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Os semicondutores de potência pertencem ao campo dos circuitos analógicos. São bens de consumo essenciais. As pessoas precisam de lenha, arroz, óleo e sal para se alimentar. As máquinas também precisam de dispositivos de potência. Os semicondutores de potência são necessários em qualquer processo relacionado à conversão de energia elétrica. As flutuações do setor acompanham as tendências das commodities, e os produtos estão intimamente ligados às tendências do PIB global. As flutuações do setor em um período de 4 a 5 anos são bastante consistentes com o ciclo dos semicondutores.

O aumento do conteúdo de silício em máquinas individuais impulsiona o desenvolvimento da indústria, enquanto maior eficiência e melhor relação custo-benefício impulsionam o desenvolvimento tecnológico. A demanda vem de todos os setores, e o aumento do conteúdo de semicondutores (silício) em uma única máquina é a regra fundamental. Todo progresso tecnológico visa: 1) maior potência; 2) tamanho menor; 3) menores perdas; 4) melhor relação custo-benefício. Os principais fabricantes que participam da competição são todos modelos IDM (Integrated Device Manufacturer - Fabricantes Integrados de Dispositivos), que priorizam: 1) Qualidade sob a premissa de escala; 2) Melhoria da eficiência sob a condição de otimizar o custo de cada produto a cada ano.

Os avanços em materiais impulsionaram o desenvolvimento da indústria. O formato dos produtos evoluiu de diodos individuais e tubos MOS para IGBTs integrados, e de substratos de silício para substratos semicondutores de banda larga. A banda larga proporciona desempenho e eficiência muito superiores aos dos dispositivos de potência baseados em substrato de silício, mas atualmente não apresenta grande vantagem em termos de custo-benefício. Tendências Futuras: Com a redução do custo de fabricação de semicondutores compostos, a substituição dos dispositivos semicondutores de potência baseados em silício, com suas vantagens, está próxima.

Produtos de alto valor agregado são monopolizados há muito tempo por fabricantes europeus e americanos, e a substituição por produtos nacionais é iminente. Existem pouquíssimas fábricas nacionais que atendem ao modelo IDM (Independent Design Manufacturer). Os processos principais são todos realizados internamente por fabricantes europeus e americanos. Eles se apoiam em suas vantagens competitivas para controlar o ciclo de entrega e, consequentemente, o sistema de preços de toda a indústria. Especialmente para MOSFETs de alta tensão e IGBTs de alta potência, o ciclo de entrega do produto costuma ser superior a 50 semanas, e os preços têm apresentado uma trajetória ascendente desde 2016.

O modelo IDM apresenta mais vantagens e o modelo fabless se expande mais rapidamente. As oportunidades de investimento em 2020 virão do ambiente do macrociclo de 3 a 4 anos, no qual o ciclo de semicondutores está se recuperando e crescendo. As empresas do modelo IDM têm mais vantagens em termos de custo do que as empresas fabless. Recomenda-se prestar atenção às empresas-alvo da cadeia industrial relacionada: Wingtech Technology (600745), Jiejie Microelectronics (300623), Yangjie Technology (300373), Taiji Technology (300046), China Microelectronics (600360), Star Semiconductor (603290), New Energy Saving (A18105), China Resources Microelectronics (A19303).

Alerta de risco

1) O progresso da produção nacional de chips está abaixo do esperado;

2) O apoio político à indústria de circuitos integrados diminuiu;

3) Empresas estrangeiras de equipamentos semicondutores embargam equipamentos para empresas nacionais.

Dispositivos semicondutores de potência referem-se a componentes básicos de circuitos com uma única função, que consiste principalmente em realizar o processamento e a conversão de energia elétrica.

O diodo possui uma estrutura simples, mas só pode ser usado para retificação e não pode ser controlado para ligar ou desligar. Dispositivos de comutação controlados por corrente, como transistores de potência e tiristores, são exemplos. MOSFETs e IGBTs são dispositivos de comutação controlados por tensão, fáceis de acionar, com alta velocidade de comutação e baixas perdas.

