik (DC-AC).

Transformer (AC-AC): The input voltage of a car lithium battery is between 12V-36V, and the civilian voltage is 220V. A transformer is needed to convert the civilian voltage into the input voltage.

Prostownik (AC-DC): Akumulatory litowe należy ładować prądem stałym (DC), a ładowarka dostarcza prąd przemienny (AC), dlatego ładowarka samochodowa musi korzystać z przetwornika prądu stałego.

Przetwornica (DC-DC): Na wejściu znajduje się stałe napięcie prądu stałego (DC) z akumulatora litowego, a na wyjściu zmienne napięcie prądu stałego (DC). W pojazdach elektrycznych jest ona wykorzystywana głównie do konwersji podwyższającej napięcie z 300 V do 650 V w celu przesyłu energii elektrycznej, konwersji obniżającej napięcie do zasilania obwodów 12 V oraz konwersji stabilizującej napięcie w celu magazynowania energii w akumulatorach.

Falownik (DC-AC): Pojazdy napędzane nowymi źródłami energii są wyposażone w akumulatory litowo-jonowe, które wykorzystują zgromadzoną energię elektryczną do napędzania silnika, zasilając pojazd. Funkcją falownika jest przekształcanie prądu stałego (DC) o napięciu 12 V z akumulatora na prąd przemienny (AC) o napięciu 220 V z trójfazowego prądu przemiennego (AC) silnika napędowego, zapewniając podstawową siłę napędową pojazdów napędzanych nowymi źródłami energii.

From 2014 to 2021, global annual sales of fuel vehicles increased from more than 87 million units to more than 98 million units, with an average annual growth rate of 2%; new energy vehicles (including pure electric and hybrid vehicles) increased from 270,000 units to 4.7 million units, with an average annual growth rate of 50%. Their penetration rate increased from only 0.3% in 2014 to 4.0% in 2021.

W ostatnich latach produkcja i sprzedaż pojazdów napędzanych nowymi źródłami energii w moim kraju znacząco wzrosła, a wskaźnik penetracji rynku nadal rośnie. Według danych Chińskiego Stowarzyszenia Samochodów Osobowych (China Passenger Car Association), sprzedaż pojazdów napędzanych nowymi źródłami energii w moim kraju gwałtownie wzrosła ze 100 000 sztuk w 2014 roku do 1.25 miliona sztuk w 2018 roku, przy średniorocznym tempie wzrostu na poziomie 91%. Według danych Chińskiego Stowarzyszenia Producentów Samochodów (China Association of Automobile Manufacturers), sprzedaż pojazdów napędzanych nowymi źródłami energii w Chinach w pierwszym kwartale 2019 roku wyniosła 250 000 sztuk, co oznacza wzrost rok do roku o ponad 117%. Oczekuje się, że produkcja pojazdów napędzanych nowymi źródłami energii w tym roku może przekroczyć 1.6 miliona sztuk.

The automotive power semiconductor market is expected to reach US$8 billion, with a compound annual growth rate of 7%. In 2018, global car sales were 97.5 million, including 2 million new energy vehicles. Assuming that the sales of traditional fuel vehicles will increase by 2% annually and the sales of new energy vehicles will increase by 30% in the next three years, the power semiconductor bicycle of traditional fuel vehicles is worth US$56, the power semiconductor bicycle of hybrid vehicles is worth US$240, and the power semiconductor bicycle of pure electric vehicles is worth US$413. It can be predicted that by 2022, the sales volume of fuel vehicles will be 99.2 million units, and the sales volume of new energy vehicles will be 5.8 million units. The automotive power semiconductor market is expected to reach US$8 billion, with a compound annual growth rate of 7%.

As of the end of 2017, my country's newly installed photovoltaic power generation capacity was 53.06 million kilowatts, with a cumulative installed capacity of 130 million kilowatts. Both new and cumulative installed capacity ranked first in the world, including 33.62 million kilowatts of photovoltaic power stations, an increase of 11% year-on-year; and 19.44 million kilowatts of distributed photovoltaics, an increase of 3.7 times year-on-year.

