เทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์กำลังพัฒนาอย่างรวดเร็ว ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC), แกลเลียมไนไตรด์ (GaN), แกลเลียมอาร์เซไนด์ (GaAs) เป็นต้น ล้วนเป็นตัวแทนของเซมิคอนดักเตอร์รุ่นที่สาม โดยเฉพาะอย่างยิ่ง ซิลิคอนคาร์ไบด์จะมีส่วนแบ่งการตลาดในตลาดอิเล็กทรอนิกส์กำลังสูงถึง 10-20 พันล้านดอลลาร์สหรัฐต่อปี

เมื่อเปรียบเทียบกับวัสดุซิลิคอน Si แบบดั้งเดิม ชิ้นส่วนซิลิคอนคาร์ไบด์ SiC มีคุณสมบัติเด่นหลายประการ ได้แก่ แถบพลังงานกว้าง ความถี่ในการสวิตช์สูง ความต้านทานไฟกระชากสูง ความต้านทานแรงดันสูงและความต้านทานอุณหภูมิสูง อายุการใช้งานยาวนาน ความหนาแน่นของกำลังสูง และการใช้งานที่หลากหลาย

ในปัจจุบัน บริษัทที่มีเทคโนโลยีการประยุกต์ใช้ชิ้นส่วนซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ที่ดีที่สุดในโลกมีอยู่ 2 บริษัท ได้แก่ CREE และ ROHM นอกจากนี้ บริษัทอย่าง ST ก็กำลังเร่งพัฒนาเทคโนโลยีนี้เช่นกัน รวมถึงบริษัทจากเกาหลีใต้ด้วย SLKOR เทคโนโลยีก็อยู่ในระดับแนวหน้าเช่นกัน ในแง่ของวัสดุและส่วนประกอบ ยังมีช่องว่างระหว่างจีนกับต่างประเทศประมาณ 5-10 ปี ซึ่งถูกจำกัดโดยวัสดุพื้นฐานซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) แผ่นเวเฟอร์แบบเอพิแท็กเซียล กระบวนการผลิตส่วนประกอบ (การตัดเวเฟอร์ การฉีดพลังงานแรงดันสูง การอบชุบด้วยความร้อนสูง และกระบวนการและอุปกรณ์สำคัญอื่นๆ เป็นต้น)

Shenzhen city SLKOR บริษัท Micro Semiconductor Co., Ltd. (www.slkormicro.com) ร่วมกับสถาบันวิจัยพลังงานไฟฟ้าแห่งประเทศจีน สถาบันวิจัยพลังงานไฟฟ้าแห่งประเทศจีน ฝ่ายที่ 55 และ 13 แผนกที่ 6 ของ BYD สถาบันวิจัยพลังงานไฟฟ้าแห่งมหาวิทยาลัยชิงหัว และอื่นๆ กำลังร่วมกันวิจัยการประยุกต์ใช้เทคโนโลยีที่เกี่ยวข้อง ปัจจุบันมีผลิตภัณฑ์ต่างๆ เช่น SiC Schottky, ท่อ MOS แรงดันสูง, โมดูล SiC, TVS/ESD และอื่นๆ ปัจจุบันเราใช้เทคโนโลยีจากเกาหลีใต้ SLKOR ผลิตภัณฑ์ของเรามีเป้าหมายที่จะขยายตลาดในประเทศจีนอย่างแข็งแกร่ง เราเริ่มต้นได้ดีมาก และจะนำผลิตภัณฑ์ทดแทนในประเทศมาใช้เมื่อการพัฒนาเสร็จสมบูรณ์

หมายเลขโทรศัพท์ของบริษัท: +86-0755-83044319
โทรสาร: +86-0755-83975897
อีเมล์: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 ผู้จัดการหลี่

QQ: 332496225 ผู้จัดการชิว

ที่อยู่: ห้อง 809 อาคาร C อาคารเทคโนโลยีจ้านเทา เลขที่ 1079 ถนนหมินจือ เขตหลงหัวใหม่ เมืองเซินเจิ้น