Микросхемы радиочастотного интерфейса (RFFE, Radio Frequency Front-End) являются основными компонентами, реализующими коммуникационные функции мобильных телефонов и различных мобильных устройств. Мировой рынок превышает десятки миллиардов долларов. Общий рост популярности мобильных телефонов в Китае за последние 10 лет заложил прочную промышленную основу для развития местной индустрии радиочастотного интерфейса; а первая коммерциализация 5G в Китае, а также изменения в глобальной торговой среде добавили еще два потока «дрова» к местной индустрии радиочастот. В нашей стране индустрия микросхем радиочастотного интерфейса имеет более чем 15-летнюю историю развития. Активная инновационная и предпринимательская деятельность, десятки компаний различных типов, представляют собой область, вызывающую большой интерес у рынка и капитала. Автору этой статьи посчастливилось проработать в индустрии радиочастотных микросхем 11 лет, от эпохи 2G до сегодняшнего 5G. Он также работал в зарубежных компаниях, частных компаниях и государственных предприятиях, непосредственно занимаясь разработкой и серийным производством всех видов радиочастотной продукции. В данной статье обобщены обсуждения автора с некоторыми коллегами по отрасли за последние годы и предпринята попытка разобраться в техническом рынке и бизнес-логике радиочастотных модульных изделий. В то же время, местная радиочастотная отрасль развивается уже более десяти лет. Конкуренция является основной движущей силой отрасли, а сотрудничество и дружба — крайне редкие ресурсы. В данной статье основное внимание будет уделено обмену соответствующими знаниями в области «модуляризации», а также выражается надежда, что больше местных производителей воспользуются огромными возможностями модульной разработки посредством «сотрудничества».

         

введение

Согласно программной речи профессора Вэй Шаоцзюня на «Глобальном саммите руководителей компаний 2020 года» под названием «Праведный путь в мире — это превратности жизни: о стратегической решимости в условиях больших перемен», статистика показывает, что американские компании, наиболее зависимые от китайского рынка (по показателю выручки), следующие. Мы видим, что четыре американских радиочастотных гиганта — SKYWORKS, Qualcomm, Qorvo и Broadcom (SKYWORKS и Qorvo в основном специализируются на радиочастотном бизнесе; Qualcomm и Broadcom также занимаются радиочастотным бизнесом) — занимают первые четыре места в рейтинге.

 

Международная ситуация с радиочастотными входными каскадами

Технология радиочастотного тракта в основном сосредоточена на фильтрах, усилителях мощности (PA, Power Amplifier), малошумящих усилителях (Low Noise Amplifier) ​​и переключателях (RF Switch). В настоящее время на мировом рынке радиочастот доминируют четыре американские компании, упомянутые во введении: Skyworks, Qualcomm, Qorvo, Broadcom и японская Murata, которые являются пятью крупнейшими производителями радиочастотного оборудования.

 

 

Пять крупнейших производителей радиочастотного оборудования занимают более 90% рынков усилителей мощности и малошумящих усилителей. Что касается фильтров, то здесь выделяют две основные технологии: фильтрация поверхностных акустических волн (ПАВ) и фильтрация объемных акустических волн (ОАВ). В настоящее время половину рынка ПАВ-фильтров занимает компания Murata, около 10% — Skyworks и около 4% — Qorvo. Остальная часть приходится на крупных производителей, таких как Taiyo Yuden и TDK. На рынке ОАВ-фильтров доминируют американские компании, на долю которых приходится 90% рынка.

 

Как видно, рынок радиочастотных компонентов огромен и способен обеспечить дальнейшее развитие пяти международных гигантов. Международные гиганты обладают широким технологическим охватом и мощными возможностями модульной конструкции; модульные продукты являются основным направлением международной конкуренции. Каждый гигант использует технологию BAW или её альтернативы.

Внутренняя ситуация с радиочастотным интерфейсом

Во многих статьях упоминалась ситуация на внутреннем рынке радиочастотного оборудования. Я не буду вдаваться в подробности. Я лишь приведу несколько выводов, которые, по общему мнению, являются общепринятыми:

 

1. Местные компании, как правило, ориентируются на производство дискретных устройств; в настоящее время дискретные устройства являются основным направлением конкуренции на местном рынке.