Os semicondutores de potência são o núcleo da conversão de energia e do controle de circuitos em dispositivos eletrônicos. Eles são usados ​​principalmente para alterar a tensão e a frequência, realizar a conversão de corrente contínua (CC) para corrente alternada (CA), etc., em dispositivos eletrônicos. Dispositivos de potência são utilizados em qualquer sistema de circuito com conversão de corrente, tensão e fase. A principal função do MOSFET e do IGBT é converter a "eletricidade bruta", com tensões e frequências instáveis, gerada por equipamentos de geração de energia, através de uma série de modulações de conversão, em "eletricidade fina", com parâmetros de energia elétrica específicos e terminais de potência com oferta e demanda variáveis. Eles são componentes essenciais em dispositivos eletrônicos de conversão de energia.

No processo de desenvolvimento de dispositivos discretos, na década de 1950, diodos de potência e transistores de potência foram introduzidos e utilizados em sistemas industriais e de energia.

Das décadas de 1960 a 1970, dispositivos semicondutores de potência, como os tiristores, desenvolveram-se rapidamente.

No final da década de 1970, foram desenvolvidos os MOSFETs de potência planares;

No final da década de 1980, os MOSFETs de potência de trincheira e os IGBTs tornaram-se gradualmente disponíveis, e os dispositivos semicondutores de potência entraram oficialmente na era das aplicações eletrônicas.

Na década de 1990, os MOSFETs de superjunção surgiram gradualmente, rompendo com as tradicionais "limitações do silício" para atender às necessidades de aplicações de alta potência e alta frequência.

Em 2008, a Infineon assumiu a liderança no lançamento do MOSFET de potência com porta blindada, aprimorando ainda mais o desempenho dos dispositivos semicondutores de potência.

Para o mercado interno, a maioria dos componentes discretos, como diodos de potência, triodos de potência e tiristores, são produzidos nacionalmente. No entanto, componentes discretos como MOSFETs e IGBTs ainda dependem em grande medida de importações devido à sua tecnologia e processos avançados. Há um enorme potencial para substituição de importações no futuro.

Nos últimos anos, os campos de aplicação de semicondutores de potência expandiram-se do controle industrial e eletrônicos de consumo para novas energias, transporte ferroviário, redes inteligentes, eletrodomésticos com conversão de frequência e muitos outros mercados, e o tamanho do mercado tem apresentado um crescimento constante. De acordo com a previsão da IHS Markit, o tamanho do mercado global de dispositivos de potência em 2018 foi de aproximadamente US$ 39.1 bilhões, e espera-se que cresça para US$ 44.1 bilhões até 2021, com uma taxa de crescimento anual de 4.1%.

Atualmente, a cadeia produtiva de semicondutores de potência na China está se tornando cada vez mais eficiente, e a tecnologia também está apresentando avanços significativos. Ao mesmo tempo, a China é o maior consumidor mundial de semicondutores de potência. Em 2018, a demanda de mercado atingiu US$ 13.8 bilhões, com uma taxa de crescimento de 9.5%, representando 35% da demanda global. Espera-se que o mercado chinês de semicondutores de potência continue a apresentar um alto índice de crescimento no futuro, com o tamanho do mercado projetado para atingir US$ 15.9 bilhões em 2021, com uma taxa de crescimento anual de 4.8%.

A empresa de pesquisa de mercado IC Insights apontou que, entre os vários tipos de componentes de dispositivos semicondutores de potência, os produtos com maior potencial de crescimento no futuro serão os módulos MOSFET e IGBT.

O MOSFET é um transistor de efeito de campo amplamente utilizado em circuitos analógicos e digitais. Possui vantagens como baixa resistência de condução, baixas perdas, circuito de acionamento simples e boa resistência térmica. É especialmente indicado para aplicações em controle de energia, como computadores, celulares, baterias portáteis, sistemas de navegação veicular, veículos elétricos e sistemas de alimentação ininterrupta (UPS).

