Símbolo e significado do parâmetro triodo semicondutor

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2022-03-17 304

Símbolo de parâmetro do triodo semicondutor e seu significado

Se o fator de amplificação da corrente do emissor comum β=IC/IB =100, a corrente do coletor IC=β*IB=10mA. Quando a resistência do coletor é 500Ω, a queda de tensão VRC=10mA*500Ω=5V, enquanto a queda de tensão VCE=5V entre o coletor e o emissor do transistor. Se uma pequena corrente alternada ib for sobreposta no circuito de polarização de base, a corrente alternada correspondente ic aparecerá no circuito coletor, com c/ib=β, realizando assim a amplificação da corrente do transistor bipolar.

??O princípio básico de funcionamento do transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico é induzir um canal condutor no semicondutor através do efeito do campo elétrico na superfície do semicondutor. Quando a tensão VG da porta G aumenta, os orifícios do portador majoritário na superfície do semicondutor tipo P diminuem gradualmente e se esgotam, enquanto os elétrons gradualmente se acumulam até a inversão. Quando a superfície é invertida, a camada de acumulação de elétrons formará um canal condutor entre a região de fonte n+ S e a região de dreno n+ D. Quando VDS≠0, uma grande corrente IDS flui entre os eletrodos de fonte e dreno. A tensão porta-fonte necessária para que a superfície semicondutora atinja uma forte inversão é chamada de tensão limite VT. Quando VGS é maior que VT e assume valores diferentes, a condutividade da camada de inversão mudará e diferentes IDS serão produzidos sob o mesmo VDS, de modo que a tensão porta-fonte VGS possa controlar a corrente fonte-dreno IDS.

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