สัญลักษณ์และความหมายของพารามิเตอร์ไตรโอดของเซมิคอนดักเตอร์

หน้าแรก ข่าว ข่าวอุตสาหกรรม สัญลักษณ์และความหมายของพารามิเตอร์ไตรโอดของเซมิคอนดักเตอร์

2022-03-17 304

สัญลักษณ์พารามิเตอร์ของไตรโอดเซมิคอนดักเตอร์และความสำคัญของมัน

หากปัจจัยการขยายกระแสของตัวปล่อยทั่วไป β=IC/IB =100 กระแสของตัวสะสม IC=β*IB=10mA เมื่อความต้านทานของตัวสะสมอยู่ที่ 500Ω แรงดันไฟฟ้าจะตก VRC=10mA*500Ω=5V ในขณะที่แรงดันไฟฟ้าจะตก VCE=5V ระหว่างตัวสะสมและตัวปล่อยของทรานซิสเตอร์ ถ้า ib กระแสสลับขนาดเล็กถูกซ้อนทับในวงจรไบอัสฐาน ไอซีกระแสสลับที่สอดคล้องกันจะปรากฏในวงจรสะสม โดยที่ c/ib=β ทำให้ทราบถึงการขยายกระแสของทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์

??หลักการทำงานพื้นฐานของทรานซิสเตอร์เอฟเฟกต์สนามโลหะ - ออกไซด์ - เซมิคอนดักเตอร์คือการเหนี่ยวนำช่องนำไฟฟ้าในเซมิคอนดักเตอร์ผ่านเอฟเฟกต์สนามไฟฟ้าบนพื้นผิวเซมิคอนดักเตอร์ เมื่อแรงดันเกต G VG เพิ่มขึ้น รูพาหะส่วนใหญ่บนพื้นผิวของเซมิคอนดักเตอร์ชนิด P จะค่อยๆ ลดลงและหมดลง ในขณะที่อิเล็กตรอนจะค่อยๆ สะสมจนผกผัน เมื่อพื้นผิวกลับด้าน ชั้นการสะสมอิเล็กตรอนจะสร้างช่องทางนำไฟฟ้าระหว่างบริเวณแหล่งกำเนิด n+ S และบริเวณท่อระบายน้ำ n+ D เมื่อ VDS≠0 IDS กระแสขนาดใหญ่จะไหลระหว่างแหล่งกำเนิดและอิเล็กโทรดเดรน แรงดันไฟฟ้าเกต-แหล่งที่มาที่จำเป็นสำหรับพื้นผิวเซมิคอนดักเตอร์เพื่อให้เกิดการผกผันที่รุนแรงเรียกว่าแรงดันไฟฟ้าเกณฑ์ VT เมื่อ VGS มีขนาดใหญ่กว่า VT และรับค่าที่แตกต่างกัน ค่าการนำไฟฟ้าของชั้นผกผันจะเปลี่ยนไป และ IDS ที่แตกต่างกันจะถูกสร้างขึ้นภายใต้ VDS เดียวกัน เพื่อให้แรงดันไฟฟ้าระหว่างเกตและแหล่งกำเนิด VGS สามารถควบคุม IDS กระแสไฟเดรนของแหล่งที่มาได้

โทรศัพท์บริษัท: +86-0755-83044319
แฟกซ์/แฟกซ์:+86-0755-83975897
อีเมล์: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 ผู้จัดการหลี่
QQ: 332496225 ผู้จัดการชิว
ที่อยู่: ห้อง 809 บล็อก C อาคารเทคโนโลยี Zhantao เลขที่ 1079 Minzhi Avenue เขตหลงหัวใหม่ เซินเจิ้น

ข้อควรระวังในการเลือกโมดูล-ข้อกำหนดมุมทิศทาง

วิธีใช้มัลติมิเตอร์ตรวจควบคุมต่อมไทรอยด์