Em 2016, o mercado global de MOSFETs atingiu US$ 6.2 bilhões, e a taxa de crescimento anual composta (CAGR) desse mercado deverá alcançar 3.4% entre 2016 e 2022; espera-se que, até 2022, o mercado global de MOSFETs esteja próximo de US$ 7.5 bilhões.

Segundo dados da IHSMarkit, o mercado de MOSFETs no meu país movimentou US$ 2.792 bilhões em 2018, com uma taxa de crescimento anual composta de 15.03% entre 2016 e 2018. Com o crescimento da escala global de veículos de novas energias, a demanda por MOSFETs em aplicações automotivas deverá crescer rapidamente, a uma taxa de crescimento anual composta de 5.1% entre 2016 e 2022. Até 2022, a demanda por MOSFETs em aplicações automotivas ultrapassará a dos setores de computadores e armazenamento de dados, representando 22% do mercado total.

O IGBT é um dispositivo semicondutor de potência totalmente controlado por tensão, composto por um triodo bipolar (BJT) e um MOSFET. Ele possui as vantagens da alta impedância de entrada do MOSFET e da baixa queda de tensão de condução do triodo bipolar (BJT). A potência de acionamento do IGBT é baixa e a tensão de saturação é reduzida. É muito adequado para uso em sistemas conversores com tensão CC de 600 V ou superior, como motores CA, inversores, fontes de alimentação chaveadas, circuitos de iluminação, acionamentos de tração, etc.

De acordo com dados da Rede de Informação da Indústria da China, o mercado global de IGBTs de tubo único atingirá aproximadamente US$ 6 bilhões até 2020, um mercado enorme. Espera-se que o mercado de veículos de nova energia e estações de carregamento do meu país impulsione a demanda interna por módulos IGBT em 20 bilhões de yuans nos próximos cinco anos. Ainda segundo dados da Rede de Informação da Indústria da China, o mercado interno de IGBTs atingiu 16.19 bilhões de yuans em 2018, com uma taxa de crescimento composta de 14.77% entre 2010 e 2018; no entanto, o mercado de IGBTs no meu país começou tarde, e há um grande potencial para substituição de importações no futuro.

Os dispositivos semicondutores de potência incluem principalmente diodos de potência, transistores de potência, tiristores, MOSFETs, IGBTs, etc., que são utilizados em praticamente todos os setores da indústria eletrônica, incluindo computadores, comunicações em rede, eletrônicos de consumo, eletrônica automotiva, eletrônica industrial e outras indústrias eletrônicas. Além disso, campos de aplicação emergentes, como veículos/recarregadores de novas energias, fabricação de equipamentos inteligentes, Internet das Coisas e energia fotovoltaica, tornaram-se gradualmente importantes mercados de aplicação para dispositivos semicondutores de potência, impulsionando assim o crescimento da demanda. No mercado global de semicondutores de potência, o controle industrial representa 34%, a indústria automotiva 23%, a eletrônica de consumo 20% e as comunicações 23%.

Segundo dados da Associação de Eletrônicos de Consumo, o mercado chinês de eletrônicos de consumo atingiu 1,632.5 trilhão de yuans em 2013, tornando-se o maior mercado do mundo. De acordo com o Relatório da Indústria 3C de 2017, o mercado chinês de eletrônicos de consumo ultrapassará 2 trilhões de yuans em 2017, com uma previsão de crescimento de 7.1%.

A proteção contra descarga eletrostática (ESD) é necessária em todas as interfaces do celular, como microfones, alto-falantes, fones de ouvido, cartões SIM, cartão Micro SD, antenas NFC, antenas GPS, antenas Wi-Fi, telas sensíveis ao toque, antenas de radiofrequência 2G/3G/4G, interfaces USB, baterias de lítio e botões de energia. A maioria dos celulares utiliza mais de 20 componentes com proteção ESD, e poucos utilizam mais de 10.

