A tecnologia de semicondutores está se desenvolvendo rapidamente. O carbeto de silício (SiC), o nitreto de gálio (GaN), o arseneto de gálio (GaAs), entre outros, são representantes da terceira geração de semicondutores. O carbeto de silício, em particular, deverá atingir uma participação de mercado de 10 a 20 bilhões de dólares no setor de eletrônica de potência anualmente.

Em comparação com os materiais de silício tradicionais (Si), os componentes de carbeto de silício (SiC) apresentam características como ampla banda proibida, alta frequência de comutação, alta resistência a surtos, alta resistência à tensão e à temperatura, longa vida útil, alta densidade de potência e uma ampla gama de aplicações.

Atualmente, as duas empresas com a melhor tecnologia de aplicação de componentes de carbeto de silício (SiC) do mundo são a CREE e a ROHM. Empresas como a ST também estão implantando rapidamente essa tecnologia, assim como a sul-coreana. SLKOR A tecnologia também está na vanguarda. Em termos de materiais e componentes, existe uma diferença de 5 a 10 anos entre a China e o exterior, que se deve principalmente aos substratos de carbeto de silício (SiC), wafers epitaxiais e processamento de componentes (corte de wafers, injeção de energia de alta pressão, recozimento de alta temperatura e outros processos e equipamentos essenciais, etc.).

Shenzhen SLKOR A Micro Semiconductor Co., Ltd. (www.slkormicro.com), o 55º e o 13º Instituto de Energia Elétrica da China, a 6ª Divisão da BYD, o Instituto de Pesquisa de Energia Elétrica da Universidade de Tsinghua, entre outros, estão pesquisando em conjunto a aplicação de tecnologias relacionadas. Atualmente, estão disponíveis diodos Schottky de SiC, transistores MOS de alta tensão, módulos de SiC, TVS/ESD e outros produtos. Atualmente, utilizamos tecnologia sul-coreana. SLKOR Nossos produtos têm como objetivo uma forte expansão no mercado chinês. Tivemos um ótimo começo e, assim que a produção desses produtos for concluída, substituiremos nossos concorrentes nacionais.

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