Yarı iletken triyot parametre sembolü ve anlamı

Ana Sayfa Haberler Haberler Yarı iletken triyot parametre sembolü ve anlamı

2022-03-17 303

Yarı iletken triyotun parametre sembolü ve önemi

Ortak emitör akımı yükseltme faktörü β=IC/IB =100 ise, kolektör akımı IC=β*IB=10mA. Kolektör direnci 500Ω olduğunda, transistörün kollektörü ve vericisi arasındaki voltaj düşüşü VRC=10mA*500Ω=5V iken, voltaj düşüşü VCE=5V olur. Eğer taban öngerilim devresine küçük bir alternatif akım ib eklenirse, karşılık gelen alternatif akım ic kollektör devresinde c/ib=β ile görünecek ve böylece bipolar transistörün akım amplifikasyonu gerçekleştirilecektir.

??Metal-oksit-yarıiletken alan etkili transistörün temel çalışma prensibi, yarıiletken yüzeyinde oluşan elektrik alan etkisi yoluyla yarıiletkende iletken bir kanal indüklemektir. Geçit G voltajı VG arttığında, P-tipi yarı iletkenin yüzeyindeki çoğunluk taşıyıcı delikler yavaş yavaş azalır ve tükenirken, elektronlar yavaş yavaş ters çevrilmeye kadar birikir. Yüzey ters çevrildiğinde, elektron birikim katmanı n+ kaynak bölgesi S ile n+ drenaj bölgesi D arasında iletken bir kanal oluşturacaktır. VDS≠0 olduğunda, kaynak ve drenaj elektrotları arasında büyük bir IDS akımı akar. Yarı iletken yüzeyin güçlü inversiyon elde etmesi için gereken kapı kaynağı voltajına eşik voltajı VT denir. VGS, VT'den büyük olduğunda ve farklı değerler aldığında, ters çevirme katmanının iletkenliği değişecek ve aynı VDS altında farklı IDS üretilecek, böylece kapı-kaynak gerilimi VGS, kaynak-drenaj akımı IDS'sini kontrol edebilecektir.

Şirket Tel: +86-0755-83044319
Faks/faks:+86-0755-83975897
E-posta: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 Yönetici Li
QQ: 332496225 Yönetici Qiu
Adres: Oda 809, Blok C, Zhantao Teknoloji Binası, No.1079 Minzhi Bulvarı, Longhua Yeni Bölgesi, Shenzhen

Modül seçimi için önlemler - Yön açısı gereksinimleri

Tiroid kontrolünü tespit etmek için multimetre nasıl kullanılır?