Com o aumento gradual das exigências das pessoas por eficiência no carregamento, surgiu um modo de "carregamento rápido" para celulares, que alcança alta corrente e alta potência aumentando a tensão. No entanto, a alta tensão apresenta riscos de segurança e requer a adição de transistores MOS de retificação síncrona para ajuste;

Posteriormente, surgiu um modo de "carregamento rápido" mais seguro, que permite o carregamento de alta velocidade através de baixa tensão e alta corrente. Este modo impõe requisitos mais elevados aos transistores MOS de retificação síncrona. Atualmente, o mais comum é o FET de GaN, que consegue atingir o objetivo de menor aquecimento e tamanho reduzido.

A eletrônica automotiva ocupa uma posição muito importante nos automóveis. Do ponto de vista da estrutura de custos, é ainda mais importante para automóveis de gama média a alta, veículos elétricos, etc.

De carros tradicionais a carros de novas energias, o maior aumento de valor está nos semicondutores de potência. Em veículos a combustão tradicionais, os semicondutores de potência são usados ​​principalmente nas áreas de partida, frenagem e segurança, representando apenas 20%. Considerando o valor de um semicondutor de potência em um veículo tradicional, ele vale US$ 350, enquanto o valor dos dispositivos de potência é de US$ 70. O módulo de bateria de veículos de novas energias requer uma grande quantidade de equipamentos de potência, que contêm semicondutores de potência. Os dispositivos de potência em veículos híbridos representam 40% do total, e em veículos totalmente elétricos, 55%. Com base no valor de um semicondutor de potência em um veículo totalmente elétrico, que é de US$ 750, o valor de um semicondutor de potência em um veículo híbrido é de US$ 413. A quantidade de semicondutores de potência usados ​​em veículos de novas energias é sete vezes maior do que em veículos tradicionais.

Como os veículos de novas energias não necessitam mais de componentes mecânicos como motores, a estrutura do carro se tornará muito mais simples. A estrutura do carro é composta principalmente por baterias, motores e controles eletrônicos. Os sistemas eletrônicos dos veículos de novas energias incluem principalmente sistemas de gerenciamento de baterias, controladores de motores, carregadores de bordo, conversores, inversores, sistemas de direção, relés e componentes passivos.

Em cenários de aplicação reais, como cada módulo do carro utiliza corrente alternada, a corrente de entrada da bateria de lítio é corrente contínua e as tensões dos diversos equipamentos elétricos são diferentes, isso exige um sistema de conversão de energia correspondente. De acordo com as diferentes sequências de conversão de corrente contínua (CC) e corrente alternada (CA), a conversão de energia é dividida em 4 modos: transformador (CA-CA), retificador (CA-CC), conversor (CC-CC) e inversor (CC-CA).

Transformador (CA-CA): A tensão de entrada de uma bateria de lítio automotiva varia entre 12V e 36V, enquanto a tensão da rede elétrica é de 220V. Um transformador é necessário para converter a tensão da rede elétrica na tensão de entrada.

Retificador (CA-CC): As baterias de lítio precisam ser carregadas com corrente contínua (CC), e a tomada fornece corrente alternada (CA), portanto, o carregador de carro deve usar um conversor CC.

Conversor (CC-CC): A entrada é uma tensão CC fixa proveniente da bateria de lítio, e a saída é uma tensão CC variável. Em veículos elétricos, é utilizado principalmente na conversão elevadora de 300 V para 650 V para transmissão de energia elétrica, na conversão abaixadora para alimentação de circuitos de 12 V e na conversão para estabilização de tensão em sistemas de armazenamento de energia em baterias.

Inversor (CC-CA): Os veículos de novas energias são equipados com baterias de lítio recarregáveis, que utilizam a energia elétrica armazenada para acionar o motor e, consequentemente, o veículo. A função do inversor é converter a corrente contínua (CC) de 12 V da bateria recarregável em corrente alternada (CA) trifásica de 220 V para o motor, fornecendo a força motriz básica para os veículos de novas energias.