2. Местным компаниям не хватает передовых технологий и продукции в области фильтрации, а их возможности по модульному проектированию, как правило, слабы.

             

Проблемы и возможности модульной архитектуры 5G

Проблемы, связанные с пространством для проводки на печатной плате и временем отладки радиочастотного оборудования, затронули и мобильные телефоны начального уровня, открывая путь для поэтапного обновления микросхем модулей, выпускаемых в стране.

 

Микросхемы радиочастотных модулей — это не новая серия продуктов. Фактически, использование микросхем радиочастотных модулей началось практически одновременно с коммерциализацией LTE. За последние 10 лет различные сложные радиочастотные модули широко применялись во флагманских мобильных телефонах различных марок; в то же время, во многих бюджетных мобильных телефонах дискретные решения полностью удовлетворяли всем требованиям. Поэтому за последние 10 лет сформировались два отчетливых рынка: флагманские модели используют модульные решения, а модели начального уровня — дискретные. Модульные решения требуют «высокой степени интеграции и высокой производительности», поэтому и цена очень высока; в то время как дискретные решения требуют «средней или низкой степени интеграции и средней производительности», и цена относительно низка. Между этими двумя решениями существуют огромные технические и рыночные различия. Это можно назвать «модульным разрывом» в эпоху 4G.

   

«Модульный разрыв» в эпоху 4G

 

Появление 5G полностью изменило эту ситуацию.

 

По сравнению с 2-4 антеннами в бюджетных 4G-смартфонах, количество антенн в бюджетных 5G-смартфонах увеличилось до 8-12; количество поддерживаемых частотных диапазонов и комбинаций частот также значительно возросло в 4G. Как известно, количество радиочастотных компонентов тесно связано с количеством антенн и частотных диапазонов, а это значит, что количество радиочастотных компонентов резко возросло. В то же время, из-за требований к конструкции, площадь печатной платы, отведенная под радиочастотный интерфейс в 5G-смартфонах, не может быть увеличена, поэтому площадь дискретного решения значительно превышает доступную площадь печатной платы. Это ограничение обусловлено пространственными факторами.

 

Ещё одна проблема связана со временем отладки. Время отладки радиочастотных систем 4G с использованием дискретных устройств обычно составляет около недели. С учётом значительного увеличения сложности радиочастотных систем 5G, при использовании дискретных решений, время отладки может увеличиться в 3-5 раз; кроме того, потребуются более дорогостоящее оборудование для тестирования 5G и инженерные ресурсы, знакомые с тестированием 5G. При использовании модулей большая часть отладки уже реализована внутри модуля в процессе его проектирования, и большая часть работы по отладке переносится на программную сторону, что значительно повышает эффективность отладки. Это ограничение, накладываемое временем.

 

Ограничения по времени и пространству сильны и универсальны. Поэтому в мобильных телефонах начального уровня с поддержкой 5G существует естественная потребность в модулях со «средне-низкой производительностью и высокой степенью интеграции», что согласуется с требованиями к модулям «средне-высокой производительности и высокой степенью интеграции» флагманских мобильных телефонов. Поскольку все они требуют высокоинтегрированных модулей, но требования к показателям различны, отечественные чипы модулей могут итеративно развиваться от «средне-низкой производительности» (мобильные телефоны начального уровня с поддержкой 5G) к «средне-высокой производительности» (флагманские мобильные телефоны с поддержкой 5G). В результате «разрыв в модулях» сокращается.

 

 

У всего есть две стороны. После того, как "пробел в сегменте модулей" был заполнен, на рынке дискретных компонентов возникли риски; местным компаниям, специализирующимся на дискретных микросхемах, также необходимы огромные ресурсы и ресурсы, чтобы занять свою нишу на рынке модульных продуктов; если им не удастся пробиться, в ближайшем будущем они столкнутся с проблемой "узкого места".

