Лучшие в мире возможности зарядки обеспечивает первое в мире зарядное устройство Xiaomi на основе нитрида галлия GaNFast, соответствующее нанометровому стандарту.

Дублин, Ирландия (PRWeb): Компания Navitas Semiconductor 15 числа объявила о том, что её чип питания на основе нитрида галлия (GaN) официально используется в зарядном устройстве Xiaomi мощностью 55 Вт (модель MDY-12-EQ). Зарядное устройство входит в комплект поставки смартфона Xiaomi Mi 11 при его запуске за рубежом. Xiaomi Mi 11 — первый в мире смартфон с поддержкой 5G, работающий на чипе Qualcomm Snapdragon 888. Он оснащен 6.81-дюймовым AMOLED-экраном с защитным стеклом Corning Gorilla Glass, разрешением 1440p и аккумулятором емкостью 4,600 мАч. Благодаря использованию зарядного устройства мощностью 55 Вт, оснащенного чипом питания GaNFast на основе нитрида галлия от Nanomicro, Xiaomi Mi 11 может заряжаться от 0% до 100% всего за 45 минут, что вдвое меньше, чем у конкурирующих флагманских телефонов, и при этом очень компактен, занимая лишь половину размера традиционных зарядных устройств на основе кремния.

Нитрид галлия (GaN) — это полупроводниковая технология третьего поколения, работающая в 20 раз быстрее, чем более старый и медленный кремний (Si), и позволяющая достичь в три раза большей мощности или скорости зарядки при втрое меньшем объеме и весе. Чипы питания GaNFast на основе нитрида галлия от Nanomicro объединяют в себе GaN-устройства, драйверы, а также функции защиты и управления, обеспечивая самые простые, компактные и быстрые решения для питания, а также еще более высокую производительность по мощности на сегодняшний день. Зарядное устройство Xiaomi мощностью 55 Вт на основе GaN использует чип питания Nanomicro NV6115 GaNFast на основе GaN в высокочастотной квазирезонансной (HQFR) обратноходовой топологии и контроллер ON Semiconductor NCP1342 для работы на частоте 200 кГц, что позволяет использовать сверхтонкую планарную конструкцию трансформатора, а также более компактные фильтры электромагнитных помех и выходные конденсаторы.

Г-н Чжоу Шоузи, старший вице-президент по работе с партнерами и президент международного отдела Xiaomi Group, заявил на глобальной презентации Xiaomi 11: «Самое важное в зарядном устройстве на основе нитрида галлия мощностью 55 Вт — это то, что оно может заряжать многие ваши электронные устройства, включая ноутбуки, игровые приставки и смартфоны. Мы считаем, что это действительно зарядка мирового класса».

Джин Шеридан, генеральный директор и соучредитель Navitas Semiconductor, сказал: «После презентации Xiaomi 10 в феврале 2020 года чип питания Nanomicro GaNFast на основе нитрида галлия был впервые использован в зарядном устройстве Xiaomi мощностью 65 Вт. Нитрид галлия начал привлекать внимание людей. К октябрю 2020 года на Дне технологий и инвестиций Xiaomi дебют талисмана Nanomicro «Маленький галлий азот» произвел фурор в отрасли. Сегодня мы очень рады сотрудничать с Xiaomi 11, чтобы вывести технологию нитрида галлия на мировой рынок. Зарубежная версия зарядного устройства NanoMicro GaNFast мощностью 55 Вт, поставляемого в стандартной комплектации с Xiaomi 11, имеет европейский стандартный 2-контактный разъем переменного тока. Это означает, что ведущие производители смартфонов начали внедрять технологию нитрида галлия, а также что отрасль начала поэтапно отказываться от старых низкоскоростных кремниевых чипов».

Предупреждение: Данная статья воспроизведена из издания "Charging Head", которое поддерживает защиту прав интеллектуальной собственности. Пожалуйста, укажите первоисточник и автора перепечатки. В случае обнаружения каких-либо нарушений, пожалуйста, свяжитесь с нами для удаления публикации.

Номер телефона компании: +86-0755-83044319
Факс: +86-0755-83975897
Почта: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 Менеджер Ли

QQ: 332496225 Менеджер Цю

Адрес: Комната 809, корпус C, технологический корпус Чжаньтао, проспект Миньчжи, 1079, новый район Лунхуа, Шэньчжэнь.