De 2014 a 2021, as vendas globais anuais de veículos a combustíveis fósseis aumentaram de mais de 87 milhões de unidades para mais de 98 milhões de unidades, com uma taxa média de crescimento anual de 2%; os veículos de novas energias (incluindo veículos totalmente elétricos e híbridos) aumentaram de 270,000 unidades para 4.7 milhões de unidades, com uma taxa média de crescimento anual de 50%. Sua taxa de penetração aumentou de apenas 0.3% em 2014 para 4.0% em 2021.

Nos últimos anos, a produção e as vendas de veículos de novas energias no meu país aumentaram significativamente, e a taxa de penetração continua a crescer. De acordo com dados da Associação Chinesa de Automóveis de Passageiros, as vendas de veículos de passageiros de novas energias no meu país aumentaram rapidamente, passando de 100,000 unidades em 2014 para 1.25 milhão de unidades em 2018, com uma taxa de crescimento anual composta de 91%. Segundo dados da Associação Chinesa de Fabricantes de Automóveis, as vendas de veículos de novas energias na China no primeiro trimestre de 2019 foram de 250,000 unidades, um aumento anual de mais de 117%. Espera-se que a produção de veículos de novas energias este ano ultrapasse 1.6 milhão de unidades.

O mercado de semicondutores de potência para o setor automotivo deverá atingir US$ 8 bilhões, com uma taxa de crescimento anual composta de 7%. Em 2018, as vendas globais de automóveis foram de 97.5 milhões de unidades, incluindo 2 milhões de veículos de novas energias. Supondo que as vendas de veículos a combustão tradicionais aumentem 2% ao ano e as vendas de veículos de novas energias aumentem 30% nos próximos três anos, o valor dos semicondutores de potência para veículos a combustão tradicionais será de US$ 56 milhões, para veículos híbridos será de US$ 240 milhões e para veículos totalmente elétricos será de US$ 413 milhões. Prevê-se que, até 2022, o volume de vendas de veículos a combustão será de 99.2 milhões de unidades e o de veículos de novas energias será de 5.8 milhões de unidades. O mercado de semicondutores de potência para o setor automotivo deverá atingir US$ 8 bilhões, com uma taxa de crescimento anual composta de 7%.

No final de 2017, a capacidade instalada de geração de energia fotovoltaica no meu país era de 53.06 milhões de quilowatts, com uma capacidade instalada acumulada de 130 milhões de quilowatts. Tanto a capacidade instalada nova quanto a acumulada ocupavam o primeiro lugar no mundo, incluindo 33.62 milhões de quilowatts de usinas fotovoltaicas, um aumento de 11% em relação ao ano anterior; e 19.44 milhões de quilowatts de energia fotovoltaica distribuída, um aumento de 3.7 vezes em relação ao ano anterior.

O inversor para geração de energia eólica converte a corrente contínua de 12V (CC) da bateria em corrente alternada de 220V (CA), a mesma da rede elétrica. O inversor é composto principalmente por um transistor de efeito de campo MOS e um transformador de potência, e a conexão é feita por meio de circuitos analógicos. De 2016 a 2018, a capacidade instalada de energia eólica no meu país aumentou de 18.73 GW para 21 GW. Somente nos primeiros cinco meses de 2019, a capacidade instalada aumentou em 6.88 GW, demonstrando uma rápida tendência de crescimento.

Em todos os aspectos da rede inteligente, retificadores, inversores e a tecnologia de transmissão flexível FACTS em transmissão CC de ultra-alta tensão requerem um grande número de dispositivos de potência, como IGBTs. De acordo com dados divulgados pela Rede de Informação da Indústria da China, espera-se que o investimento no setor de redes inteligentes do país atinja quase 2.3 trilhões de yuans até 2021.