Falowniki w elektrowniach wiatrowych mogą przetwarzać prąd stały DC12 V z akumulatora na prąd przemienny AC220 V, który jest taki sam jak prąd sieciowy. Falownik składa się głównie z lampy polowej MOS i transformatora mocy jako rdzenia, a jego połączenie odbywa się za pomocą analogowej technologii obwodów. W latach 2016-2018 zainstalowana moc elektrowni wiatrowych w moim kraju wzrosła z 18.73 GW do 21 GW. Tylko w ciągu pierwszych pięciu miesięcy 2019 roku zainstalowana moc wzrosła o 6.88 GW, co wskazuje na szybki trend wzrostowy.

In all aspects of the smart grid, rectifiers, inverters and FACTS flexible transmission technology in UHV DC transmission require a large number of power devices such as IGBTs. According to data released by China Industry Information Network, it is expected that the investment scale of my country's smart grid industry will reach nearly 2.3 trillion yuan by 2021.

There are many types of power semiconductors, which are widely used in consumer electronics, high-speed rail, automobiles, and power grids. Mainly divided into unipolar and bipolar types. Bipolar type: power diode, thyristor, BJT (bipolar triode), power transistor (GTR), IGBT. Unipolar type: MOSFET, Schottky diode. According to the different physical properties of each segmented product, different power devices are used in different voltage and frequency areas.

Diody mocy to podstawowe elementy mocy o prostej konstrukcji i wysokiej niezawodności. Są szeroko stosowane w różnych dziedzinach, takich jak przemysł i elektronika, pełniąc funkcje stabilizacji, prostowania i przełączania napięcia.

Diodes are divided into rectifier diodes, Zener diodes and high frequency diodes.

Wśród nich znajdują się diody prostownicze i diody Zenera, będące półprzewodnikami mocy.

Rectifier diodes are mainly used for rectification, switching, conversion (Schottky diode SBD) and inversion (fast recovery diode FRD).

MOSFET to podsystem układów mocy, mianowicie MOS (metal-tlenek-półprzewodnik) i FET (tranzystor polowy). Są to tranzystory polowe wykorzystujące bramkę warstwy metalu (M) i warstwę tlenku (O) do sterowania półprzewodnikiem (S) poprzez wykorzystanie pola elektrycznego.

Tranzystory MOSFET to podstawowe urządzenia półprzewodnikowe do przetwarzania i sterowania mocą. Tranzystory MOSFET działają szybko, charakteryzują się niską awaryjnością, małymi stratami przełączania i dobrą skalowalnością. Nadają się do zastosowań niskonapięciowych i wysokoprądowych oraz wymagają wyższej częstotliwości roboczej niż inne urządzenia mocy.

In automobiles, they are mainly used in chargers (AC-DC) and converters (DC-DC) in the power supply system. The global automotive power MOSFET market capacity was US$2.45 billion in 2018, and we estimate that the market capacity will be US$3.16 billion in 2022. Among them, high-voltage MOSFET products with voltages above 600V are mainly used.

The main share of the MOSFET market is occupied by Infineon. According to HIS data, the comprehensive market share of all Infineon products is 27%, followed by ON Semiconductor with 13% and Renesas with 9%. In the field of high-value high-voltage MOSFETs, Infineon leads all competitors with a market share of 36%.

As a new type of power electronic device, IGBT is internationally recognized as the most representative product of the third revolution of power electronics technology. It is a core component in the field of industrial control and automation. Its function is similar to the human heart. It can adjust the voltage, current, frequency, phase, etc. in the circuit according to the signal instructions in the industrial device to achieve precise control. Therefore, IGBT is called the "CPU" in the power electronics industry and is widely used in motor energy saving, rail transportation, smart grids, aerospace, household appliances, automotive electronics, new energy power generation, new energy vehicles and other fields.

IGBT has developed rapidly since its industrial application in the late 1980s. It has not only replaced MOSFET and GTR in industrial applications, but has even expanded into high-power applications where SCR and GTO are dominant. It has also replaced many application fields of power devices such as BJT and MOSFET in consumer electronics applications.

In automotive applications, IGBTs are mainly used in electric drive systems, power systems and charging piles in high-voltage environments. The application range is generally in areas with a withstand voltage of more than 600V, a current of more than 10A, and a frequency of more than 1KHz.