 

На ранних этапах развития 5G на рынке уже представлено гибридное решение, использующее дискретные устройства и модули. Появление этого решения обусловлено множеством объективных причин, включая исторически сложившийся «модульный разрыв». Это решение является результатом компромисса, жертвования ключевыми показателями и уступок в отношении площади. Если не будет компаний-производителей чипов, ориентированных на производство отечественных модулей, не будет и высококачественных отечественных модульных чипов; если не будет высококачественных отечественных модульных чипов, цена модульных решений всегда будет высокой.

             

Краткая классификация фильтрующих технологий.

Фильтр на основе объемных акустических волн (BAW-фильтр). Он обладает преимуществами малых вносимых потерь, большого внеполосного затухания и нечувствителен к изменениям температуры. Размер BAW-фильтра уменьшается с увеличением частоты, поэтому он особенно подходит для средне- и высокочастотной связи выше 1.7 ГГц и имеет очевидные преимущества в приложениях 5G и ниже 6G.

 

 

Фильтр поверхностных акустических волн (ПАВ): это специальное фильтрующее устройство, изготовленное из пьезоэлектрических материалов, таких как кварцевый кристалл, ниобат лития и пьезокерамика, использующее пьезоэлектрический эффект и физические свойства распространения поверхностных волн. Фильтры ПАВ обладают такими преимуществами, как стабильная работа, простота использования, широкий частотный диапазон и т. д., и являются основными областями применения на частотах ниже 1.6 ГГц. Однако у них есть недостатки, такие как большие вносимые потери и серьезные проблемы с нагревом при обработке высокочастотных сигналов. Поэтому они имеют низкую применимость при обработке высокочастотных сигналов выше 1.6 ГГц.

 

 

LC-фильтр: то есть фильтр индуктивно-конденсаторного типа. LC-фильтр обычно состоит из соответствующей комбинации фильтрующего конденсатора, реактивного сопротивления и резистора. Индуктор и конденсатор вместе образуют LC-фильтрующую цепь.

 

             

Краткая классификация радиочастотных модулей

Модуль радиочастотного тракта объединяет два или более дискретных устройства, таких как радиочастотные переключатели, малошумящие усилители, фильтры, дуплексеры и усилители мощности, в один модуль, что улучшает интеграцию и производительность, а также уменьшает габариты. В зависимости от метода интеграции, радиочастотный канал основной антенны может быть разделен на: FEMiD (интегрированный радиочастотный переключатель, фильтр и дуплексер), PAMiD (интегрированный многорежимный многодиапазонный усилитель мощности и FEMiD), LPAMiD (малошумящий усилитель, интегрированный многорежимный многодиапазонный усилитель мощности и FEMiD) и т. д.; радиочастотный канал разнесенной антенны может быть разделен на: DiFEM (интегрированный радиочастотный переключатель и фильтр), LFEM (интегрированный радиочастотный переключатель, малошумящий усилитель и фильтр) и т. д.

 

Основная антенна радиочастотного канала

 

Радиочастотная связь с использованием разнесенной антенны

             

«Плотность значений» радиочастотного тракта

Поскольку площадь печатной платы мобильных телефонов 5G ограничена, и нам необходимо "вместить" больше функциональных радиочастотных устройств в телефоны 5G, при оценке каждого типа радиочастотного устройства необходимо установить параметр, который бы единообразно описывал его как комплексный показатель, отражающий его ценность и занимаемую площадь печатной платы.

 

Плотность стоимости = (Средняя цена продажи ASP) / (Размер упаковки микросхемы)

 

Далее мы используем инструмент VD value для анализа трех типов продукции: фильтров, усилителей мощности и радиочастотных модулей.

 

1. Значение VD фильтра

 

 

Прежде всего, позвольте мне пояснить, что, поскольку фильтр обычно требует внешней согласующей цепи, фактическое значение VD ниже, чем значение VD самого устройства. Давайте пока проигнорируем этот фактор. На основе приведенных выше данных можно сделать некоторые выводы: от LTCC до квадплексера значение VD продолжает расти, от 1.2 до 10.0, и этот рост происходит относительно быстро.

 

2. Значение VD усилителя мощности

 

 

На основании приведенных выше данных мы также можем увидеть:

а) При переходе от 2G к 4G значение VD увеличивается с 0.6 до 1.5.

