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सेमीकंडक्टर ट्रायोड पैरामीटर प्रतीक और अर्थ
2022-03-17
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सेमीकंडक्टर ट्रायोड का पैरामीटर प्रतीक और उसका महत्व
यदि सामान्य उत्सर्जक धारा प्रवर्धन कारक β=IC/IB =100 है, तो संग्राहक धारा IC=β*IB=10mA। जब कलेक्टर प्रतिरोध 500Ω होता है, तो वोल्टेज ड्रॉप VRC=10mA*500Ω=5V होता है, जबकि कलेक्टर और ट्रांजिस्टर के उत्सर्जक के बीच वोल्टेज ड्रॉप VCE=5V होता है। यदि बेस बायस सर्किट में एक छोटा प्रत्यावर्ती धारा ib लगाया जाता है, तो संबंधित प्रत्यावर्ती धारा ic कलेक्टर सर्किट में c/ib=β के साथ दिखाई देगी, जिससे द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर के वर्तमान प्रवर्धन का एहसास होगा।
??धातु-ऑक्साइड-अर्धचालक क्षेत्र प्रभाव ट्रांजिस्टर का मूल कार्य सिद्धांत अर्धचालक सतह पर विद्युत क्षेत्र प्रभाव के माध्यम से अर्धचालक में एक प्रवाहकीय चैनल को प्रेरित करना है। जब गेट जी वोल्टेज वीजी बढ़ता है, तो पी-प्रकार अर्धचालक की सतह पर अधिकांश वाहक छेद धीरे-धीरे कम हो जाते हैं और समाप्त हो जाते हैं, जबकि इलेक्ट्रॉन धीरे-धीरे उलटने के लिए जमा हो जाते हैं। जब सतह उलटी हो जाती है, तो इलेक्ट्रॉन संचय परत n+ स्रोत क्षेत्र S और n+ नाली क्षेत्र D के बीच एक प्रवाहकीय चैनल बनाएगी। जब VDS≠0, स्रोत और नाली इलेक्ट्रोड के बीच एक बड़ा वर्तमान आईडीएस प्रवाहित होता है। मजबूत व्युत्क्रम प्राप्त करने के लिए अर्धचालक सतह के लिए आवश्यक गेट-स्रोत वोल्टेज को थ्रेशोल्ड वोल्टेज वीटी कहा जाता है। जब वीजीएस वीटी से बड़ा होता है और अलग-अलग मान लेता है, तो व्युत्क्रम परत की चालकता बदल जाएगी, और एक ही वीडीएस के तहत अलग-अलग आईडीएस का उत्पादन किया जाएगा, ताकि गेट-स्रोत वोल्टेज वीजीएस स्रोत-ड्रेन वर्तमान आईडीएस को नियंत्रित कर सके।
यदि सामान्य उत्सर्जक धारा प्रवर्धन कारक β=IC/IB =100 है, तो संग्राहक धारा IC=β*IB=10mA। जब कलेक्टर प्रतिरोध 500Ω होता है, तो वोल्टेज ड्रॉप VRC=10mA*500Ω=5V होता है, जबकि कलेक्टर और ट्रांजिस्टर के उत्सर्जक के बीच वोल्टेज ड्रॉप VCE=5V होता है। यदि बेस बायस सर्किट में एक छोटा प्रत्यावर्ती धारा ib लगाया जाता है, तो संबंधित प्रत्यावर्ती धारा ic कलेक्टर सर्किट में c/ib=β के साथ दिखाई देगी, जिससे द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर के वर्तमान प्रवर्धन का एहसास होगा।
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