半導體三極體參數符號及意義

2022-03-17 304

半導體三極體的參數符號及其意義

若共射極電流放大係數β=IC/IB=100，則集極電流IC=β*IB=10mA。當集電極電阻為500Ω時，電晶體的集電極和發射極之間的壓降VRC=10mA*500Ω=5V，而電晶體的集電極和發射極之間的壓降VCE=5V。如果在基極偏壓電路中疊加一個小的交流電流ib，集極電路中就會出現對應的交流電流ic，c/ib=β，從而實現雙極型電晶體的電流放大。

??金屬氧化物半導體場效電晶體的基本工作原理是透過半導體表面的電場效應在半導體中感應出導電溝道。當閘極G電壓VG增加時，P型半導體表面的多數載子電洞逐漸減少並被耗盡，而電子逐漸累積而反轉。當表面翻轉時，電子累積層將在n+源區S和n+漏區D之間形成導電通道。半導體表面實現強反轉所需的柵極源電壓稱為閾值電壓VT。當VGS大於VT且取不同值時，反型層的電導率會發生變化，在相同VDS下會產生不同的IDS，從而柵極源電壓VGS可以控制源漏電流IDS。

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