б) Для миниатюрных устройств, эволюционировавших от 4G до CAT1, и мощных усилителей мощности, эволюционировавших от HPUE или Phase5N, значение VD увеличилось примерно до 2.

 

3. Значение VD радиочастотного модуля

 

 

На основании приведенных выше данных можно сделать следующие выводы:

а) Обычно значение VD приемных модулей составляет около 5;

б) Небольшой корпус H/M/L LFEM в приемном модуле имеет очень высокое значение VD, превышающее 10;

c) Передающий модуль (кроме FEMiD), значение VD находится в диапазоне от 4 до 6;

d) FEMiD имеет самое высокое значение VD среди передающих модулей. Следовательно, при смешивании FEMiD с усилителем мощности MMMB с более низким значением VD можно достичь приемлемой эффективности компоновки печатной платы.

 

При составлении сводной таблицы мы также добавили справочные данные о степени локализации технологий и степени локализации рынка. В целом, значение VD будет завышено для подкатегорий, где степень локализации рынка низка или где степень локализации технологий значительно превышает показатель локализации. После увеличения рыночной доли соответствующих местных продуктов в будущем появится больше возможностей для снижения цен.

             

Пять основных типов модулей радиочастотных передатчиков

   

Первый этап разработки: Интеграция усилителей мощности (PA) и LC-фильтров в основном используется в новом диапазоне частот 5G от 3 до 6 ГГц. Типичными продуктами являются PAMiF или LPAMiF n77 и n79. Разработка усилителей мощности для 5G в этих новых диапазонах частот представляет собой сложную задачу, но поскольку спектр новых частотных диапазонов относительно «чистый», требования к фильтрам невысоки, поэтому LC-фильтры (IPD, LTCC) вполне справляются со своей задачей. В целом, этот тип продукции сложен, но не трудоемок, а его технология и стоимость полностью контролируются усилителями мощности.

 

Второй этап разработки: интеграция усилителя мощности (PA) и акустической системы на основе поверхностных акустических волн (BAW) (или высокопроизводительной акустической системы на основе поверхностных акустических волн). Типичными продуктами являются PAMiF от n41 или продукты iFEM от Wi-Fi, работающие в частотном диапазоне около 2.4 ГГц. Частотный диапазон для таких продуктов является распространенным, и технические характеристики усилителя мощности достаточно сложны, но не высоки. Поскольку он работает вблизи 2.4 ГГц, частотный диапазон очень перегружен, и типичным продуктам для обеспечения сосуществования необходимо интегрировать высокопроизводительные фильтры BAW. Поскольку функция фильтрации в таких продуктах несложна, усилитель мощности все еще имеет технический контроль; однако с точки зрения стоимости фильтр может превышать усилитель мощности. В целом, разработка таких продуктов сложна, но не сложна, и усилитель мощности имеет определенный контроль.

 

Запуск 3: Модуль запуска низкочастотного диапазона. LB (L)PAMiD обычно интегрирует частотные диапазоны 4G/5G ниже 1 ГГц (например, B5, B8, B26, B20, B28 и т. д.), включая высокопроизводительные усилители мощности и несколько низкочастотных дуплексеров; в различных решениях он также может интегрировать GSM850/900 и DCS/PCS 2GPA для дальнейшего повышения уровня интеграции. Низкочастотные дуплексеры обычно должны быть реализованы с использованием технологии TC-SAW для достижения оптимальных характеристик системы. В зависимости от потребностей системного решения, если на основе LB PAMiD интегрирован малошумящий усилитель (LNA), такой продукт называется LB LPAMiD. Видно, что сложность таких продуктов уже относительно высока: с точки зрения усилителей мощности, необходимо интегрировать высокопроизводительные 4G/5GPA, а иногда и мощные ядра 2GPA; Что касается фильтров, обычно требуется от 3 до 5 дуплексеров TC-SAW с использованием упаковки на уровне пластины (WLP). С точки зрения общей стоимости (при условии интеграции 2GPA), компоненты усилителя мощности/малонасоса и фильтра занимают примерно одинаковую долю. LB (L)PAMiD требует относительно сбалансированных технических возможностей, поэтому третий уровень появляется на стыке усилителя мощности и фильтра.

