반도체 삼극관 매개변수 기호 및 의미

2022-03-17 303

반도체 삼극관의 매개변수 기호와 그 의미

공통 이미터 전류 증폭 계수 β=IC/IB =100이면 컬렉터 전류 IC=β*IB=10mA입니다. 콜렉터 저항이 500Ω일 때 전압 강하 VRC=10mA*500Ω=5V이고, 트랜지스터의 콜렉터와 이미터 사이의 전압 강하 VCE=5V입니다. 작은 교류 전류 ib가 베이스 바이어스 회로에 중첩되면 해당 교류 전류 ic가 컬렉터 회로에 나타나고 c/ib=β로 되어 바이폴라 트랜지스터의 전류 증폭이 실현됩니다.

??금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터의 기본 작동 원리는 반도체 표면의 전계 효과를 통해 반도체에 전도성 채널을 유도하는 것입니다. 게이트 G 전압(VG)이 증가하면 P형 반도체 표면의 다수 캐리어 정공은 점차 감소하여 소진되고, 전자는 점차 축적되어 반전된다. 표면이 반전되면 전자 축적층은 n+ 소스 영역 S와 n+ 드레인 영역 D 사이에 전도성 채널을 형성합니다. VDS≠0이면 소스 전극과 드레인 전극 사이에 큰 전류 IDS가 흐릅니다. 반도체 표면이 강한 반전을 달성하는 데 필요한 게이트-소스 전압을 문턱 전압 VT라고 합니다. VGS가 VT보다 크고 다른 값을 취하면 반전층의 전도도가 변경되고 동일한 VDS에서 다른 IDS가 생성되므로 게이트-소스 전압 VGS가 소스-드레인 전류 IDS를 제어할 수 있습니다.

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