Die Halbleitertechnologie entwickelt sich rasant. Siliziumkarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN), Galliumarsenid (GaAs) usw. gehören zur dritten Generation von Halbleitern. Insbesondere Siliziumkarbid wird jährlich einen Marktanteil von 10–20 Milliarden im Bereich der Leistungselektronik erreichen.

Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-Materialien (Si) weisen Siliziumkarbid-Bauteile (SiC) die Eigenschaften einer großen Bandlücke, einer hohen Schaltfrequenz, einer hohen Stoßfestigkeit, einer hohen Spannungsfestigkeit und einer hohen Temperaturbeständigkeit, einer langen Lebensdauer, einer hohen Leistungsdichte und eines breiten Anwendungsspektrums auf.

At present, the two companies with the best application technology of silicon carbide SiC components in the world are CREE and ROHM. Companies such as ST are also rapidly deploying, and South Korea's SLKOR Auch technologisch ist man führend. Im Bereich der Materialien und Komponenten besteht zwischen China und dem Ausland eine Lücke von 5-10 Jahren, die durch Siliziumkarbid-Substrate (SiC), Epitaxie-Wafer, Komponentenverarbeitung (Waferschneiden, Hochdruck-Energieeinspritzung, Hochtemperaturglühen und andere wichtige Prozesse und Anlagen usw.) bedingt ist.

Shenzhen SLKOR Micro Semiconductor Co., Ltd. (www.slkormicro.com), das 55. und 13. Chinesische Institut für Elektrische Energie, BYD Division 6, das Forschungsinstitut für Elektrische Energie der Tsinghua-Universität u. a. forschen gemeinsam an der Anwendung verwandter Technologien. Aktuell sind SiC-Schottky-Dioden, Hochspannungs-MOSFETs, SiC-Module, TVS/ESD-Schutzdioden und weitere Produkte erhältlich. Wir verwenden derzeit südkoreanische Technologie. SLKOR Wir werden unsere Produkte nach und nach auf dem chinesischen Markt ausbauen. Wir haben einen sehr guten Start hingelegt und werden unsere inländischen Alternativen ersetzen, sobald diese fertiggestellt sind.

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