Symbol und Bedeutung der Parameter der Halbleitertriode

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2022-03-17 304

Parametersymbol der Halbleitertriode und ihre Bedeutung

Wenn der gemeinsame Emitterstromverstärkungsfaktor β=IC/IB =100 ist, beträgt der Kollektorstrom IC=β*IB=10 mA. Wenn der Kollektorwiderstand 500 Ω beträgt, beträgt der Spannungsabfall VRC = 10 mA * 500 Ω = 5 V, während der Spannungsabfall VCE = 5 V zwischen Kollektor und Emitter des Transistors beträgt. Wird dem Basis-Vorspannungskreis ein kleiner Wechselstrom ib überlagert, erscheint im Kollektorkreis der entsprechende Wechselstrom ic mit c/ib=β und realisiert so die Stromverstärkung des Bipolartransistors.

??Das grundlegende Funktionsprinzip von Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren besteht darin, durch den elektrischen Feldeffekt auf der Halbleiteroberfläche einen leitenden Kanal im Halbleiter zu induzieren. Wenn die Gate-G-Spannung VG ansteigt, nehmen die Majoritätsträgerlöcher auf der Oberfläche des P-Typ-Halbleiters allmählich ab und werden erschöpft, während sich die Elektronen allmählich bis zur Inversion ansammeln. Wenn die Oberfläche invertiert ist, bildet die Elektronenakkumulationsschicht einen leitenden Kanal zwischen dem n+-Source-Bereich S und dem n+-Drain-Bereich D. Wenn VDS≠0, fließt ein großer Strom IDS zwischen den Source- und Drain-Elektroden. Die Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, damit die Halbleiteroberfläche eine starke Inversion erreicht, wird als Schwellenspannung VT bezeichnet. Wenn VGS größer als VT ist und unterschiedliche Werte annimmt, ändert sich die Leitfähigkeit der Inversionsschicht und es werden unterschiedliche IDS unter demselben VDS erzeugt, sodass die Gate-Source-Spannung VGS den Source-Drain-Strom IDS steuern kann.

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