10 000 вольт! ! Внутренние GaN-технологии устанавливают очередной мировой рекорд.
недавний,Сучжоу Цзинчжан ПолупроводникНа официальном сайте было объявлено:Новейшее разработанное компанией устройство на основе нитрида галлия (GaN) установило новый рекорд.-Напряжение пробояпревышает 10 кВ,«Это, безусловно, самая высокая цена в мире».
More importantly, the GaN epitaxial structure of the device is based on a sapphire substrate, so the preparation cost is higher than that of SiCВ 2-3 раза дешевле.Цзинчжань считает, что этот прорыв поможет нитриду галлия выйти на новый уровень.Электромобили, электросети и железнодорожный транспорта также в других областях применения высоковольтного оборудования, обладающих широким потенциалом.
Interruption: To join the third-generation semiconductor tycoon group, please add WeChat: hangjiashuo666.
Инновационная архитектура расширений
Установил мировой рекорд высоты.
По словам Цзинчжаня, они работали сЦентр силовой электроники Вирджинского технологического университета(CPES) cooperated to tackle key problems and prepared a GaN SBD, successfully achieving an ultra-high breakdown voltage of more than 10kV, which is the highest record of breakdown voltage of GaN power devices so far.
1 июня CPES также объявила об этом.
После измерений напряжение пробоя одного из устройств на основе нитрида галлия, изготовленных Цзинчжанем, составляет приблизительно11kVИзмерения зависимости емкости от напряжения при обратном смещении до 3 кВ показывают, что емкостные потери энергии составляют всего лишь1.6 мкДж/мм.
Кроме того, при достижении сверхвысокого напряжения пробоя в 10 кВ устройство обладает коэффициентом качества Балиги, достигающим...2.8 ГВт·см2Сопротивление в открытом состоянии составляет всего несколько единиц.39 мОм·см2намного ниже, чем10kVУстойчивый к напряжению SiC SBD.
Для этого технологического прорыва необходимы две ключевые технологии, включая новую установку Suzhou Jingzhan.Multi-channel AlGaN/GaN heterostructure epitaxial wafer,также как иpGaN surface field reduction technology(РЕСУРС)。
Среди них эпитаксиальная структура материала нитрида галлия, разработанная Цзинчжанем, включает: 20-нм слой p+GaN/350-нм слой p-GaN и 5 каналов 23-нм собственного слоя Al0.25Ga0.75N/100-нм GaN.
Рисунок 1: Схема структуры многоканального устройства AlGaN/GaN SBD.
Based on sapphire
В 3 раза дешевле, чем SiC.
Известно, что эта эпитаксиальная структура была создана командой Цзинчжаня методом MOCVD на 4-дюймовой подложке.Сапфировая подложкаA single continuous epitaxy is achieved without the need for secondary epitaxy. Due to the use of cheap sapphire substrate and horizontal device structure, the device preparation cost is much lower thanSiC-диод.
The team noted the cost reduction of 4-inch GaN on sapphire wafers compared to 4-inch SiCОколо 2-3 разКроме того, размер кристалла устройств Jingzhan меньше, поэтому стоимость материалов для таких устройств значительно ниже, чем у SiC SBD того же уровня, а стоимость обработки боковых GaN-устройств также ниже, чем у SiC.
In addition, the team estimated that 10kV, 0.3ARESURF deviceThe switching quality factor is15.7 нКВпри напряжении 3.3 кВ и токе 0.3 АНИЦ СБДдля30.8 нКВ.
Figure 2: Jing ZhanSBDс другимиGaN,карбид кремнияоксид галлияSBDсопротивление в открытом состоянии иBVComparison of benchmarks (the dotted line is the theoretical limit).
Отказ от ответственности: Данная статья воспроизведена из издания "Third Generation Semiconductor Trend". Эта статья отражает только личное мнение автора и не представляет точку зрения компании Sacco Micro и отрасли в целом. Перепечатка и распространение разрешены только в целях защиты прав интеллектуальной собственности. Пожалуйста, указывайте первоисточник и автора при перепечатке. В случае нарушения авторских прав, пожалуйста, свяжитесь с нами для удаления публикации.
粤公网安备44030002007346号