Existem muitos tipos de semicondutores de potência, amplamente utilizados em eletrônicos de consumo, trens de alta velocidade, automóveis e redes elétricas. Eles são divididos principalmente em unipolares e bipolares. Os tipos bipolares incluem: diodo de potência, tiristor, BJT (triodo bipolar), transistor de potência (GTR) e IGBT. Os tipos unipolares incluem: MOSFET e diodo Schottky. De acordo com as diferentes propriedades físicas de cada componente, diferentes dispositivos de potência são utilizados em diferentes faixas de tensão e frequência.

Os diodos de potência são dispositivos de potência básicos com estrutura simples e alta confiabilidade. São amplamente utilizados em diversos campos, como a indústria e a eletrônica, desempenhando funções de estabilização de tensão, retificação e chaveamento.

Os diodos são divididos em diodos retificadores, diodos Zener e diodos de alta frequência.

Entre eles, os diodos retificadores e os diodos Zener são semicondutores de potência.

Os diodos retificadores são usados ​​principalmente para retificação, comutação, conversão (diodo Schottky - SBD) e inversão (diodo de recuperação rápida - FRD).

O MOSFET é uma subdivisão de dispositivos de potência, nomeadamente MOS (Metal Oxide Semiconductor) e FET (Field Effect Transistor), que são transistores de efeito de campo que utilizam a porta da camada metálica (M) através da camada de óxido (O) para controlar o semicondutor (S) através do efeito do campo elétrico.

Os MOSFETs de potência são dispositivos semicondutores essenciais para conversão e controle de energia. Eles operam rapidamente, apresentam baixas taxas de falha, pequenas perdas de comutação e boa escalabilidade. São adequados para ambientes de baixa tensão e alta corrente e requerem frequências de operação mais elevadas do que outros dispositivos de potência.

Em automóveis, são utilizados principalmente em carregadores (CA-CC) e conversores (CC-CC) no sistema de alimentação. O mercado global de MOSFETs de potência para o setor automotivo movimentou US$ 2.45 bilhões em 2018, e estimamos que esse valor chegue a US$ 3.16 bilhões em 2022. Dentre eles, os MOSFETs de alta tensão, com tensões acima de 600V, são os mais utilizados.

A Infineon detém a maior fatia do mercado de MOSFETs. Segundo dados da HIS, a participação de mercado total dos produtos da Infineon é de 27%, seguida pela ON Semiconductor com 13% e pela Renesas com 9%. No segmento de MOSFETs de alta tensão e alto valor agregado, a Infineon lidera o mercado com 36% de participação.

Como um novo tipo de dispositivo eletrônico de potência, o IGBT é reconhecido internacionalmente como o produto mais representativo da terceira revolução da tecnologia de eletrônica de potência. É um componente essencial no campo do controle e automação industrial. Sua função é semelhante à do coração humano. Ele pode ajustar a tensão, corrente, frequência, fase, etc., no circuito, de acordo com as instruções de sinal do dispositivo industrial, para alcançar um controle preciso. Portanto, o IGBT é chamado de "CPU" na indústria de eletrônica de potência e é amplamente utilizado em economia de energia em motores, transporte ferroviário, redes inteligentes, aeroespacial, eletrodomésticos, eletrônica automotiva, geração de energia renovável, veículos de nova energia e outros campos.

O IGBT evoluiu rapidamente desde sua aplicação industrial no final da década de 1980. Ele não apenas substituiu o MOSFET e o GTR em aplicações industriais, como também se expandiu para aplicações de alta potência onde o SCR e o GTO são dominantes. Além disso, substituiu muitos dispositivos de potência, como o BJT e o MOSFET, em aplicações de eletrônicos de consumo.

Em aplicações automotivas, os IGBTs são usados ​​principalmente em sistemas de acionamento elétrico, sistemas de energia e estações de carregamento em ambientes de alta tensão. A faixa de aplicação geralmente abrange áreas com tensão suportável superior a 600 V, corrente superior a 10 A e frequência superior a 1 kHz.

