كري، كورفو، إن إكس بي، مايكروشيبأطلقت العديد من الشركات الأخرى منتجات نتريد الغاليوم بتقنية الجيل الخامس بشكل مكثف؛سوميتومو الكتريك،NXPكما تقوم الشركة ببناء مصنع لنيتريد الغاليوم بتقنية الجيل الخامس في الولايات المتحدة.

سيتم استخدام تقنية نيتريد الغاليوم (GaN) في نشر شبكات الجيل الخامس (5G).استبدال تقنية LDMOSمن المتوقع أن يصل الطلب على أجهزة GaN RF في سوق الجيل الخامس إلى6.27 مليار يوان.في الوقت الحالي، بدأت بعض الشركات في الحصول على طلبات كبيرة.مثلاحصلت شركة إرلو على اتفاقية توريد طويلة الأجل بقيمة 646 مليون يوان..

ملاحظة: للانضمام إلى مجموعة قادة الجيل الثالث لأشباه الموصلات، يُرجى إضافة حساب WeChat التالي: Joyce_sdb

تقوم شركتا سوميتومو وإن إكس بي ببناء المصانع

تروج العديد من الشركات لتقنية 5G المصنوعة من نتريد الغاليوم

لا أعرف ما إذا كان عليّ أن أتبع ذلكالمؤتمر العالمي للهواتف المحمولة (mwc)ظهرت تقنية نتريد الغاليوم 5G بشكل متكرر في الآونة الأخيرة.

بحسب تقرير نشرته صحيفة نيكاي في 4 يوليو،سوميتومو الكتريكسيتم استثمار مليارات الين (مليار ين يعادل 58 مليون يوان) وسيتم إنشاء المصنع في نيوجيرسي بالولايات المتحدة ابتداءً من شهر سبتمبر.خط إنتاج رقائق الجيل الخامس.

كما تقوم شركة NXP بإنشاء مصانع في الولايات المتحدة. ففي 30 سبتمبر 2020، أعلنت NXP أنها افتتحت مصنعًا في ولاية أريزونا الأمريكية، والذي سيستخدمرقاقة نتريد الغاليوم مقاس 6 بوصات لإنتاج رقائق الجيل الخامسسيصل المصنع إلى طاقته الإنتاجية الكاملة بحلول نهاية عام 2020.

أيضا،يشارك ثور أيضًا في الأمر.في 19 مايو، أعلنت شركة رايثيون أنها ستتعاون مع شركة GlobalFoundries لتطوير نتريد الغاليوم الجديد القائم على السيليكون لتحقيق أداء ترددات الراديو "المغير لقواعد اللعبة" في مرافق الجيل الخامس والسادس.

وهناك أيضاً العديد من الشركات التي أطلقت منتجات نتريد الغاليوم بتقنية الجيل الخامس واحدة تلو الأخرى.

في الوقت الحالي، استفادت بعض الشركات. ففي ديسمبر 2019، أعلنت شركة II-VI أنها وقعت صفقة بقيمة إجمالية تزيد عن100 مليون دولار أمريكي (ما يعادل تقريباً 646 مليون يوان صيني)اتفاقية متعددة السنوات لتوفير ركائز كربيد السيليكون لمضخمات طاقة الترددات اللاسلكية المصنوعة من نتريد الغاليوم في محطات القاعدة اللاسلكية من الجيل الخامس.

يُظهر أحدث تقرير مالي لشركة Qorvo أن الربع الرابع من السنة المالية 2021 (حتى 3 أبريل 2021)بلغت الإيرادات 1.073 مليار دولار أمريكي (ما يعادل 6.9 مليار يوان صيني تقريبًا).وتُعد منتجات الترددات اللاسلكية من الجيل الخامس قوة دافعة مهمة.

تتوقع شركة Yole أن يصل حجم سوق GaN RF إلى عام 20262.4 مليار دولار أمريكي (ما يعادل 15.36 مليار يوان صيني تقريبًا)ومن بينها، ستمثل إيرادات تقنية الترددات اللاسلكية GaN للاتصالات من الجيل الخامس 41٪ في عام 2026.حوالي 6.27 مليار يوان.