 

Четвертый этап разработки: FEMiD. Такие продукты обычно включают в себя различные фильтры/дуплексеры/мультиплексоры от низких до высоких частот, а также антенные переключатели в основном тракте; они не интегрируют усилитель мощности. Для продуктов FEMiD обычно требуются интегрированные переключатели на основе LTCC, SAW, TC-SAW, BAW (или IHPSAW с эквивалентными характеристиками) и SOI. Компания Murata разработала этот тип продуктов и доминирует на рынке почти восемь лет. Крупные производители мобильных телефонов, такие как Samsung и Huawei, использовали или используют большое количество таких продуктов в своих мобильных телефонах среднего и высокого ценового сегмента. Как упоминалось выше, конкурентоспособные поставщики PAMiD в основном сосредоточены в Северной Америке; из-за соображений диверсификации цепочки поставок некоторые модели мобильных телефонов с очень большими объемами поставок могут использовать архитектуру MMMB (Multi-Mode Multi-Band) PA плюс FEMiD. Квалифицированные поставщики усилителей мощности MMMB широко распространены в Северной Америке, Китае и Южной Корее, а производственные мощности японской компании Murata по выпуску FEMiD-устройств очень велики (в основном из LTCC и SAW). Как уже упоминалось, значение VD для FEMiD-устройств очень высокое, а использование пространства в целом также находится в разумных пределах.

 

Пятый этап запуска: M/H (L)PAMiD. Этот тип продукции имеет самую высокую рыночную стоимость среди радиочастотных интерфейсов и является наиболее сложной областью для комплексной интеграции. Это вершина сегмента рынка радиочастотных интерфейсов. Диапазон частот, обычно охватываемый M/H, составляет 1.5–3.0 ГГц. Этот диапазон частот является золотым для мобильной связи. В этом диапазоне находятся первые четыре диапазона частот FDD LTE (Band1/2/3/4), первые четыре диапазона частот TDD LTE (B34/39/40/41), все коммерческие диапазоны частот TDS-CDMA, а также первое коммерческое решение для агрегации несущих (Carrier Aggregation), реализованное с помощью квадплексера B1+B3). GPS, Wi-Fi и важные не сотовые сети связи, такие как 2.4G и Bluetooth, также работают в этом диапазоне. Как вы можете себе представить, главными характеристиками этого частотного диапазона являются «загромождение» и «помехи», а также это широкая площадка для демонстрации возможностей высокоэффективных BAW-фильтров. Поскольку этот частотный диапазон давно доступен на рынке, технология усилителей мощности в этом диапазоне относительно зрелая, и основная проблема заключается в фильтрующих устройствах.

 

Позвольте мне сначала объяснить, почему эта частота является золотой частотой мобильной связи. В длительном процессе развития движущей силой мобильной связи был уровень проникновения мобильных терминалов, а основная проблема популярности мобильных терминалов заключалась в производительности и стоимости терминалов. На слишком высоких частотах, таких как выше 3 ГГц и выше 10 ГГц, характеристики полупроводниковых транзисторов быстро ухудшаются, что затрудняет достижение высокой производительности; а на слишком низких частотах, таких как ниже 800 МГц и ниже 300 МГц, требуемый размер антенны будет очень большим, а значения индуктивности и емкости, используемые для согласования ВЧ-сигнала, также будут очень большими. При ограничениях по размеру терминала трудно достичь системных характеристик ВЧ-производительности в сверхнизкочастотном диапазоне. Короче говоря, с точки зрения производительности активных устройств (транзисторов) желательно, чтобы частота была ниже; С точки зрения производительности пассивных устройств (конденсаторов, индукторов и антенн), ожидается, что частота будет выше. От принципиального конфликта между активными и пассивными устройствами до компромиссов в применении и интеграции в модуль, они подобны двум мощным течениям — теплому и холодному океану, которые сходятся в частотном диапазоне 1.5–3 ГГц на самом великолепном основном канале мобильной связи человечества, образуя сложнейший и ценнейший золотой угодье для терминальных радиочастот: M/HB (L)PAMiD. Как это замечательно!

