半導体技術は急速に発展している。炭化ケイ素（SiC）、窒化ガリウム（GaN）、ヒ化ガリウム（GaAs）などは、第三世代半導体の代表例である。特に炭化ケイ素は、パワーエレクトロニクス市場において年間10億～20億ドルの市場シェアを占めると予測されている。

従来のシリコン（Si）材料と比較して、炭化ケイ素（SiC）部品は、広いバンドギャップ、高いスイッチング周波数、高いサージ耐性、高い電圧耐性、高い温度耐性、長寿命、高い電力密度、および幅広い用途といった特徴を備えています。

現在、炭化ケイ素（SiC）部品の応用技術において世界最高水準を誇るのはCREEとROHMの2社である。STなどの企業も急速に展開を進めており、韓国の SLKOR 技術面でも最先端を走っています。材料や部品に関しては、中国と海外の間には5～10年のギャップがあり、これは炭化ケイ素（SiC）基板、エピタキシャルウェハ、部品加工（ウェハ切断、高圧エネルギー注入、高温アニーリングなどの主要工程や装置など）によって制限されています。

シンセン SLKOR Micro Semiconductor Co., Ltd. (www.slkormicro.com)、中国電力第55研究所および第13研究所、BYD第6事業部、清華大学電力研究所などが、関連技術の応用について共同研究を行っています。現在、SiCショットキーダイオード、高電圧MOSトランジスタ、SiCモジュール、TVS/ESDなどの製品が利用可能です。現在、韓国の技術を使用しています。 SLKOR 中国市場への製品の本格的な進出を目指しています。非常に良いスタートを切っており、国内代替品が完成次第、それらに取って代わる予定です。

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