Das weltweit führende Ladeerlebnis bietet Xiaomis erstes Standard-Nanometer-GaNFast-Galliumnitrid-Ladegerät.

Dublin, Irland (PRWeb): Navitas Semiconductor gab am 15. bekannt, dass sein Galliumnitrid-Leistungschip (GaN) offiziell im 55-Watt-Galliumnitrid-Ladegerät (Modell MDY-12-EQ) von Xiaomi verbaut wird. Das Ladegerät ist beim internationalen Verkaufsstart des Xiaomi Mi 11 im Lieferumfang enthalten. Das Xiaomi Mi 11 ist das weltweit erste 5G-Smartphone mit Qualcomm Snapdragon 888-Chip. Es verfügt über ein 6.81 Zoll großes Corning Gorilla Glass AMOLED-Display mit 1440p-Auflösung und einen 4,600-mAh-Akku. Dank des 55-Watt-Galliumnitrid-Ladegeräts mit dem GaNFast-Galliumnitrid-Leistungschip von Nanomicro lässt sich das Xiaomi Mi 11 in nur 45 Minuten von 0 % auf 100 % aufladen. Das ist die Hälfte der Ladezeit vergleichbarer Flaggschiff-Smartphones und zudem sehr kompakt – nur halb so groß wie herkömmliche Silizium-Ladegeräte.

Galliumnitrid (GaN) ist eine Halbleitertechnologie der dritten Generation, die 20-mal schneller arbeitet als das ältere, langsamere Silizium (Si) und bis zu dreimal höhere Leistung oder Ladegeschwindigkeit bei nur einem Drittel des Volumens und Gewichts ermöglicht. Die GaNFast-Galliumnitrid-Leistungschips von Nanomicro integrieren GaN-Bauelemente, Treiber sowie Schutz- und Steuerungsfunktionen und bieten so die einfachsten, kleinsten und schnellsten Stromversorgungslösungen mit noch höherer Leistungsfähigkeit. Das 55-W-GaN-Ladegerät von Xiaomi nutzt den NV6115 GaNFast-GaN-Leistungschip von Nanomicro in einer Hochfrequenz-Quasi-Resonanz-Sperrwandler-Topologie (HQFR) und einen ON Semiconductor NCP1342-Controller für den Betrieb mit 200 kHz. Dies ermöglicht ein ultradünnes, planares Transformator-Design sowie kleinere EMI-Filter und Ausgangskondensatoren.

Herr Zhou Shouzi, Senior Vice President für Partner und Präsident der internationalen Abteilung der Xiaomi Group, sagte bei der globalen Markteinführung des Xiaomi 11: „Das Wichtigste am 55-Watt-Galliumnitrid-Ladegerät ist, dass es viele Ihrer elektronischen Geräte aufladen kann, darunter Laptops, Spielekonsolen und Smartphones. Wir glauben, dass dies ein wirklich erstklassiges Ladeerlebnis ist.“

Gene, CEO und Mitbegründer von Navitas Semiconductor SHERIDAN, sagte: „Nach der Präsentation des Xiaomi 10 im Februar 2020 wurde der GaNFast-Galliumnitrid-Leistungschip von Nanomicro erstmals im 65-Watt-Galliumnitrid-Ladegerät von Xiaomi eingesetzt. Galliumnitrid rückte dadurch in den Fokus der Öffentlichkeit. Im Oktober 2020 sorgte die Vorstellung des Nanomicro-Maskottchens „Little Nitrogen Gallium“ auf dem Xiaomi Technology and Investment Day für Furore in der Branche. Wir freuen uns sehr, mit dem Xiaomi 11 zusammenzuarbeiten und die Galliumnitrid-Technologie auf den Weltmarkt zu bringen. Die internationale Version des 55-Watt-GaNFast-Galliumnitrid-Ladegeräts von Nanomicro, das standardmäßig mit dem Xiaomi 11 geliefert wird, verfügt über einen europäischen 2-Pin-Wechselstromanschluss. Dies zeigt, dass führende Smartphone-Hersteller begonnen haben, auf Galliumnitrid-Technologie zu setzen, und dass die Branche begonnen hat, die alten, langsamen Siliziumchips schrittweise abzulösen.“

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