 

Рынок таких высококачественных продуктов в настоящее время в основном занят американскими производителями, такими как Broadcom, Qorvo и RF360. На рисунке ниже представлен анализ микросхем, предоставленный компанией Qorvo в её официальном публичном аккаунте. Видно, что данный тип продукта содержит более 10 BAW-транзисторов, 2–3 GaAs HBT-транзистора, 3–5 SOI-транзисторов и 1 CMOS-контроллер, и обладает самой высокой технической сложностью среди радиочастотных продуктов. Для таких продуктов обычно требуется интеграция устройств со сверхвысоким значением VD, таких как квад-плексеры или пяти-/шестиплексеры.

 

M/H LPAMiD вступительная картинка

Источник: официальный аккаунт Qorvo

             

Пять основных типов радиочастотных приемных модулей

   

Модель Wuzhongshan, в которую устанавливается модуль, изображена на фотографии выше.

 

Приёмник 1: Радиочастотный переключатель и малошумящий усилитель реализованы на одном кристалле с использованием технологии RF-SOI. Несмотря на то, что это всего лишь один кристалл, он также представляет собой многофункциональный радиочастотный модуль. Основной технологией для таких изделий является RF-SOI, которая находит применение в сетях 4G и 5G.

 

Приёмник 2: В нём используется технология RF-SOI для реализации функций малошумящего усилителя (LNA) и переключателя, а затем осуществляется интеграция в корпус с фильтрующим чипом LC-типа (IPD или LTCC). Фильтр LC-типа подходит для требований к большой полосе пропускания и низкому подавлению в диапазоне 3–6 ГГц и подходит для частотного диапазона n77/n79 в части 5G NR. В этом типе продукции также преобладает технология SOI, и он в основном используется в 5G.

 

Приёмник 3: Начиная с приёмника 3, приёмный модуль начинает нуждаться в интеграции нескольких ПАВ-фильтров, и уровень интеграции становится всё выше. Обычно необходимо интегрировать однополюсный многопозиционный (SPnT) или двухполюсный многопозиционный (DPnT) SOI-переключатель, а также несколько ПАВ-фильтров, поддерживающих агрегацию несущих (CA). Что касается способа упаковки, поскольку уровень интеграции «приёмника 3» ещё не ограничен, существует множество возможных вариантов. Среди них продукция международных производителей в основном основана на технологии WLP. Помимо преимуществ в надёжности и толщине изделия, они также могут быть повторно использованы в других продуктах с более высокими уровнями интеграции.

 

Приёмник 4: Этот тип продукта называется MIMO M/H LFEM. В основном он применяет технологию MIMO к частотным диапазонам M/H (таким как B1/3/39/40/41/7) для повышения скорости передачи данных. Это обязательное требование для доступа в сеть для некоторых мобильных телефонов среднего и высокого класса. Похоже, что индустрия связи действительно любит золотой диапазон частот M/H. С технической точки зрения, этот тип продукта основан на малошумящем усилителе (LNA) плюс переключателе, реализованном в технологии RF-SOI, и затем интегрирует от 4 до 6 каналов высокопроизводительных SAW-фильтров M/H. Международные производители начали широко использовать технологию TC-SAW в этих частотных диапазонах для достижения наилучших общих характеристик.

 

Приёмник 5: Наиболее сложная часть приёмного чипа — это LFEM H/M/L. Этот тип продукта реализует фильтрацию (SAW-фильтр), переключение каналов (RF-переключатель) и усиление сигнала (LNA) в 10–15 частотных диапазонах при очень малых размерах. Он обладает сверхвысокой плотностью значений (около 10). В проектах 5G это может помочь заказчикам значительно уменьшить площадь печатной платы, занимаемую приёмником, и использовать ценную площадь передатчика/антенны и других компонентов для повышения общей производительности. Этот тип продукта требует высочайшего уровня комплексных навыков и, в основном, использования передовых методов упаковки в виде WLP для соответствия требованиям к размерам, надежности и выходу годных изделий.