Elektryczny układ napędowy: Stosowany głównie w falownikach (DC-AC) do konwersji prądu stałego (DC) o napięciu 12 V z akumulatora na prąd przemienny (AC) o napięciu 220 V, który napędza silnik. Stanowi rdzeń układu napędowego. Układ sterowania silnikiem wymaga kilkudziesięciu tranzystorów IGBT. Na przykład, trójfazowy silnik asynchroniczny prądu przemiennego Tesli wykorzystuje 28 tranzystorów IGBT na fazę, łącznie 84. Inne silniki mają 12 tranzystorów IGBT. Tesla wykorzystuje łącznie 96 tranzystorów IGBT.

Układ zasilania: Stosowany głównie w ładowarkach samochodowych (AC-DC) i przetwornikach (DC-DC) w celu ładowania akumulatorów litowych i konwersji energii na wymagany poziom napięcia.

Charging piles: The electricity in the grid is all alternating current (AC) power, and charging piles are divided into fast-charging DC charging piles and slow-charging AC charging piles. IGBT is mainly used in DC fast-charging charging piles.

Wartość światowego rynku IGBT dla motoryzacji w 2018 r. wyniosła 1.84 mld USD, a szacujemy, że w 2020 r. osiągnie ona 2.08 mld USD.

Infineon, Mitsubishi and Fuji Electric are in the leading position in the global IGBT market. ON Semiconductor (Fairchild) is mainly concentrated in the low-voltage consumer electronics industry, with voltages below 600V, while medium and high-voltage fields above 1700V are mainly used in high-speed rail, automobiles, smart grids, etc., and are basically monopolized by Infineon, ABB and Mitsubishi.

Półprzewodniki mocy należą do dziedziny obwodów pananalogowych. Półprzewodniki mocy są niezbędnym dobrem konsumpcyjnym. Ludzie muszą jeść „drewno opałowe, ryż, olej i sól”. Maszyny również muszą zużywać urządzenia elektryczne. Półprzewodniki mocy są potrzebne wszędzie tam, gdzie zachodzi potrzeba przetwarzania energii elektrycznej. Wahania w przemyśle są zgodne z trendami cen surowców, a produkty są ściśle powiązane z trendami globalnego PKB. Wahania w przemyśle w ciągu 4-5 lat są bardzo spójne z cyklem półprzewodników.

Produkty o wysokiej wartości dodanej są od dawna zmonopolizowane przez europejskich i amerykańskich producentów, a ich krajowe zastąpienie jest nieuniknione. Krajowych fabryk modelu IDM jest bardzo niewiele. Główne procesy są w całości realizowane przez europejskich i amerykańskich producentów. Wykorzystując zalety swoich produktów, kontrolują oni cykl dostaw, a tym samym system cenowy całej branży. Zwłaszcza w przypadku tranzystorów MOS wysokiego napięcia i tranzystorów IGBT dużej mocy, cykl dostaw produktu często przekracza 50 tygodni, a ceny od 2016 roku utrzymują się na ścieżce wzrostu.

Okazje inwestycyjne w 2020 roku będą wynikać z 3-4-letniego makrocyklu, w którym cykl półprzewodników odradza się i rośnie. Firmy korzystające z modelu IDM mają większą przewagę kosztową niż firmy fabless. Zaleca się zwrócenie uwagi na powiązane cele łańcucha przemysłowego: Wingtech Technology (600745), Jiejie Microelectronics (300623), Yangjie Technology (300373), Taiji Technology (300046), China Microelectronics (600360), Star Semiconductor (603290), New Energy Saving (A18105), China Resources Microelectronics (A19303).

ostrzeżenie o ryzyku

1) Postępy w produkcji układów scalonych w kraju są niższe od oczekiwanych;

2) Wsparcie polityczne dla przemysłu układów scalonych osłabło;

3) Foreign semiconductor equipment companies embargo equipment to domestic companies.

Note: This article is reprinted from "Semiconductor Wind Vane", which supports the protection of intellectual property rights. Please indicate the original source and author of the reprint. If there is any infringement, please contact us to delete it.

Numer telefonu firmy: +86-0755-83044319
Faks/FAKS: +86-0755-83975897
E-mail: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 Menedżer Li

QQ: 332496225 Menedżer Qiu

Adres: Pokój 809, Budynek C, Budynek Technologii Zhantao, nr 1079 Minzhi Avenue, Nowa Dzielnica Longhua, Shenzhen