半导体三极管参数符号及含义

2022-03-17 304

半导体三极管的参数符号及其意义

若共发射极电流放大系数β=IC/IB=100，则集电极电流IC=β*IB=10mA。当集电极电阻为500Ω时，晶体管的集电极和发射极之间的压降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶体管的集电极和发射极之间的压降VCE=5V。如果在基极偏置电路中叠加一个小的交流电流ib，集电极电路中就会出现相应的交流电流ic，c/ib=β，从而实现双极型晶体管的电流放大。

??金属氧化物半导体场效应晶体管的基本工作原理是通过半导体表面的电场效应在半导体中感应出导电沟道。当栅极G电压VG增大时，P型半导体表面的多数载流子空穴逐渐减少并被耗尽，而电子逐渐积累而反转。当表面翻转时，电子积累层将在n+源区S和n+漏区D之间形成导电沟道。当VDS≠0时，源极和漏极之间流过大电流IDS。半导体表面实现强反转所需的栅源电压称为阈值电压VT。当VGS大于VT且取不同值时，反型层的电导率会发生变化，在相同VDS下会产生不同的IDS，从而栅源电压VGS可以控制源漏电流IDS。

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