Cree, Qorvo, NXP, MicrochipWiele innych firm intensywnie wprowadzało na rynek produkty oparte na azotku galu 5G;Sumitomo Electric,NXPBuduje również fabrykę azotku galu 5G w Stanach Zjednoczonych.

GaN będzie wykorzystywany we wdrożeniach 5GZastąp technologię LDMOSOczekuje się, że popyt na urządzenia GaN RF na rynku 5G osiągnie6.27 miliarda juanów.Obecnie niektóre firmy zaczęły otrzymywać duże zamówienia.na przykładErlu zawarło długoterminową umowę dostaw o wartości 646 milionów juanów..

Przerwanie: Aby dołączyć do grupy szefów firm zajmujących się półprzewodnikami trzeciej generacji, dodaj WeChat: Joyce_sdb

Sumitomo i NXP budują fabryki

Wiele firm promuje azotek galu 5G

Nie wiem czy mam to śledzićMobile World Congress (mwc)Ostatnio coraz częściej pojawia się azotek galu 5G.

Według raportu Nikkei z 4 lipcaSumitomo ElectricZainwestowane zostaną miliardy jenów (1 miliard jenów to równowartość 58 milionów juanów), a prace rozpoczną się we wrześniu w fabryce w New Jersey w Stanach Zjednoczonych.Linia produkcyjna układów scalonych 5G.

NXP również otwiera fabryki w Stanach Zjednoczonych. 30 września 2020 r. firma NXP ogłosiła otwarcie fabryki w Arizonie w USA, która będzie wykorzystywać6-calowy wafel azotku galu do produkcji chipów 5G, fabryka osiągnie pełną produkcję do końca 2020 roku.

również,Thor również jest zaangażowany19 maja firma Raytheon ogłosiła, że ​​nawiąże współpracę z odlewnią GlobalFoundries w celu opracowania nowego azotku galu na bazie krzemu, który zapewni „przełomową” wydajność częstotliwości radiowych w obiektach 5G i 6G.

Wiele firm wprowadziło na rynek kolejne produkty oparte na azotku galu 5G.

Obecnie niektóre firmy odniosły korzyści. W grudniu 2019 r. II-VI ogłosiło podpisanie umowy na łączną kwotę ponad100 mln USD (około 646 mln RMB)Wieloletnia umowa na dostawę podłoży z węglika krzemu do wzmacniaczy mocy RF z azotku galu w stacjach bazowych sieci bezprzewodowej 5G.

Najnowszy raport finansowy Qorvo pokazuje, że czwarty kwartał roku obrotowego Qorvo 2021 (stan na 3 kwietnia 2021 r.)Przychody wyniosły 1.073 mld USD (około 6.9 mld RMB), a produkty 5G RF są ważną siłą napędową.

Yole przewiduje, że wielkość rynku GaN RF osiągnie 2026 r.2.4 miliarda dolarów amerykańskich (około 15.36 miliarda juanów), z czego przychody z technologii GaN RF w sieci 5G Telecom będą stanowić 41% w roku 2026.Około 6.27 miliarda juanów.

Dlaczego 5G potrzebuje GaN?

Eksperci branżowi uważają, że chociaż technologia LDMOS nadal posiada największy udział w rynku stacji bazowych o częstotliwości radiowej, oczekuje się, że GaN będzie ją nadal zastępować w technologii Massive MIMO 5G. Rozumie się, że w 2014 rokuChińscy operatorzy telekomunikacyjni zaczęli stosować rozwiązania wykorzystujące częstotliwość radiową GaN podczas wdrażania sieci 4G LTE.

Ogólnie rzecz biorąc,Wykorzystanie GaN do komunikacji 5G przynosi następujące korzyści:

?GaN charakteryzuje się większą gęstością mocy i może przesyłać sygnały z większą mocą, zwiększając w ten sposób zasięg stacji bazowych.

? Większa gęstość mocy pozwala również na zmniejszenie całkowitego rozmiaru rozwiązania, co przekłada się na mniejsze zapotrzebowanie na miejsce na płytce PCB.

? Wzmacniacze mocy GaN mogą pracować w temperaturach do 250 stopni Fahrenheita, co upraszcza wymagania dotyczące radiatora i chłodzenia systemu, a tym samym dodatkowo zmniejsza rozmiar i koszt.

GaN pomaga również obniżyć koszty eksploatacji stacji bazowych. W konfiguracji Doherty PA, GaN charakteryzuje się średnią sprawnością do 60% i mocą wyjściową 100 W, co znacznie zmniejsza zużycie energii w czasie pracy.

Według Cree rozwiązanie opracowane we współpracy z MaxLinear może zapewnić ogromną częstotliwość radiową MIMO wymaganą w aplikacjach 5G.Oszczędzaj setki watów energiiPrzy chwilowej szerokości pasma 280 MHz i średniej mocy wyjściowej 39.5 dBm sprawność wzmacniacza wynosi około 50%.

Moduły wieloprocesorowe GaN firmy NXP o częstotliwości 2.6 GHz łączą produktyWydajność wzrosła do 52%, o 8% wyższy niż w przypadku poprzedniej generacji modułów firmy.

Rodzina wzmacniaczy GaN firmy Qorvo oferuje klientom wysoką wydajność dodanej mocy (PAE) w większości przypadkówWięcej niż 30%i obejmuje główne pasma częstotliwości 3GPP poniżej 7 GHz.

Rozwiązanie GaN-na-SiC firmy Microchip zapewniado 10 W.nasycona moc wyjściowa RF.

Zastrzeżenie: Niniejszy artykuł został przedrukowany z „GaN World”. Artykuł ten przedstawia wyłącznie osobiste poglądy autora i nie reprezentuje poglądów Sacco Micro ani branży. Jest on przedrukowywany i udostępniany wyłącznie w celu ochrony praw własności intelektualnej. Prosimy o podanie oryginalnego źródła i autora przy przedruku. W przypadku naruszenia prosimy o kontakt w celu usunięcia artykułu.

Numer telefonu firmy: +86-0755-83044319
Faks/FAKS: +86-0755-83975897
E-mail: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 Menedżer Li

QQ: 332496225 Menedżer Qiu

Adres: Pokój 809, Budynek C, Budynek Technologii Zhantao, nr 1079 Minzhi Avenue, Nowa Dzielnica Longhua, Shenzhen