لماذا تحتاج تقنية الجيل الخامس إلى نيتريد الغاليوم (GaN)؟

يعتقد خبراء الصناعة أنه على الرغم من أن تقنية LDMOS لا تزال تستحوذ على الحصة السوقية الأكبر في محطات الترددات اللاسلكية الأساسية، فمن المتوقع أن تستمر تقنية GaN في استبدالها في تقنية MIMO الضخمة لشبكات الجيل الخامس. ومن المعلوم أنه في عام 2014،بدأت شركات الاتصالات الصينية في اعتماد حلول ترددات الراديو المصنوعة من نيتريد الغاليوم (GaN) خلال نشر شبكات الجيل الرابع LTE.

بشكل عام،يُحقق استخدام تقنية نيتريد الغاليوم (GaN) في اتصالات الجيل الخامس (5G) الفوائد التالية:

تتمتع مادة GaN بكثافة طاقة أعلى ويمكنها إرسال الإشارات بقدرة أكبر، مما يؤدي إلى توسيع نطاق تغطية المحطات الأساسية.

كما أن كثافة الطاقة العالية تساعد في تقليل الحجم الإجمالي للحل، مما يتطلب مساحة أقل على لوحة الدوائر المطبوعة.

يمكن لمضخمات الطاقة GaN أن تعمل عند درجة حرارة تصل إلى 250 درجة فهرنهايت، مما يبسط متطلبات مشتت الحرارة والتبريد للنظام، ويقلل من الحجم والتكلفة بشكل أكبر.

تساهم تقنية نيتريد الغاليوم (GaN) أيضًا في خفض تكلفة تشغيل محطات البث. ففي تكوين مضخم الطاقة من نوع دوهرتي، تصل كفاءة نيتريد الغاليوم إلى 60% في المتوسط، وتبلغ قدرة خرجها 100 واط، مما يقلل بشكل ملحوظ من استهلاك الطاقة التشغيلية.

وفقًا لشركة Cree، فإن الحل الذي تعاونت فيه مع MaxLinear يمكنه توفير تردد الراديو MIMO الهائل المطلوب لتطبيقات الجيل الخامس.وفر مئات الواط من استهلاك الطاقة. عند عرض نطاق فوري يبلغ 280 ميجاهرتز ومتوسط ​​طاقة خرج يبلغ 39.5 ديسيبل ميلي واط، تبلغ كفاءة مكبر الصوت حوالي 50٪.

تجمع وحدات GaN متعددة الرقائق من NXP، التي تعمل بتردد 2.6 جيجاهرتز، بين المنتجاتارتفعت الكفاءة إلى 52%، أعلى بنسبة 8% من وحدة الجيل السابق للشركة.

توفر عائلة مكبرات الصوت GaN من Qorvo للعملاء كفاءة عالية في إضافة الطاقة (PAE)، في معظم الحالاتأكثر من 30٪وتغطي نطاقات التردد الرئيسية الفرعية 7 جيجاهرتز التابعة لـ 3GPP.

يوفر حل GaN-on-SiC من شركة Microchipحتى 10 واتطاقة خرج الترددات اللاسلكية المشبعة.

تنويه: هذه المقالة مُعاد نشرها من "GaN World". وهي لا تُمثل سوى وجهة نظر الكاتب الشخصية، ولا تُعبر عن آراء شركة Sacco Micro أو قطاع صناعة أشباه الموصلات. تمت إعادة نشرها ومشاركتها فقط لدعم حماية حقوق الملكية الفكرية. يُرجى ذكر المصدر الأصلي والكاتب عند إعادة النشر. في حال وجود أي انتهاك، يُرجى التواصل معنا لحذفها.

رقم هاتف الشركة: +86-0755-83044319
فاكس: +86-0755-83975897
بريد إلكتروني: 1615456225@qq.com
س: 3518641314 مدير لي

ف ف: 332496225 مدير تشيو

العنوان: الغرفة 809، المبنى ج، مبنى زانتاو للتكنولوجيا، رقم 1079 شارع مينزي، منطقة لونغهوا الجديدة، شنتشن