         

Суммировать

1. Ключевым требованием к радиочастотным модулям является миниатюризация различных компонентов и интеграция модулей.

2. Будь то передающий или приемный модуль, чистые модули 5G сложны, но не замысловаты. Наиболее сложными и ценными являются модули высокой сложности, поддерживающие одновременно 4G и 5G.

 

Локальная замена — это прекрасная возможность, не требующая инноваций на начальном этапе. Ключевым моментом являются технологические инновации, позволяющие реализовать коммерциализацию, миниатюризацию и модульность радиочастотных чипов 4G/5G. Компания Kaiyuan Communications специализируется на разработке радиочастотных модульных чипов и создала научно-исследовательские центры в Сямэне, Шанхае и Тайбэе, реализуя концепцию «все в модулях». Она направляет ключевые ресурсы на разработку радиочастотных модулей и активно продвигает наиболее экономичные и доступные модульные чипы, чтобы ускорить массовое производство отечественной модульной продукции и способствовать здоровому развитию китайской телекоммуникационной отрасли.

   
   

Индустриализация радиочастотных модулей началась в западных компаниях на 5-10 лет раньше, чем в Китае. Как показано на рисунке в начале статьи, на китайском рынке продается большое количество импортных радиочастотных модулей, а Китай все еще находится на стадии развития индустрии дискретных устройств. Конечно, китайским компаниям необходимо наверстать упущенное, и первым шагом к этому является углубленный анализ соответствующих знаний о модулях 5G, сочетание собственных конкурентных преимуществ, поиск подходящей точки входа и, наконец, полное внедрение тренда модульной индустрии. Если мы полностью примем этот тренд, мы уверены, что совершим скачок в развитии отечественных радиочастотных модулей примерно через пять-десять лет.

 

Статуя Петра Великого в Санкт-Петербурге

   

Приведите аналогичный успешный пример. Современная промышленная революция впервые началась в Западной Европе. Западная Европа начала индустриализацию, но Россия всё ещё оставалась отсталой феодальной аграрной страной. В 1703 году царь Пётр Романов издал указ о строительстве новой столицы в порту на Балтийском море. Несмотря на всеобщее противодействие и бесчисленные споры, этот царь, один из лучших в русской истории, путешествовавший и учившийся в Западной Европе под видом ремесленника, боролся со всеми трудностями, чтобы построить новую российскую столицу (Санкт-Петербург), которая бы стала связующим звеном между Европой и миром, полностью охватив Европу, океан и промышленную революцию. Европа, океан и промышленная революция были тенденциями в стране в XVIII веке; сегодня в индустрии радиочастотных компонентов актуальны такие тенденции, как замещение отечественных компонентов, 5G и радиочастотные модули.

 

Когда родился Пётр Великий, Россия была куском рыбы на разделочной доске; когда он умер, Россия уже стала разделочным ножом для мяса. Основываясь на всестороннем развитии местной индустрии мобильной связи, мы надеемся, что китайская радиочастотная индустрия сможет смело двигаться вперёд и принять историческую волну замещения отечественных технологий, информатизацию 5G и модульность радиочастот. Если когда мы пришли в эту отрасль, китайская радиочастотная индустрия всё ещё была подобна рыбе на разделочной доске, то я надеюсь, что к тому времени, когда мы все планируем «выйти на пенсию», китайская радиочастотная индустрия уже станет разделочным ножом для мяса. Давайте поддержим вас всех!

Примечание: Данная статья воспроизведена из интернета и направлена ​​на защиту прав интеллектуальной собственности. При перепечатке, пожалуйста, указывайте первоисточник и автора. В случае нарушения авторских прав, пожалуйста, свяжитесь с нами для удаления публикации.

Номер телефона компании: +86-0755-83044319
Факс: +86-0755-83975897
Почта: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 Менеджер Ли

QQ: 332496225 Менеджер Цю

Адрес: Комната 809, корпус C, технологический корпус Чжаньтао, проспект Миньчжи, 1079, новый район Лунхуа, Шэньчжэнь.