Sistema de acionamento elétrico: Utilizado principalmente em um inversor (CC-CA) para converter a corrente contínua (CC) de 12 V da bateria recarregável em corrente alternada (CA) de 220 V que aciona o motor. É o núcleo do acionamento do motor. O sistema de controle do motor requer dezenas de IGBTs. Por exemplo, o motor assíncrono CA trifásico da Tesla utiliza 28 IGBTs por fase, totalizando 84. Outros motores possuem 12 IGBTs. A Tesla utiliza um total de 96 IGBTs.

Sistema de alimentação: Utilizado principalmente em carregadores de veículos (CA-CC) e conversores (CC-CC) para realizar o carregamento de baterias de lítio e a conversão de energia no nível de tensão necessário.

Estações de carregamento: A eletricidade na rede é toda em corrente alternada (CA), e as estações de carregamento são divididas em estações de carregamento rápido em corrente contínua (CC) e estações de carregamento lento em corrente alternada (CA). Os IGBTs são usados ​​principalmente em estações de carregamento rápido em CC.

A capacidade do mercado global de IGBTs automotivos em 2018 foi de US$ 1.84 bilhão, e estimamos que a capacidade do mercado de IGBTs automotivos em 2020 será de US$ 2.08 bilhões.

A Infineon, a Mitsubishi e a Fuji Electric ocupam a posição de liderança no mercado global de IGBTs. A ON Semiconductor (Fairchild) concentra-se principalmente na indústria de eletrônicos de consumo de baixa tensão, com tensões abaixo de 600V, enquanto os segmentos de média e alta tensão, acima de 1700V, são utilizados principalmente em ferrovias de alta velocidade, automóveis, redes inteligentes, etc., e são basicamente monopolizados pela Infineon, ABB e Mitsubishi.

Os semicondutores de potência pertencem ao campo dos circuitos analógicos. São bens de consumo essenciais. As pessoas precisam de lenha, arroz, óleo e sal para se alimentar. As máquinas também precisam de dispositivos de potência. Os semicondutores de potência são necessários em qualquer processo relacionado à conversão de energia elétrica. As flutuações do setor acompanham as tendências das commodities, e os produtos estão intimamente ligados às tendências do PIB global. As flutuações do setor em um período de 4 a 5 anos são bastante consistentes com o ciclo dos semicondutores.

Produtos de alto valor agregado são monopolizados há muito tempo por fabricantes europeus e americanos, e a substituição por produtos nacionais é iminente. Existem pouquíssimas fábricas nacionais que atendem ao modelo IDM (Independent Design Manufacturer). Os processos principais são todos realizados internamente por fabricantes europeus e americanos. Eles se apoiam em suas vantagens competitivas para controlar o ciclo de entrega e, consequentemente, o sistema de preços de toda a indústria. Especialmente para MOSFETs de alta tensão e IGBTs de alta potência, o ciclo de entrega do produto costuma ser superior a 50 semanas, e os preços têm apresentado uma trajetória ascendente desde 2016.

As oportunidades de investimento em 2020 virão do ambiente do ciclo macroeconômico de 3 a 4 anos, onde o ciclo de semicondutores está se recuperando e crescendo. Empresas com modelo IDM (Integrated Device Manufacturing) têm mais vantagens em termos de custo do que empresas fabless. Recomenda-se prestar atenção às empresas-alvo da cadeia produtiva relacionada: Wingtech Technology (600745), Jiejie Microelectronics (300623), Yangjie Technology (300373), Taiji Technology (300046), China Microelectronics (600360), Star Semiconductor (603290), New Energy Saving (A18105), China Resources Microelectronics (A19303).

Alerta de risco

1) O progresso da produção nacional de chips está abaixo do esperado;

2) O apoio político à indústria de circuitos integrados diminuiu;

3) Empresas estrangeiras de equipamentos semicondutores embargam equipamentos para empresas nacionais.

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