Símbolo y significado del parámetro triodo semiconductor

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2022-03-17 304

Símbolo de parámetro del triodo semiconductor y su significado.

Si el factor de amplificación de corriente del emisor común β=IC/IB =100, la corriente del colector IC=β*IB=10mA. Cuando la resistencia del colector es de 500 Ω, la caída de voltaje VRC = 10 mA * 500 Ω = 5 V, mientras que la caída de voltaje VCE = 5 V entre el colector y el emisor del transistor. Si se superpone una pequeña corriente alterna ib en el circuito de polarización de base, la corriente alterna correspondiente ic aparecerá en el circuito colector, con c/ib=β, logrando así la amplificación de corriente del transistor bipolar.

??El principio de funcionamiento básico del transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico es inducir un canal conductor en el semiconductor a través del efecto del campo eléctrico en la superficie del semiconductor. Cuando el voltaje de la puerta G VG aumenta, los huecos portadores mayoritarios en la superficie del semiconductor tipo P disminuyen gradualmente y se agotan, mientras que los electrones se acumulan gradualmente hasta la inversión. Cuando se invierte la superficie, la capa de acumulación de electrones formará un canal conductor entre la región de fuente n+ S y la región de drenaje n+ D. Cuando VDS≠0, una gran corriente IDS fluye entre los electrodos de fuente y drenaje. El voltaje puerta-fuente requerido para que la superficie del semiconductor logre una fuerte inversión se llama voltaje umbral VT. Cuando VGS es mayor que VT y toma valores diferentes, la conductividad de la capa de inversión cambiará y se producirán diferentes IDS bajo el mismo VDS, de modo que el voltaje puerta-fuente VGS puede controlar el IDS de corriente fuente-drenaje.

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