Simbolo e significato del parametro del triodo a semiconduttore

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2022-03-17 304

Simbolo del parametro del triodo a semiconduttore e suo significato

Se il fattore di amplificazione della corrente dell'emettitore comune β=IC/IB =100, la corrente del collettore IC=β*IB=10mA. Quando la resistenza del collettore è 500Ω, la caduta di tensione VRC=10mA*500Ω=5V, mentre la caduta di tensione VCE=5V tra il collettore e l'emettitore del transistor. Se nel circuito di polarizzazione di base si sovrappone una piccola corrente alternata ib, nel circuito di collettore apparirà la corrispondente corrente alternata ic, con c/ib=β, realizzando così l'amplificazione di corrente del transistore bipolare.

??Il principio di funzionamento di base del transistor ad effetto di campo semiconduttore a ossido di metallo è quello di indurre un canale conduttivo nel semiconduttore attraverso l'effetto del campo elettrico sulla superficie del semiconduttore. Quando la tensione di gate G VG aumenta, le lacune portanti maggioritarie sulla superficie del semiconduttore di tipo P diminuiscono gradualmente e si esauriscono, mentre gli elettroni si accumulano gradualmente fino all'inversione. Quando la superficie è invertita, lo strato di accumulo di elettroni formerà un canale conduttivo tra la regione di source n+ S e la regione di drain n+ D. Quando VDS≠0, una grande corrente IDS scorre tra gli elettrodi di source e drain. La tensione gate-source richiesta affinché la superficie del semiconduttore raggiunga una forte inversione è chiamata tensione di soglia VT. Quando VGS è maggiore di VT e assume valori diversi, la conduttività dello strato di inversione cambierà e verranno prodotti diversi IDS sotto lo stesso VDS, in modo che la tensione gate-source VGS possa controllare la corrente IDS source-drain.

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